1.一種半導體封裝裝置，其特征在于，上述半導體封裝裝置包括：
一導線架，包括一電源輸入板、一接地板、一相位板及一相位偵測板；
一第一半導體芯片，具有一第一電極與一第二電極，且上述第一半導體芯片的第二電極設(shè)置于上述電源輸入板；
一第二半導體芯片，具有一第一電極與一第二電極，且上述第二半導體芯片的第一電極設(shè)置于上述接地板；
一第一連接元件，設(shè)置于上述第一半導體芯片及上述第二半導體芯片上，且上述第一連接元件電性連接上述第一半導體芯片的第一電極與上述第二半導體芯片的第二電極；以及
一第二連接元件，設(shè)置于上述第二半導體芯片及上述相位板上，且上述第二連接元件電性連接上述第二半導體芯片的第二電極與上述相位板，
其中上述第一連接元件電性連接上述相位偵測板。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，還包括一第三連接元件，其設(shè)置于上述第一半導體芯片及上述相位偵測板上，且上述第三連接元件電性連接上述第一半導體芯片的第一電極與上述相位偵測板。
3.如權(quán)利要求2所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第三連接元件為一接合導線或一連接片。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一連接元件為一連接片。
5.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第二連接元件為一連接片或一軟性排線。
6.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一半 導體芯片的第二電極面向上述電源輸入板。
7.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第二半導體芯片的第一電極面向上述接地板。
8.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一連接元件與上述第二連接元件彼此分離。
9.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一連接元件與上述第二連接元件至少部分相互重疊。
10.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一連接元件的俯視形狀與上述第二連接元件的俯視形狀互補。
11.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第二半導體芯片為一橫向雙擴散金氧半場效晶體管。
12.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一半導體芯片與上述第二半導體芯片為垂直型金氧半場效晶體管，且上述第二半導體芯片為倒置放置。
13.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一半導體芯片及上述第二半導體芯片的第一電極與第二電極分別為源極與汲極。
14.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述半導體封裝裝置還包括：
一封裝材料層，包覆上述第一半導體芯片及上述第二半導體芯片。
15.如權(quán)利要求14所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一連接元件與上述第二連接元件至少部份露出于上述封裝材料層。
16.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一連接元件及上述第二連接元件均為銅片。
17.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第二連接元件的一側(cè)視形狀為Z形。
18.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第三連接元件的一側(cè)視形狀為Z形。
19.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一連接元件電性連接至上述第一半導體芯片與上述第二半導體芯片的連接處為凹凸不平狀。
20.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第二連接元件電性連接至上述第二半導體芯片的連接處為凹凸不平狀。
21.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第一連接元件電性連接至上述第一半導體芯片與上述第二半導體芯片的連接處具有一凹陷部，其大致對應于設(shè)置在上述第一半導體芯片與上述第二半導體芯片上的導電粘著層。
22.如權(quán)利要求1所述的半導體封裝裝置，其特征在于，上述第二連接元件電性連接至上述第二半導體芯片的連接處具有一凹陷部，其大致對應于設(shè)置在上述第二半導體芯片上的導電粘著層。