1.一種機械卡盤，包括基座和卡環(huán)，晶片放置于所述基座上；所述卡環(huán)壓住所述晶片上表面的邊緣區(qū)域；其特征在于，在所述基座的整個上表面上設(shè)置有第一絕緣層，且在所述卡環(huán)表面至少與所述晶片上表面相接觸的位置設(shè)置有第二絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機械卡盤，其特征在于，所述基座和卡環(huán)采用金屬材料制作；
所述第一絕緣層采用在所述基座的與所述晶片下表面相接觸的表面上進行氧化處理的方式獲得；
所述第二絕緣層采用在所述卡環(huán)的與所述晶片上表面相接觸的表面上進行氧化處理的方式獲得。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的機械卡盤，其特征在于，所述基座和卡環(huán)采用鋁制作，所述第一絕緣層和第二絕緣層為氧化鋁；或者，
所述基座和卡環(huán)采用銅制作，所述第一絕緣層和第二絕緣層為氧化銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機械卡盤，其特征在于，所述第一絕緣層及所述第二絕緣層均采用陶瓷材料制作。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機械卡盤，其特征在于，在所述卡環(huán)上還設(shè)置有用于增加所述卡環(huán)重量的配重件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的機械卡盤，其特征在于，所述配重件所采用的材料包括銅和/或不銹鋼。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機械卡盤，其特征在于，所述第一絕緣層和第二絕緣層各自厚度的取值范圍在50～100um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項所述的機械卡盤，其特征在于，在所述卡環(huán)和基座之間還設(shè)置有等電位環(huán)，且在所述等電位環(huán)上設(shè)置有誘電線圈，所述誘電線圈用于在所述卡環(huán)壓住所述晶片時，使所述基座與所述卡環(huán)電連接。
9.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室和機械卡盤，所述機械卡盤用于將晶片固定在所述反應(yīng)腔室內(nèi)，其特征在于，所述機械卡盤采用權(quán)利要求1-8任意一項所述的機械卡盤。