本發(fā)明與半導(dǎo)體封裝有關(guān)，特別是關(guān)于一種能夠有效提高電性連接的可靠度的半導(dǎo)體封裝裝置。

背景技術(shù)：

近年來，隨著集成電路技術(shù)的進(jìn)步，相關(guān)的電子產(chǎn)品也越來越多樣化，其中的功率半導(dǎo)體元件(例如功率晶體管)由于具有高集成密度、相當(dāng)?shù)偷撵o態(tài)漏電流以及不斷提升的功率容量，因此目前已被廣泛地應(yīng)用于開關(guān)電源及變頻器等領(lǐng)域。

舉例而言，功率晶體管可應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換器上。電源轉(zhuǎn)換器可通過控制各個(gè)功率晶體管的開啟或關(guān)閉的方式將輸入電壓轉(zhuǎn)換為不同的輸出電壓，例如可將原本較高的輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓，由以達(dá)到降壓的目的。

在現(xiàn)有的電路結(jié)構(gòu)中，無論是功率晶體管彼此之間或是功率晶體管本身與其他元件之間均會(huì)有電性連接的需求。然而，目前現(xiàn)有的電源模塊封裝結(jié)構(gòu)大多采用單一個(gè)L型的連接片的電性連接方式，由于其需連接各功率晶體管，導(dǎo)致其長度過長，容易于遠(yuǎn)端產(chǎn)生翹起的現(xiàn)象，使得電性連接的可靠度變差，并且由于其需要連接的點(diǎn)過多，亦容易不平整而導(dǎo)致開路或電性連接不良的問題產(chǎn)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種能夠有效提高電性連接的可靠度的半導(dǎo)體封裝裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所述及的各種問題。

根據(jù)本發(fā)明的一較佳具體實(shí)施例為一種半導(dǎo)體封裝裝置。于此實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝裝置包括導(dǎo)線架、第一半導(dǎo)體芯片、第二半導(dǎo)體芯片、第一 連接元件及第二連接元件。導(dǎo)線架包括電源輸入板、接地板、相位板及相位偵測(cè)板。第一半導(dǎo)體芯片具有第一電極與第二電極。第一半導(dǎo)體芯片的第二電極設(shè)置于電源輸入板。第二半導(dǎo)體芯片具有第一電極與第二電極。第二半導(dǎo)體芯片的第一電極設(shè)置于接地板。第一連接元件設(shè)置于第一半導(dǎo)體芯片及第二半導(dǎo)體芯片上，且第一連接元件電性連接第一半導(dǎo)體芯片的第一電極與第二半導(dǎo)體芯片的第二電極。第二連接元件設(shè)置于第二半導(dǎo)體芯片及相位板上，且第二連接元件電性連接第二半導(dǎo)體芯片的第二電極與相位板。其中，第一連接元件電性連接相位偵測(cè)板。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝裝置還包括一第三連接元件，其設(shè)置于第一半導(dǎo)體芯片及相位偵測(cè)板上，且第三連接元件電性連接第一半導(dǎo)體芯片的第一電極與相位偵測(cè)板。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第三連接元件為接合導(dǎo)線(Bonding wire)或連接片(Clip)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一連接元件為連接片。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二連接元件為連接片或軟性排線(Ribbon cable)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體芯片的第二電極面向電源輸入板。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體芯片的第一電極面向接地板。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一連接元件與第二連接元件彼此分離。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一連接元件與第二連接元件至少部分相互重疊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一連接元件的俯視形狀與第二連接元件的俯視形狀互補(bǔ)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體芯片為橫向雙擴(kuò)散金氧半場(chǎng)效晶體管(Lateral double-diffused MOS,LDMOS)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片為垂直型金氧半場(chǎng)效晶體管，且第二半導(dǎo)體芯片為倒置放置(Flip chip)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體芯片及第二半導(dǎo)體芯片的第一電極與第二電極分別為源極(Source electrode)與汲極(Drain electrode)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝裝置還包括封裝材料層，包覆第一半導(dǎo)體芯片及第二半導(dǎo)體芯片。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一連接元件與第二連接元件至少部份露出于封裝材料層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一連接元件及第二連接元件均為銅片。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二連接元件的側(cè)視形狀為Z形。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第三連接元件的側(cè)視形狀為Z形。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一連接元件電性連接至第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片的連接處為凹凸不平狀。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二連接元件電性連接至第二半導(dǎo)體芯片的連接處為凹凸不平狀。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一連接元件電性連接至第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片的連接處具有凹陷部，其大致對(duì)應(yīng)于設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電粘著層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二連接元件電性連接至第二半導(dǎo)體芯片的連接處具有凹陷部，其大致對(duì)應(yīng)于設(shè)置在第二半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電粘著層。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明所公開的半導(dǎo)體封裝裝置采用兩個(gè)彼此分離的連接元件來取代傳統(tǒng)的單一個(gè)L型連接片進(jìn)行電性連接，由于每個(gè)連接元件不需連接多個(gè)功率晶體管，故其長度較短，不易于遠(yuǎn)端產(chǎn)生翹起的現(xiàn)象，大幅提升其電性連接的可靠度，并且由于其需要電性連接的點(diǎn)較少，亦可有效改善現(xiàn)有技術(shù)中由于不平整而導(dǎo)致開路或電性連接不良的現(xiàn)象。此外，由于本發(fā)明的各連接元件的總面積與傳統(tǒng)的單一個(gè)L型連接片的總面積相仿，故不致于影響整個(gè)半導(dǎo)體封裝裝置的散熱效果，亦不會(huì)增加制程上的成本。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明具體實(shí)施方式及附圖得到進(jìn)一步的了解。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的電源轉(zhuǎn)換器的電路示意圖。

圖2為根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面示意圖。

圖3為圖2的半導(dǎo)體封裝裝置的俯視示意圖。

圖4至圖5分別為根據(jù)本發(fā)明的不同具體實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的俯視示意圖。

圖6至圖9分別為根據(jù)本發(fā)明的不同具體實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面示意圖。

主要組件符號(hào)說明

1：電源轉(zhuǎn)換器

OS：輸出級(jí)

2～4、8～9：半導(dǎo)體封裝裝置

110：引線框架

120：第一連接元件

130：第二連接元件

140：導(dǎo)電粘著層

150：封裝材料層

160：第三連接元件

PI：電源輸入板

GND：接地板

PH：相位板

PD：相位偵測(cè)板

Q1：高側(cè)N型晶體管

Q2：低側(cè)N型晶體管

D1～D2：汲極

S1～S2：源極

G1～G2：閘極

V_IN：輸入電壓

V_OUT：輸出電壓

SD1～SD2：驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)

I_L：電感電流

PO：輸出端

L：電感

C：電容

120A、120B、130A、160A：凹凸不平的連接處

120C、120D、130C、160C：凹陷部

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例，并在附圖中說明所述示范性實(shí)施例的實(shí)例。為簡(jiǎn)化附圖起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示。另外，在附圖及具體實(shí)施方式中所使用相同或類似標(biāo)號(hào)的元件/構(gòu)件是用來代表相同或類似部分。在下述諸實(shí)施例中，當(dāng)元件被指為“連接”或“耦接”至另一元件時(shí)，其可為直接連接或耦接至另一元件，或可能存在介于其間的元件或特定材料(例如：膠體或焊料)。

根據(jù)本發(fā)明的一較佳具體實(shí)施例為一種半導(dǎo)體封裝裝置。于此實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝裝置可應(yīng)用于電源模塊、半橋式模塊或電源轉(zhuǎn)換器的輸出級(jí)的封裝上，但不以此為限。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為電源轉(zhuǎn)換器的電路圖。如圖1所示，此電源轉(zhuǎn)換器1可為直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converter)，但不以此為限。電源轉(zhuǎn)換器1的輸出級(jí)OS包括高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶體管Q2，并通過高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶體管Q2將輸入電壓V_IN轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓V_OUT。

需說明的是，雖然此實(shí)施例所采用的高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶 體管Q2均為功率晶體管，但于其他實(shí)施例中，亦可采用其他類型的晶體管或半導(dǎo)體芯片，并不以此例為限。

于一實(shí)施例中，一驅(qū)動(dòng)芯片(未繪示)可通過驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SD1及SD2分別控制高側(cè)N型晶體管Q1的閘極G1及低側(cè)N型晶體管Q2的閘極G2的開啟或關(guān)閉，以將輸入電壓V_IN轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓V_OUT。在其他實(shí)施例中，高側(cè)N型晶體管Q1、低側(cè)N型晶體管Q2及驅(qū)動(dòng)芯片亦可整合成單顆封裝體，本領(lǐng)域稱之為DrMOS封裝體。于實(shí)際應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)芯片可與脈寬調(diào)變(Pulse-width modulation,PWM)控制芯片整合為一控制器，但不以此為限。

于一實(shí)施例中，高側(cè)N型晶體管Q1的汲極D1電性連接至引線框架的電源輸入板PI，以接收輸入電壓V_IN。低側(cè)N型晶體管Q2的源極S2電性連接至引線框架的接地板GND。高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2電性連接至引線框架的相位板PH。輸出電感L電性連接于相位板PH與輸出端PO之間，電源轉(zhuǎn)換器1的輸出級(jí)OS所輸出的輸出電流I_L流經(jīng)輸出電感L后于輸出端PO形成輸出電壓V_OUT。在其他實(shí)施例中，相位板PH亦可稱之為輸出板，本發(fā)明并不以此為限。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2除了會(huì)電性連接至引線框架的相位板PH之外，亦會(huì)電性連接至引線框架的相位偵測(cè)板PD，使得相關(guān)應(yīng)用可以從相位偵測(cè)板PD取得許多相關(guān)資信。例如：可從相位偵測(cè)板PD取得輸入電壓資信、保護(hù)電路參數(shù)值、或負(fù)載電流感測(cè)等相關(guān)資訊。

請(qǐng)參照?qǐng)D2及圖3，圖2為根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面示意圖。圖3為圖2的半導(dǎo)體封裝裝置的俯視示意圖。如圖2及圖3所示，半導(dǎo)體封裝裝置2包括引線框架110、高側(cè)N型晶體管Q1、低側(cè)N型晶體管Q2、第一連接元件120、第二連接元件130及第三連接元件160。引線框架110包括電源輸入板PI、接地板GND、相位板PH及相位偵測(cè)板PD。

接下來，將分別就半導(dǎo)體封裝裝置2中的各元件進(jìn)行詳細(xì)說明。

高側(cè)N型晶體管Q1設(shè)置于電源輸入板PI上，且高側(cè)N型晶體管Q1的汲極D1面向電源輸入板PI并可通過導(dǎo)電粘著層140與電源輸入板PI形成電性連接，以從電源輸入板PI取得輸入電壓V_IN。由此，高側(cè)N型晶體管Q1在運(yùn)作過程中所產(chǎn)生的大量熱能可通過電源輸入板PI進(jìn)行散熱。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電粘著層140可以是焊錫，但不以此為限。

于實(shí)際應(yīng)用中，高側(cè)N型晶體管Q1的汲極D1亦可通過熱壓法或其他方式與電源輸入板PI形成電性連接，并無特定的限制。于一實(shí)施例中，高側(cè)N型晶體管Q1可以是一具有垂直型式的晶體管，例如溝渠式(Trench-type)晶體管，但不以此為限。

低側(cè)N型晶體管Q2設(shè)置于接地板GND上，且低側(cè)N型晶體管Q2的源極S2面向接地板GND并可通過導(dǎo)電粘著層140與接地板GND形成電性連接。由此，低側(cè)N型晶體管Q2在運(yùn)作過程中產(chǎn)生的大量熱能可通過接地板GND進(jìn)行散熱。

于實(shí)際應(yīng)用中，低側(cè)N型晶體管Q2的源極S2亦可通過熱壓法或其他方式與接地板GND形成電性連接，并無特定的限制。于一實(shí)施例中，低側(cè)N型晶體管Q2可以是一具有水平型式的晶體管，例如橫向雙擴(kuò)散金氧半場(chǎng)效晶體管(Lateral double-diffused MOS,LDMOS)，但不以此為限。在其他實(shí)施例中，低側(cè)N型晶體管Q2也可以是一具有垂直型式的晶體管，且低側(cè)N型晶體管Q2為倒置放置，但不以此為限。

第一連接元件120設(shè)置于高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶體管Q2上，使得高側(cè)N型晶體管Q1可通過第一連接元件120與低側(cè)N型晶體管Q2形成電性連接。

于一實(shí)施例中，第一連接元件120可通過導(dǎo)電粘著層140與高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1形成電性連接至并可通過導(dǎo)電粘著層140與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2形成電性連接，使得高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1能夠通過第一連接元件120與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2形成電性連接。

于實(shí)際應(yīng)用中，第一連接元件120亦可通過熱壓法或其他方式分別與高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1及低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2形成電性連接。于一實(shí)施例中，第一連接元件120可以是連接片(Clip)，例如銅片(或稱銅薄板)或銅箔，但不以此為限。

第二連接元件130設(shè)置于低側(cè)N型晶體管Q2及相位板PH上，使得低側(cè)N型晶體管Q2可通過第二連接元件130與相位板PH形成電性連接。

于一實(shí)施例中，第二連接元件130可通過導(dǎo)電粘著層140與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2形成電性連接并可通過導(dǎo)電粘著層140與相位板PH形成電性連接，使得低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2能夠通過第二連接元件130與相位板PH形成電性連接。

于實(shí)際應(yīng)用中，第二連接元件130亦可通過熱壓法或其他方式分別與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2及相位板PH形成電性連接。于一實(shí)施例中，第二連接元件130可以是一連接片，例如銅片(或稱銅薄板)或銅箔；于另一實(shí)施例中，第二連接元件130亦可以是一軟性排線(Ribbon cable)，但不以此為限。

需說明的是，雖然第一連接元件120與第二連接元件130均設(shè)置于低側(cè)N型晶體管Q2上并均與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2形成電性連接，但第一連接元件120與第二連接元件130彼此分離不相連。于一實(shí)施例中，第一連接元件120與第二連接元件130的厚度可以是25微米至75微米，但不以此為限。

于一實(shí)施例中，第二連接元件130的側(cè)視形狀可以是Z形，以便于粘接或電性連接相位板PH，但不以此為限。也就是說，通過此技術(shù)特征，第二連接元件130即能具有足夠的面積來與相位板PH粘著，故能有效避免連接效果不佳而脫落的情事發(fā)生。

值得注意的是，相較于現(xiàn)有技術(shù)中的單一連接片需至少連接三點(diǎn)(例如連接高側(cè)N型晶體管、低側(cè)N型晶體管及相位板)，此實(shí)施例中的第一連接元件120與第二連接元件130均采用雙點(diǎn)連接的方式進(jìn)行元件之間的電性連 接，可避免現(xiàn)有技術(shù)中的單一連接片連接三點(diǎn)時(shí)所發(fā)生的翹曲、連接不良或脫落等現(xiàn)象，故本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝裝置2可具有較佳的電性連接可靠度。此外，相較于傳統(tǒng)的打線連接方式需占用較大的空間，本發(fā)明的第一連接元件120及第二連接元件130所需占用的空間較小，亦可縮短高側(cè)N型晶體管Q1與低側(cè)N型晶體管Q2之間的距離。

第三連接元件160設(shè)置于高側(cè)N型晶體管Q1及相位偵測(cè)板PD上，使得高側(cè)N型晶體管Q1可通過第三連接元件160與相位偵測(cè)板PD形成電性連接。

于一實(shí)施例中，第三連接元件160可通過導(dǎo)電粘著層140與高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1形成電性連接并可通過導(dǎo)電粘著層140與相位偵測(cè)板PD形成電性連接，使得高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1能夠通過第一連接元件120與相位偵測(cè)板PD形成電性連接。

于實(shí)際應(yīng)用中，第三連接元件160亦可通過熱壓法或其他方式分別與高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1及相位偵測(cè)板PD形成電性連接。于一實(shí)施例中，第三連接元件160可以是連接片(Clip)；于另一實(shí)施例中，第三連接元件160可以是接合導(dǎo)線(Bonding wire)；于又一實(shí)施例中，第三連接元件160亦可以是軟性排線(Ribbon cable)，但不以此為限。

于一實(shí)施例中，第三連接元件160的側(cè)視形狀可以是Z形，以便于粘接或電性連接相位偵測(cè)板PD，但不以此為限。也就是說，第三連接元件160具有足夠的面積與相位偵測(cè)板PD粘著，故能有效避免連接效果不佳而脫落的情事發(fā)生。

于一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝裝置2還包括封裝材料層150來包覆高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶體管Q2，以阻隔水氣或其他物質(zhì)對(duì)高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶體管Q2造成腐蝕或損壞。此外，第一連接片120與第二連接片130至少部份露出于封裝材料層150。在其他實(shí)施例中，封裝材料層150也可露出第一連接片120的一部分、第二連接片130的一部分、第三連接片160的一部分或其組合，以協(xié)助高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶 體管Q2進(jìn)行散熱，但不以此為限。

請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的俯視示意圖。圖4所示的半導(dǎo)體封裝裝置3的主要技術(shù)特征在于：第一連接片120的俯視形狀與第二連接片130的俯視形狀彼此互補(bǔ)。由此，第一連接片120與第二連接片130具有相互對(duì)應(yīng)的俯視形狀，所以在進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的制程時(shí)，第一連接片120可較容易被準(zhǔn)確設(shè)置在高側(cè)N型晶體管Q1與低側(cè)N型晶體管Q2上，并且第二連接片130可較容易被準(zhǔn)確設(shè)置在低側(cè)N型晶體管Q2與相位板PH上。

請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5為本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的俯視示意圖。于圖5的半導(dǎo)體封裝裝置4中，第一連接片120的俯視形狀亦與第二連接片130的俯視形狀彼此互補(bǔ)，所以在進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的制程時(shí)，第一連接片120可較容易被準(zhǔn)確設(shè)置在高側(cè)N型晶體管Q1與低側(cè)N型晶體管Q2上，并且第二連接片130可較容易被準(zhǔn)確設(shè)置在低側(cè)N型晶體管Q2與相位板PH上。

請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6為本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面示意圖。比較圖6與圖2可知，圖6與圖2的差異之處在于：圖6中的第一連接片120與第二連接片130至少部分相互重疊，且第一連接片120位于第二連接片130的上方。因此，此實(shí)施例中的高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1通過彼此堆疊的第一連接片120與第二連接片130來與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2形成電性連接，但不以此為限。

請(qǐng)參照?qǐng)D7，圖7為本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面示意圖。比較圖7與圖2可知，圖7與圖2的差異之處在于：圖7中的第一連接片120與第二連接片130至少部分相互重疊，且第一連接片120位于第二連接片130的下方。因此，此實(shí)施例中的低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2通過彼此堆疊的第一連接片120與第二連接片130來與相位板PH形成電性連接，但不以此為限。

需說明的是，當(dāng)上述的第一連接元件、第二連接元件及/或第三連接元 件為連接片(Clip)時(shí)，為了使得第一連接元件、第二連接元件及/或第三連接元件能更緊密貼附于高側(cè)N型晶體管或低側(cè)N型晶體管上，本發(fā)明進(jìn)一步提出下列兩種不同的連接元件的設(shè)計(jì)：

(1)假設(shè)第一連接元件、第二連接元件及第三連接元件均為連接片，如圖8所示，第一連接片120電性連接至高側(cè)N型晶體管Q1的連接處120A為凹凸不平狀，以通過高側(cè)N型晶體管Q1上的導(dǎo)電粘著層140(例如焊錫)來與高側(cè)N型晶體管Q1形成更緊密的結(jié)合。

同理，第一連接片120電性連接至低側(cè)N型晶體管Q2的連接處120B亦為凹凸不平狀，以通過低側(cè)N型晶體管Q2上的導(dǎo)電粘著層140來與低側(cè)N型晶體管Q2形成更緊密的結(jié)合；第二連接片130電性連接至低側(cè)N型晶體管Q2的連接處130A亦為凹凸不平狀，以通過低側(cè)N型晶體管Q2上的導(dǎo)電粘著層140來與低側(cè)N型晶體管Q2形成更緊密的結(jié)合；第三連接片160電性連接至高側(cè)N型晶體管Q1的連接處160A亦為凹凸不平狀，以通過高側(cè)N型晶體管Q1上的導(dǎo)電粘著層140來與高側(cè)N型晶體管Q1形成更緊密的結(jié)合。

(2)假設(shè)第一連接元件、第二連接元件及第三連接元件均為連接片，如圖9所示，第一連接片120電性連接至高側(cè)N型晶體管Q1的連接處具有凹陷部120C，其大致對(duì)應(yīng)于高側(cè)N型晶體管Q1上的導(dǎo)電粘著層140(例如焊錫)，使得導(dǎo)電粘著層140能容置于凹陷部120C內(nèi)，以與高側(cè)N型晶體管Q1形成更緊密的結(jié)合。

同理，第一連接片120電性連接至低側(cè)N型晶體管Q2的連接處亦具有凹陷部120D，其大致對(duì)應(yīng)于低側(cè)N型晶體管Q2上的導(dǎo)電粘著層140，使得導(dǎo)電粘著層140能容置于凹陷部120D內(nèi)，以與低側(cè)N型晶體管Q2形成更緊密的結(jié)合；第二連接片130電性連接至低側(cè)N型晶體管Q2的連接處亦具有凹陷部130C，其大致對(duì)應(yīng)于低側(cè)N型晶體管Q2上的導(dǎo)電粘著層140，使得導(dǎo)電粘著層140能容置于凹陷部130C內(nèi)，以與低側(cè)N型晶體管Q2形成更緊密的結(jié)合；第三連接片160電性連接至高側(cè)N型晶體管Q1的連接處亦 具有凹陷部160C，其大致對(duì)應(yīng)于高側(cè)N型晶體管Q1上的導(dǎo)電粘著層140，使得導(dǎo)電粘著層140能容置于凹陷部160C內(nèi)，以與高側(cè)N型晶體管Q1形成更緊密的結(jié)合。

于實(shí)際應(yīng)用中，第一連接元件120、第二連接元件130及第三連接元件160并不一定均為連接片，并且連接元件的設(shè)計(jì)亦不以上述的凹凸不平狀或凹陷部為限，只要能夠讓連接片更緊密貼附于芯片上即可。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明所公開的半導(dǎo)體封裝裝置采用兩個(gè)彼此分離的連接元件來取代傳統(tǒng)的單一個(gè)L型連接片進(jìn)行電性連接，由于每個(gè)連接元件不需連接多個(gè)功率晶體管，故其長度較短，不易于遠(yuǎn)端產(chǎn)生翹起的現(xiàn)象，大幅提升其電性連接的可靠度，并且由于其需要電性連接的點(diǎn)較少，亦可有效改善現(xiàn)有技術(shù)中由于不平整而導(dǎo)致開路或電性連接不良的現(xiàn)象。此外，由于本發(fā)明的各連接元件的總面積與傳統(tǒng)的單一個(gè)L型連接片的總面積相仿，故不致于影響整個(gè)半導(dǎo)體封裝裝置的散熱效果，亦不會(huì)增加制程上的成本。

通過以上較佳具體實(shí)施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所公開的較佳具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的權(quán)利要求的范疇內(nèi)。