技術(shù)特征：

1.一種多層陶瓷電子組件，包括：

陶瓷主體，介電層和內(nèi)電極交替地堆疊在陶瓷主體中，其中，介電層包含含有鈣的鈦酸鋇基化合物；以及

外電極，設(shè)置在陶瓷主體的外表面上并電連接到內(nèi)電極，

其中，介電層包括鄰近于內(nèi)電極的界面部分和設(shè)置在界面部分之間的中心部分，界面部分的鈣濃度比中心部分的鈣濃度高。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，界面部分包含鈦和鈣，并且包含在界面部分中的鈦和鈣的摩爾比大于或等于100:1且小于或等于100:20。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，中心部分包含鈦和鈣，并且包含在中心部分中的鈦和鈣的摩爾比大于100:0且小于或等于100:0.2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，中心部分不包含鈣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，界面部分的厚度是介電層的厚度的20％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，包含在界面部分中的電介質(zhì)顆粒具有核-殼結(jié)構(gòu)，并且包含在界面部分中的電介質(zhì)顆粒的殼部分的鈣含量比核部分的鈣含量高。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電子組件，其中，界面部分的電介質(zhì)顆粒的殼部分包含由Ba_1-xCa_xTiO₃表示的化合物，x滿足0.01≤x≤0.2。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，內(nèi)電極包含陶瓷添加劑，陶瓷添加劑包含由Ba_1-xCa_xTiO₃表示的化合物，x滿足0.01≤x≤0.2。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多層陶瓷電子組件，其中，包含在內(nèi)電極中的陶瓷添加劑具有1nm至200nm的平均粒徑。

10.一種制造多層陶瓷電子組件的方法，所述方法包括：

制備包含鈦酸鋇基粉末的陶瓷生片；

將包含含有鈣的陶瓷添加劑的內(nèi)電極膏涂敷到陶瓷生片；

堆疊被涂敷有內(nèi)電極膏的陶瓷生片；

燒結(jié)堆疊的陶瓷生片以形成包括內(nèi)電極和介電層的陶瓷主體，

其中，介電層包括鄰近于內(nèi)電極的界面部分和設(shè)置在界面部分之間的中心部分，界面部分的鈣濃度比中心部分的鈣濃度高。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，陶瓷添加劑包含由Ba_1-xCa_xTiO₃表示的化合物，x滿足0.01≤x≤0.2。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，陶瓷添加劑具有1nm至50nm的平均粒徑。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，界面部分包含鈦和鈣，并且包含在界面部分中的鈦和鈣的摩爾比大于或等于100:1且小于或等于100:20。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，中心部分包含鈦和鈣，并且包含在中心部分中的鈦和鈣的摩爾比大于100:0且小于或等于100:0.2。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，中心部分不包含鈣。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，界面部分的厚度是介電層的厚度的20％。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，包含在界面部分中的電介質(zhì)顆粒具有核-殼結(jié)構(gòu)，并且包含在界面部分中的電介質(zhì)顆粒的殼部分的鈣含量比核部分的鈣含量高。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，包含在界面部分中的電介質(zhì)顆粒的殼部分包含由Ba_1-xCa_xTiO₃表示的化合物，x滿足0.01≤x≤0.2。