本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展，MOS晶體管的特征尺寸也越來越小，為了降低MOS晶體管柵極的寄生電容，提高器件速度，高K柵介電層與金屬柵極的柵極疊層結(jié)構(gòu)被引入到MOS晶體管中。為了避免金屬柵極的金屬材料對晶體管其他結(jié)構(gòu)的影響，所述金屬柵極與高K柵介電層的柵極疊層結(jié)構(gòu)通常采用“后柵(gate last)”工藝制作。

現(xiàn)有技術(shù)采用“后柵(gate last)”工藝制作金屬柵極過程包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有替代柵結(jié)構(gòu)，所述替代柵結(jié)構(gòu)包括位于半導(dǎo)體襯底上的柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的替代柵，所述替代柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有晶體管的源區(qū)和漏區(qū)；形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和替代柵結(jié)構(gòu)的第一介質(zhì)材料層；采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化所述介質(zhì)材料層，以偽柵結(jié)構(gòu)的頂部表面為停止層，形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層的表面與替代柵結(jié)構(gòu)的頂部表面齊平；去除所述替代柵結(jié)構(gòu)，形成凹槽；在凹槽的側(cè)壁和底部表面、以及第一介質(zhì)層的表面形成高K介電材料層；在高K介電材料層表面形成金屬層；平坦化去除第一介質(zhì)層表面上的高K介電材料層和金屬層，在凹槽的側(cè)壁和底部表面形成高K柵介質(zhì)層，在高K柵介質(zhì)層上形成金屬柵電極，所述金屬柵電極填充凹槽。

但是現(xiàn)有金屬柵極的制作工藝的穩(wěn)定性和可靠性仍有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是怎樣在金屬柵極的制作工藝中，防止凹陷缺陷的產(chǎn)生。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有偽柵結(jié)構(gòu)；

形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和偽柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的表面與偽柵頂部表面齊平；

去除所述偽柵結(jié)構(gòu)，形成凹槽；

在所述凹槽的側(cè)壁和底部以及介質(zhì)層的表面形成高K柵介質(zhì)層；

在所述高K柵介質(zhì)層上形成第一鋁金屬層，所述第一鋁金屬層填充滿凹槽；

在第一鋁金屬層上形成犧牲層，所述犧牲層包括位于第一鋁金屬層上的第一粘附層、位于第一粘附層上的擴(kuò)散阻擋層，以及位于擴(kuò)散阻擋層上的第二粘附層；

在所述犧牲層上形成第二鋁金屬層；

采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除介質(zhì)層表面的第二鋁金屬層、犧牲層和第一鋁金屬層，在凹槽中形成金屬柵電極。

可選的，所述第一粘附層和第二粘附層的材料為Ti，所述擴(kuò)散阻擋層的材料為TiN。

可選的，所述第一粘附層和第二粘附層的材料為Ta，所述擴(kuò)散阻擋層的材料為TaN。

可選的，所述第一粘附層和第二粘附層的材料形成工藝為濺射。

可選的，所述擴(kuò)散阻擋層的形成工藝為濺射或者化學(xué)氣相沉積工藝。

可選的，所述第一粘附層和第二粘附層的厚度為40～60埃。

可選的，所述擴(kuò)散阻擋層的厚度為100～200埃。

可選的，所述第一鋁金屬層和第二鋁金屬層的形成工藝為濺射。

可選的，所述第一鋁金屬層的厚度為500～1500埃，第二鋁金屬層的厚度為1500～2000埃。

可選的，所述高K柵介質(zhì)層的材料為HfO₂、TiO₂、HfZrO、HfSiNO、Ta₂O₅、ZrO₂、ZrSiO₂、Al₂O₃、SrTiO₃或BaSrTiO。

可選的，還包括：在高K柵介質(zhì)層上形成功能層。

可選的，所述半導(dǎo)體器件為NMOS晶體管時，所述功能層的材料為TiAl、TiAlC、TaAl中的一種或幾種。

可選的，所述半導(dǎo)體器件為PMOS晶體管時，所述功能層的材料為TiN、TiSiN中的一種或幾種。

可選的，還包括：在所述功能層上形成第二擴(kuò)散阻擋層，在第二擴(kuò)散阻擋層上形成第三粘附層。

可選的，所述第二擴(kuò)散阻擋層的材料為TiN或TaN。

可選的，所述第三粘附層的材料為Ti或Ta。

可選的，形成第二鋁金屬層后，還包括：對所述第一鋁金屬層和第二鋁金屬層進(jìn)行回流工藝。

可選的，所述回流工藝的時間為2～5分鐘，溫度為300～500攝氏度，使用的氣體為Ar或He，腔室壓強(qiáng)為10-40mTorr。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，在形成第一鋁金屬層后，在第一鋁金屬層上形成犧牲層，所述犧牲層包括位于第一鋁金屬層上的第一粘附層、位于第一粘附層上的擴(kuò)散阻擋層，以及位于擴(kuò)散阻擋層上的第二粘附層；在所述犧牲層上形成第二鋁金屬層；采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除介質(zhì)層表面的第二鋁金屬層、犧牲層和第一鋁金屬層，在凹槽中形成金屬柵電極。由于第一鋁金屬層和第二鋁金屬層之間具有犧牲層，所述犧牲層在形成第二鋁金屬層的過程中以及在后續(xù)進(jìn)行回流的過程中，防止第一鋁金屬層中的鋁原子和第二鋁金屬層中的鋁原子相互擴(kuò)散，從而防止第一鋁金屬層和第二鋁金屬層中的部分區(qū)域的鋁晶核尺寸生長過大，提高了第一鋁金屬層和第二鋁金屬層中的鋁晶核尺寸的均勻性；

所述犧牲層包括位于第一鋁金屬層上的第一粘附層、位于第一粘附層上的擴(kuò)散阻擋層，以及位于擴(kuò)散阻擋層上的第二粘附層，所述擴(kuò)散阻擋層用于防止后續(xù)在第一鋁金屬層上形成第二鋁金屬層時以及進(jìn)行回流工藝時，第二鋁金屬層中的鋁原子與第一鋁金屬層中鋁原子相互擴(kuò)散，從而防止第二鋁金 屬層和第二鋁金屬層中產(chǎn)生較大尺寸的鋁晶粒，所述第一粘附層用于提高第一鋁金屬層與擴(kuò)散阻擋層的粘附性，所述第二粘附層用于提高所述擴(kuò)散阻擋層與后續(xù)形成的第二鋁金屬層的粘附性，利于后續(xù)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝。

進(jìn)一步，所述第一粘附層和第二粘附層的厚度為40～60埃，所述擴(kuò)散阻擋層的厚度為100～200埃，所述第一粘附層和第二粘附層在具有較好的粘附性的同時不會增加化學(xué)機(jī)械研磨工藝的難度，所述擴(kuò)散阻擋層的在具有良好的阻擋作用的同時不會增加制作成本以及增加化學(xué)機(jī)械研磨工藝的難度。

附圖說明

圖1～圖8為本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如背景技術(shù)所言，現(xiàn)有技術(shù)的金屬柵極的制作工藝的穩(wěn)定性和可靠性仍有待提高，比如，在金屬柵極的制作過程中，在平坦化金屬層時容易產(chǎn)生凹陷缺陷。

研究發(fā)現(xiàn)，凹陷缺陷產(chǎn)出的原因?yàn)椋含F(xiàn)有技術(shù)在形成金屬柵極時，金屬層的材料為主要為鋁，鋁材料相對于其他的金屬材料(比如銅、鎢等)質(zhì)地較軟，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化時具有極大的挑戰(zhàn)，因而第一介質(zhì)層上形成的鋁金屬層的厚度相對會較厚，另外，通過濺射工藝形成鋁金屬層后，需要進(jìn)行回流工藝，以使鋁金屬層能更好的填充凹槽，在進(jìn)行回流工藝時，鋁晶粒會重新生長，但是由于部分區(qū)域(比如大尺寸區(qū)域或窄縫區(qū)域)的鋁厚度較厚以及第一介質(zhì)層表面形貌等因素的影響，該區(qū)域生長的鋁晶粒的尺寸會較大，在采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化鋁金屬層時，大尺寸的鋁晶粒容易被拉出，大尺寸的鋁晶粒對應(yīng)的位置容易產(chǎn)生凹陷缺陷，影響制作工藝的良率。

為此，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，在形成鋁金屬柵極時，由于第一鋁金屬層和第二鋁金屬層之間具有犧牲層，所述犧牲層在形成第二鋁金屬層的過程中以及在后續(xù)進(jìn)行回流的過程中，防止第一鋁金屬層中的鋁原子和第二鋁金屬層中的鋁原子相互擴(kuò)散，從而防止第一鋁金屬層和第二鋁金屬層中的部分區(qū)域的鋁晶核尺寸生長過大，提高了第一鋁金屬層和第二鋁 金屬層中的鋁晶核尺寸的均勻性。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。在詳述本發(fā)明實(shí)施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。

圖1～圖8為本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200上形成有偽柵結(jié)構(gòu)201。

所述半導(dǎo)體襯底200的材料為硅(Si)、鍺(Ge)、或硅鍺(GeSi)、碳化硅(SiC)；也可以是絕緣體上硅(SOI)，絕緣體上鍺(GOI)；或者還可以為其它的材料，例如砷化鎵等Ⅲ-Ⅴ族化合物。所述半導(dǎo)體襯底200還可以根據(jù)設(shè)計需求注入一定的摻雜離子以改變電學(xué)參數(shù)。

在所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)還形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于隔離相鄰的有源區(qū)，防止不同有源區(qū)上形成的晶體管之間電學(xué)連接。

所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)可以單層或多層(≥2層)堆疊結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)為單層結(jié)構(gòu)時，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅其中的一種或幾種。在一實(shí)施例中，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)為雙層堆疊結(jié)構(gòu)，包括襯墊氧化層和位于襯墊氧化層上的填充層。

所述偽柵結(jié)構(gòu)201作為后續(xù)形成金屬柵結(jié)構(gòu)的犧牲層，偽柵結(jié)構(gòu)201的數(shù)量至少為1個，所述偽柵結(jié)構(gòu)201的材料為多晶硅或無定形碳或其他合適的材料，偽柵結(jié)構(gòu)201的形成過程為：在所述半導(dǎo)體襯底200上形成偽柵材料層；在所述偽柵材料層上形成圖形化的光刻膠層；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述偽柵材料層，在所述半導(dǎo)體襯底200上偽柵結(jié)構(gòu)201。

偽柵結(jié)構(gòu)201和半導(dǎo)體襯底200之間還可以形成氧化硅層。

所述偽柵結(jié)構(gòu)201的兩側(cè)側(cè)壁上還形成有側(cè)墻，所述側(cè)墻可以為單層或多層(≥2層)堆疊結(jié)構(gòu)。

在一實(shí)施例中，所述側(cè)墻為雙層堆疊結(jié)構(gòu)，包括位于偽柵結(jié)構(gòu)201側(cè)壁表面上的偏移側(cè)墻和位于偏移側(cè)墻上的主側(cè)墻。

所述偏移側(cè)墻的材料為氧化硅或替他合適的材料，偏移側(cè)墻的形成工藝為熱氧化或沉積工藝，所述主側(cè)墻的材料為氮化硅，形成工藝為沉積和刻蝕工藝。

在形成偏移側(cè)墻后，還包括：以所述偽柵和偏移側(cè)墻為掩膜，對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一離子注入，在所述偽柵結(jié)構(gòu)201和偏移側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成淺摻雜區(qū)。

在形成淺摻雜區(qū)后，在所述偏移側(cè)墻的表面上形成主側(cè)墻，所述主側(cè)墻的形成過程為：形成覆蓋所述偽柵結(jié)構(gòu)201、偏移側(cè)墻和半導(dǎo)體襯底200表面的側(cè)墻材料層；無掩膜刻蝕所述側(cè)墻材料層，在偏移側(cè)墻表面形成主側(cè)墻。所述主側(cè)墻可以為單層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。

在形成主側(cè)墻后，還包括：以所述主側(cè)墻和偽柵結(jié)構(gòu)201為掩膜，進(jìn)行第二離子注入，在偽柵結(jié)構(gòu)201和主側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成深摻雜區(qū)，所述深摻雜區(qū)和淺摻雜區(qū)構(gòu)成晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。

所述第一離子注入和第二離子注入注入的雜質(zhì)離子的類型相同，所述雜質(zhì)離子包括N型雜質(zhì)離子和P型雜質(zhì)離子，所述N型雜質(zhì)離子為磷離子、砷離子或銻離子，所述P型雜質(zhì)離子為硼離子、鎵離子或銦離子。所述第一離子注入和第二離子注入注入雜質(zhì)離子的類型根據(jù)待形成的晶體管的類型進(jìn)行選擇，當(dāng)待形成的晶體管為N型晶體管時，第一離子注入和第二離子注入的雜質(zhì)離子為N型的雜質(zhì)離子，當(dāng)待形成的晶體管為P型晶體管時，第一離子注入和第二離子注入的雜質(zhì)離子為P型的雜質(zhì)離子。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在形成偽柵結(jié)構(gòu)201和側(cè)墻后，還可以以所述偽柵結(jié)構(gòu)201和側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底200，在所述偽柵結(jié)構(gòu)201和側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成溝槽；然后在溝槽中填充應(yīng)力層，形成應(yīng)力源區(qū)和應(yīng)力漏區(qū)。所述應(yīng)力層的材料為硅鍺或碳化硅。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可以先在半導(dǎo)體襯底200上形成高K柵介質(zhì)層；然后在高K柵介質(zhì)層上形成偽柵；后續(xù)去除偽柵后，在偽柵對應(yīng)的位置 形成金屬柵電極。

參考圖2，形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底200和偽柵結(jié)構(gòu)201側(cè)壁的介質(zhì)層202，所述介質(zhì)層202的表面與偽柵結(jié)構(gòu)201頂部表面齊平。

所述介質(zhì)層202的形成過程為：在半導(dǎo)體襯底200上形成第一介質(zhì)材料層，第一介質(zhì)層材料層覆蓋所述偽柵結(jié)構(gòu)201；采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化所述第一介質(zhì)層材料，以偽柵結(jié)構(gòu)201的表面為停止層，形成第一介質(zhì)層202。

在一實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)層202的材料為氧化硅或其他合適的材料。

參考圖3，去除所述偽柵結(jié)構(gòu)201(參考圖2)，形成凹槽203。

去除所述偽柵采用濕法刻蝕、干法刻蝕、或者濕法刻蝕和干法刻蝕相結(jié)合的工藝。本實(shí)施例中，采用濕法刻蝕去除所述偽柵，濕法刻蝕采用的溶液為KOH或TMAH(四甲基氫氧化銨)或NH₃.H₂O。

參考圖4，在所述凹槽203的側(cè)壁和底部以及介質(zhì)層202的表面形成高K柵介質(zhì)層204。

所述高K柵介質(zhì)層204可以為HfO₂、TiO₂、HfZrO、HfSiNO、Ta₂O₅、ZrO₂、ZrSiO₂、Al₂O₃、SrTiO₃或BaSrTiO，或其他合適的材料。

在一實(shí)施例中，在所述高K柵介質(zhì)層204上還可以形成功能層205。

所述半導(dǎo)體器件為NMOS晶體管時，所述功能層205的材料為TiAl、TiAlC、TaAl中的一種或幾種，所述功能層205也可以為其他合適的功函數(shù)調(diào)節(jié)材料。

所述半導(dǎo)體器件為PMOS晶體管時，所述功能層205的材料為TiN、TiSiN中的一種或幾種，所述功能層205也可以為其他合適的功函數(shù)調(diào)節(jié)材料。

在另一實(shí)施例中，所述功能層205和高K柵介質(zhì)層204之間還可以形成蓋層，所述蓋層用于防止功能層205的金屬向高K柵介質(zhì)層204中擴(kuò)散。所述蓋層的材料可以為TiN或其他合適的材料。

參考圖5，在所述高K柵介質(zhì)層204上形成第一鋁金屬層206，所述第一鋁金屬層206填充滿凹槽203(參考圖4)。

所述第一鋁金屬層206材料為鋁，形成工藝為濺射。

所述第一鋁金屬層206填充滿凹槽，后續(xù)在第一鋁金屬層206上形成的犧牲層不會位于凹槽內(nèi)，因而化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化后形成的金屬柵電極的材料不會具有犧牲層材料，因而不會改變形成的金屬柵電極的電學(xué)性能。

所述凹槽的尺寸較小，第一鋁金屬層206只需填充滿凹槽，因而介質(zhì)層202上的第一鋁金屬層206的厚度可以較薄，后續(xù)在第一鋁金屬層上的犧牲層上形成的的第二鋁金屬層作為化學(xué)機(jī)械研磨時的窗口，在一實(shí)施例中，所述第一鋁金屬層206的厚度為500～1500埃。

在一實(shí)施例中，在形成第一鋁金屬層206之前，還包括在所述功能層205上形成第二擴(kuò)散阻擋層和第三粘附層，所述第二擴(kuò)散阻擋層用于防止形成的第一鋁金屬層中的鋁原子向功能層中擴(kuò)散，所述第三粘附層用于提高形成的第一鋁金屬層206與擴(kuò)散阻擋層之間的粘附性。所述第二擴(kuò)散阻擋層的材料可以為TiN、TaN或其他合適的材料。所述第三粘附層的材料可以為Ti、Ta或其他合適的材料。

參考圖6，在第一鋁金屬層206上形成犧牲層210，所述犧牲層210包括位于第一鋁金屬層206上的第一粘附層207、位于第一粘附層207上的擴(kuò)散阻擋層208，以及位于擴(kuò)散阻擋層208上的第二粘附層209。

所述犧牲層210用于在后續(xù)形成第二鋁金屬層的過程中以及在進(jìn)行回流的過程中，防止第一鋁金屬層中的鋁原子和第二鋁金屬層中的鋁原子相互擴(kuò)散，從而防止第一鋁金屬層和第二鋁金屬層中的部分區(qū)域的鋁晶核尺寸生長過大，提高了第一鋁金屬層和第二鋁金屬層中的鋁晶核尺寸的均勻性。

所述犧牲層210包括位于第一鋁金屬層206上的第一粘附層207、位于第一粘附層207上的擴(kuò)散阻擋層208，以及位于擴(kuò)散阻擋層208上的第二粘附層209，所述擴(kuò)散阻擋層208用于防止后續(xù)在第一鋁金屬層上形成第二鋁金屬層時以及進(jìn)行回流工藝時，第二鋁金屬層中的鋁原子與第一鋁金屬層中鋁原子相互擴(kuò)散，從而防止第二鋁金屬層和第二鋁金屬層中產(chǎn)生較大尺寸的鋁晶粒，所述第一粘附層207用于提高第一鋁金屬層206與擴(kuò)散阻擋層208的粘附性，所述第二粘附層209用于提高所述擴(kuò)散阻擋層208與后續(xù)形成的第二鋁金屬 層的粘附性，利于后續(xù)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝。

在一實(shí)施例中，所述第一粘附層207和第二粘附層209的材料為Ti，所述擴(kuò)散阻擋層208的材料為TiN。

在另一實(shí)施例中，所述第一粘附層207和第二粘附層209的材料為Ta，所述擴(kuò)散阻擋層208的材料為TaN。

所述第一粘附層207和第二粘附層209的材料形成工藝為濺射，或者其他合適的工藝。

所述擴(kuò)散阻擋層208的形成工藝為濺射或者化學(xué)氣相沉積工藝。

研究發(fā)現(xiàn)，所述第一粘附層207和第二粘附層209不能太薄，太薄的話容易剝落，粘附性降低，太厚的話，成本增加，所述擴(kuò)散阻擋層208的厚度不能太薄，太薄的話不能有效的阻擋，所述擴(kuò)散阻擋層208的厚度也不能太厚，太厚的話增加了制作成本，并且會給后續(xù)的化學(xué)機(jī)械研磨工藝帶來難度，所述第一粘附層207和第二粘附層209的厚度為40～60埃，可以為40埃、45埃、50埃、55埃、60埃，所述擴(kuò)散阻擋層208的厚度為100～200埃，可以為100埃、120埃、140埃、160埃、180埃、200埃。

參考圖7，在所述犧牲層210上形成第二鋁金屬層211。

所述第二鋁金屬層211的厚度較厚，以提供良好的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的窗口，在一實(shí)施例中，第二鋁金屬層的厚度為1500～2000埃。

所述第二鋁金屬層211的形成工藝為濺射。

形成第二鋁金屬層211后，還包括：對所述第一鋁金屬層206和第二鋁金屬層211進(jìn)行回流工藝，進(jìn)行回流工藝的目的是：使得鋁金屬更好的填充凹槽。

在一實(shí)施例中，所述回流工藝的時間為2～5分鐘，溫度為300～500攝氏度，使用的氣體為Ar或He，腔室壓強(qiáng)為10-40mTorr。。

本發(fā)明實(shí)施例中，由于第一鋁金屬層206和第二鋁金屬層211之間具有犧牲層210，所述犧牲層210在形成第二鋁金屬層211的過程中以及在進(jìn)行回流的過程中，防止第一鋁金屬層206中的鋁原子和第二鋁金屬層211中的鋁 原子相互擴(kuò)散，從而防止第一鋁金屬層206和第二鋁金屬層211中的部分區(qū)域的鋁晶核尺寸生長過大，提高了第一鋁金屬層206和第二鋁金屬層211中的鋁晶核尺寸的均勻性。

參考圖8，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除介質(zhì)層202表面的第二鋁金屬層211(參考圖7)、犧牲層210(參考圖7)和第一鋁金屬層206(參考圖7)，在凹槽中形成金屬柵電極212。

進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝時，同時去除介質(zhì)層202表面上的高K柵介質(zhì)層204和功能層205。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。