1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有偽柵結(jié)構(gòu)；
形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和偽柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的表面與偽柵頂部表面齊平；
去除所述偽柵結(jié)構(gòu)，形成凹槽；
在所述凹槽的側(cè)壁和底部以及介質(zhì)層的表面形成高K柵介質(zhì)層；
在所述高K柵介質(zhì)層上形成第一鋁金屬層，所述第一鋁金屬層填充滿凹槽；
在第一鋁金屬層上形成犧牲層，所述犧牲層包括位于第一鋁金屬層上的第一粘附層、位于第一粘附層上的擴(kuò)散阻擋層，以及位于擴(kuò)散阻擋層上的第二粘附層；
在所述犧牲層上形成第二鋁金屬層；
采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除介質(zhì)層表面的第二鋁金屬層、犧牲層和第一鋁金屬層，在凹槽中形成金屬柵電極。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一粘附層和第二粘附層的材料為Ti，所述擴(kuò)散阻擋層的材料為TiN。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一粘附層和第二粘附層的材料為Ta，所述擴(kuò)散阻擋層的材料為TaN。
4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一粘附層和第二粘附層的材料形成工藝為濺射。
5.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層的形成工藝為濺射或者化學(xué)氣相沉積工藝。
6.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一粘附層和第二粘附層的厚度為40～60埃。
7.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層的厚度為100～200埃。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一鋁金屬層和第二鋁金屬層的形成工藝為濺射。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一鋁金屬層的厚度為500～1500埃，第二鋁金屬層的厚度為1500～2000埃。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述高K柵介質(zhì)層的材料為HfO2、TiO2、HfZrO、HfSiNO、Ta2O5、ZrO2、ZrSiO2、Al2O3、SrTiO3或BaSrTiO。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：在高K柵介質(zhì)層上形成功能層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為NMOS晶體管時，所述功能層的材料為TiAl、TiAlC、TaAl中的一種或幾種。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為PMOS晶體管時，所述功能層的材料為TiN、TiSiN中的一種或幾種。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：在所述功能層上形成第二擴(kuò)散阻擋層，在第二擴(kuò)散阻擋層上形成第三粘附層。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二擴(kuò)散阻擋層的材料為TiN或TaN。
16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第三粘附層的材料為Ti或Ta。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成第二鋁金屬層后，還包括：對所述第一鋁金屬層和第二鋁金屬層進(jìn)行回流工藝。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述回流工藝的時間為2～5分鐘，溫度為300～500攝氏度，使用的氣體為Ar或He，腔室壓強(qiáng)為10-40mTorr。