技術(shù)總結(jié)
提供一種三維半導(dǎo)體集成電路器件及其制造方法。有源柱被形成在半導(dǎo)體襯底上，并且層間絕緣層被形成，使得有源柱被掩埋在層間絕緣層中。層間絕緣層被刻蝕以形成孔，使得有源柱和有源柱的外圍區(qū)域被暴露。對透過孔而被暴露的有源柱的外圍區(qū)域執(zhí)行刻蝕工藝特定深度，而具有該深度的空間被提供在有源柱與層間絕緣層之間。硅材料層被形成為被掩埋在具有該深度的空間中，并且歐姆接觸層被形成在硅材料層和有源柱上。

技術(shù)研發(fā)人員：金鎮(zhèn)河;崔康植;蔡洙振;李泳昊;金俊官
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201510208365
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.28
技術(shù)公布日：2016.11.23