本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體基板，尤其涉及一種應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體基板。

背景技術(shù)：

隨著科技發(fā)展，能源需求與日俱增。然而地球蘊(yùn)含的能源有限，因此各國(guó)皆競(jìng)相致力于替代能源的開發(fā)。于其中，以符合環(huán)保訴求的太陽(yáng)能發(fā)電最為活躍。

太陽(yáng)能電池是一種可將太陽(yáng)光能量轉(zhuǎn)換為電能的光電元件。目前，最簡(jiǎn)易的太陽(yáng)能電池的構(gòu)造可僅由彼此形成一PN接面的P型半導(dǎo)體層與N型半導(dǎo)體層所構(gòu)成。當(dāng)太陽(yáng)能電池照射到太陽(yáng)光時(shí)，半導(dǎo)體層中的價(jià)帶電子可因太陽(yáng)光的能量被激發(fā)，形成受激電子電洞對(duì)，受激電子便會(huì)受到內(nèi)建電場(chǎng)的影響而朝向N型半導(dǎo)體層移動(dòng)，而受激電洞則朝P型半導(dǎo)體層移動(dòng)。因此當(dāng)此受光的P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層分別接上外部電路而形成回路時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生電流及電壓。而此將光能轉(zhuǎn)換為電能的反應(yīng)即可稱的為光伏效應(yīng)(Photovoltaic Effect)。

在太陽(yáng)能電池中，硅(Silicon)乃為最主要的原料。其中，硅通?？蓞^(qū)分為單晶硅(Single Crystalline Silicon)、多晶硅(Polycrystalline Silicon)與非晶硅(Amorphous Silicon)等三種類型。就轉(zhuǎn)換效率方面而言，單晶硅最高，多晶硅次之，非晶硅最低。然而，就生產(chǎn)成本而言，非晶硅的生產(chǎn)成本最低。因此，目前太陽(yáng)能電池是以單晶硅和非晶硅為主要材料。

近年來，發(fā)展出一種以低溫工藝制備的異質(zhì)接面薄本質(zhì)層(Heterojunction With Intrinsic Thin-Layer，簡(jiǎn)稱HIT)太陽(yáng)能電池。HIT太陽(yáng)能電池是通過在單晶硅基板與非晶硅層之間夾設(shè)置本質(zhì)非晶硅層，來降低異質(zhì)接合界面上的缺陷并改善其特性。

一般而言，在HIT太陽(yáng)能電池中會(huì)有兩種不同的摻雜層，以分別形成射 極與背電場(chǎng)。例如，結(jié)晶硅晶圓為N型時(shí)，通常會(huì)在其一側(cè)形成P型摻雜層來形成射極，在其另一側(cè)形成N型摻雜層來形成背電場(chǎng)，并接續(xù)在此些摻雜層上覆蓋上透明導(dǎo)電氧化物(Transparent Conductive Oxides，簡(jiǎn)稱TCO)層。然而，現(xiàn)有摻雜層多是使用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱CVD)法成長(zhǎng)的非晶硅或微晶硅，而TCO層則多是使用物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱PVD)法成長(zhǎng)的氧化銦錫(Indium Tin Oxide，簡(jiǎn)稱ITO)。因此，在此工藝銜接的過程中，必然會(huì)使得摻雜層因暴露于大氣之中而致使其表面被氧化或受水氣影響，進(jìn)而影響后續(xù)的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體基板，包含半導(dǎo)體本體、第一緩沖層、第一非晶硅層、第二緩沖層、第二非晶硅層與第一保護(hù)層。其中，半導(dǎo)體本體具有第一表面與相對(duì)于第一表面的第二表面。第一緩沖層設(shè)置于半導(dǎo)體本體的第一表面上。第一非晶硅層摻雜有第一型摻質(zhì)且設(shè)置于第一緩沖層上。第二緩沖層設(shè)置于半導(dǎo)體本體的第二表面上。第二非晶硅層摻雜有第二型摻質(zhì)且設(shè)置于第二緩沖層上。第一保護(hù)層設(shè)置于第一非晶硅層上。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，第一保護(hù)層的厚度不大于10納米(nm)。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，第一保護(hù)層的厚度不大于5納米(nm)。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，第一保護(hù)層的厚度介于2至3納米(nm)之間。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，第一保護(hù)層為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，第一保護(hù)層為疏水性保護(hù)層。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，更包含第二保護(hù)層設(shè)置于第二非晶硅層上。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，上述第二保護(hù)層的厚度不大于10納米(nm)。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，上述第二保護(hù)層的厚度不大于 5納米(nm)。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，上述第二保護(hù)層的厚度介于2至3納米(nm)之間。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，上述第二保護(hù)層為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝恍蛽劫|(zhì)為P型時(shí)，第二型摻質(zhì)是為N型，而當(dāng)?shù)谝恍蛽劫|(zhì)為N型時(shí)，第二型摻質(zhì)是為P型。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的其中一概念中，前述第二保護(hù)層為疏水性保護(hù)層。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的半導(dǎo)體基板，通過形成適當(dāng)厚度的保護(hù)層于摻雜有摻質(zhì)的非晶硅層上，來保護(hù)非晶硅層的表面于工藝銜接過程中不被氧化或受水氣影響，即可改善后續(xù)制成太陽(yáng)能電池時(shí)其太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的第一實(shí)施例的側(cè)面剖視圖；

圖2為本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的第一實(shí)施例的工藝流程圖；

圖3為本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的第二實(shí)施例的側(cè)面剖視圖；

圖4為本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的第二實(shí)施例的工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

在本發(fā)明的附圖中，為了方便顯示及說明，各結(jié)構(gòu)的比例關(guān)系、紋理可能與實(shí)際結(jié)構(gòu)的比例、紋理不符，于此僅作為參考而非用以限制本發(fā)明。

圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。請(qǐng)參閱圖1，揭露一半導(dǎo)體基板100。在第一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板100包含半導(dǎo)體本體110、第一緩沖層120、第一非晶硅層140、第二緩沖層130、第二非晶硅層150以及第一保護(hù)層160。

半導(dǎo)體本體110具有第一表面111與相對(duì)于第一表面111的第二表面112。于此，半導(dǎo)體本體110的第一表面111與第二表面112可為粗糙化表面，以提 升半導(dǎo)體本體110的入光量。本實(shí)施例中的半導(dǎo)體本體110是摻雜有N型摻質(zhì)的單晶硅晶圓，然本發(fā)明并非以此為限，半導(dǎo)體本體110亦可為摻雜有P型摻質(zhì)的單晶硅晶圓。

第一緩沖層120與第一非晶硅層140依序疊設(shè)于半導(dǎo)體本體110的第一表面111上，且第二緩沖層130與第二非晶硅層150亦依序疊設(shè)于半導(dǎo)體本體110的第二表面112上。換言之，第一緩沖層120形成于半導(dǎo)體本體110的第一表面111上后，第一非晶硅層140才接續(xù)形成于第一緩沖層120之上，且第二緩沖層130形成于半導(dǎo)體本體110的第二表面112上后，第二非晶硅層150才接續(xù)形成于第二緩沖層130之上。其中，第一非晶硅層140摻雜有第一型摻質(zhì)，而第二非晶硅層150則摻雜有第二型摻質(zhì)。

在本實(shí)施例中，第一型摻質(zhì)可為P型摻質(zhì)，而第二型摻質(zhì)則為N型摻質(zhì)，但本發(fā)明并不以此為限，亦即第一型摻質(zhì)可為N型摻質(zhì)，而第二型摻質(zhì)則為P型摻質(zhì)。

此外，在本實(shí)施例中，第一緩沖層120是本質(zhì)半導(dǎo)體層，通過將第一緩沖層120設(shè)置于半導(dǎo)體本體110與第一非晶硅層140之間的技術(shù)手段來改善異質(zhì)接合介面的特性，進(jìn)而獲得較佳的轉(zhuǎn)換效率。同理，第二緩沖層130亦可為本質(zhì)半導(dǎo)體層，將第二緩沖層130設(shè)置于半導(dǎo)體本體110與第二非晶硅層150之間來改善異質(zhì)接合介面的特性，進(jìn)而獲得較佳的轉(zhuǎn)換效率。

第一保護(hù)層160可為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。于此，第一保護(hù)層160可設(shè)置于第一非晶硅層140上，然本發(fā)明不以此為限，亦即第一保護(hù)層160亦可設(shè)置于第二非晶硅層150上，此皆端視設(shè)計(jì)的需求。

圖2為本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的第一實(shí)施例的工藝流程圖。請(qǐng)搭配參閱圖2，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的第一實(shí)施例的工藝可包含下列的步驟。

步驟S01：形成第一緩沖層120于半導(dǎo)體本體110的第一表面111上。

一般而言，于形成第一緩沖層120于半導(dǎo)體本體110的上前，可先進(jìn)行一些前置程序，以增加后續(xù)的轉(zhuǎn)換效率。在本實(shí)施例中，前置程序可包含下列的步驟。

首先，為了避免半導(dǎo)體本體110于晶圓的處理過程中，例如：搬運(yùn)、保管等，因受到污染而影響到元件特性，而可先對(duì)半導(dǎo)體本體110進(jìn)行清潔。于此，可采用廣受業(yè)界使用的RCA清洗法來進(jìn)行清潔。

于清潔完畢后，更可對(duì)半導(dǎo)體本體110進(jìn)行一些加工程序。例如：表面粗糙化，通過方向性蝕刻半導(dǎo)體本體110，以使半導(dǎo)體本體110的表面出現(xiàn)金字塔狀的抗反射結(jié)構(gòu)，以降低入射光的反射率。接續(xù)，可再次利用RCA清洗法對(duì)已具有金字塔狀的抗反射結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體本體110進(jìn)行清潔程序。

此外，由于在工藝中，半導(dǎo)體本體110的表面易受到氧化而出現(xiàn)氧化層，因此，可將具有金字塔狀的抗反射結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體本體110浸入稀釋氫氟酸溶液中，以去除掉半導(dǎo)體本體110的表面氧化層。

因此，在步驟S01中，第一緩沖層120可形成于已去除表面氧化層的半導(dǎo)體本體110的第一表面111上。在本實(shí)施例中，第一緩沖層120為本質(zhì)非晶硅(Intrinsic amorphous silicon)層，第一緩沖層120可以通過化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱CVD)法沉積在半導(dǎo)體本體110的第一表面111上。而在另一實(shí)施例中，第一緩沖層120可為具有1×10¹⁴至1×10¹⁶原子/公分³(atom/cm³)微摻雜的非晶硅(Lightly doped amorphous silicon)層。

步驟S02：形成第一非晶硅層140于第一緩沖層120上。

在步驟S02中，第一非晶硅層140可以是通過化學(xué)氣相沉積法沉積在第一緩沖層120上。此外，第一非晶硅層140可摻雜有第一型摻質(zhì)。于此，第一型摻質(zhì)可為N型摻質(zhì)，例如：磷、砷等，然本發(fā)明不以此為限，亦即第一型摻質(zhì)亦可為P型摻質(zhì)，例如：硼、鎵等。

步驟S03：形成第一保護(hù)層160于第一非晶硅層140上。

在步驟S03中，第一保護(hù)層160可以是通過化學(xué)氣相沉積法沉積在第一非晶硅層140上，以保護(hù)第一非晶硅層140。于此，第一保護(hù)層160可為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。此外，第一保護(hù)層160具有疏水性。于此，第一保護(hù)層160相對(duì)于第一非晶硅層140具有較高的疏水性，因而更可保護(hù)第一非晶硅層140不易因暴露于大氣之中而致使其表面受水氣影響或被氧化而改變特性。

在本實(shí)施例中，第一保護(hù)層160的厚度D1是小于等于10納米(nm)。換言之，第一保護(hù)層160的厚度D1不大于10納米(nm)。

在另一實(shí)施例中，第一保護(hù)層160的厚度D1是小于等于5納米(nm)。換言之，第一保護(hù)層160的厚度D1不大于5納米(nm)。

在又一實(shí)施例中，第一保護(hù)層160的厚度D1則是介于2至3納米(nm)之間。

步驟S04：形成第二緩沖層130于半導(dǎo)體本體110的第二表面112上。

在步驟S04中，第二緩沖層130可通過化學(xué)氣相沉積法沉積在半導(dǎo)體本體110的第二表面112上。于此，第二緩沖層130可為本質(zhì)非晶硅層。而在另一實(shí)施例中，第二緩沖層130可為具有1×10¹⁴至1×10¹⁶原子/公分³(atom/cm³)微摻雜的非晶硅(Lightly doped amorphous silicon)層。

步驟S05：形成第二非晶硅層150于第二緩沖層130上。

在步驟S05中，第二非晶硅層150可通過化學(xué)氣相沉積法沉積在第二緩沖層130上。此外，第二非晶硅層150可摻雜有第二型摻質(zhì)，而與第一非晶硅層140的類型相反。于此，第二型摻質(zhì)可為P型摻質(zhì)，例如：硼、鎵等，然本發(fā)明不以此為限，亦即第二型摻質(zhì)亦可為N型摻質(zhì)，例如：磷、砷等。換言之，當(dāng)?shù)谝环蔷Ч鑼?40所摻雜的第一型摻質(zhì)為N型時(shí)，第二非晶硅層150所摻雜的第二型摻質(zhì)即為P型；而當(dāng)?shù)谝环蔷Ч鑼?40所摻雜的第一型摻質(zhì)為P型時(shí)，第二非晶硅層150所摻雜的第二型摻質(zhì)即為N型。

因此，根據(jù)第一實(shí)施例的工藝步驟，通過于半導(dǎo)體基板100摻雜有摻質(zhì)的其中一非晶硅層上沉積適當(dāng)厚度的保護(hù)層，來使得半導(dǎo)體基板100于后續(xù)濺鍍透明導(dǎo)電氧化物(Transparent Conductive Oxides，簡(jiǎn)稱TCO)層以及網(wǎng)印金屬電極等以制備為太陽(yáng)能電池的制造過程中，半導(dǎo)體基板100的非晶硅層便可受到保護(hù)層的保護(hù)而不因暴露于大氣的中而氧化。

圖3為本發(fā)明的第二實(shí)施例的側(cè)面剖視圖。請(qǐng)參閱圖3，揭露一半導(dǎo)體基板100。在第二實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板100包含半導(dǎo)體本體110、第一緩沖層120、第一非晶硅層140、第二緩沖層130、第二非晶硅層150、第一保護(hù)層160以及第二保護(hù)層170。

在本實(shí)施例中，第一緩沖層120設(shè)置于半導(dǎo)體本體110的第一表面111上，且第一非晶硅層140設(shè)置于第一緩沖層120上。第二緩沖層130設(shè)置于半導(dǎo)體本體110的第二表面112上，且第二非晶硅層150設(shè)置于第二緩沖層130上。此外，第一保護(hù)層160與第二保護(hù)層170則分別設(shè)置于第一非晶硅層140上與第二非晶硅層150上。因此，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板100的雙面(即，第一表面111與第二表面112)皆設(shè)有保護(hù)層(即，第一保護(hù)層160與第二保護(hù)層170)來保護(hù)其摻雜有摻質(zhì)的非晶硅層(即，第一非晶硅層140與第二非晶硅層150)。

于此，第二保護(hù)層170可為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。因此，第二保護(hù)層170大致上可與第一保護(hù)層160的性質(zhì)相同。此外，在本實(shí)施例中，因半導(dǎo)體本體110、第一緩沖層120、第一非晶硅層140、第二緩沖層130、第二非晶硅層150以及第一保護(hù)層160大致上皆與第一實(shí)施例相同，故不再贅述。

圖4為本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的第二實(shí)施例的工藝流程圖。請(qǐng)搭配參閱圖4，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的第二實(shí)施例的工藝可包含下列的步驟。

步驟S11：形成第一緩沖層120于半導(dǎo)體本體110的第一表面111上。

一般而言，于進(jìn)行步驟S11前，亦可先進(jìn)行一些前置程序，以增進(jìn)后續(xù)的換效率。而此些前置程序已概述于第一實(shí)施例中，故于此不再贅述。

在步驟S11中，第一緩沖層120可通過化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱CVD)法沉積在經(jīng)由前置程序而去除表面氧化層的半導(dǎo)體本體110的第一表面111上。于此，第一緩沖層120可為本質(zhì)非晶硅(Amorphous Silicon)層。而在另一實(shí)施例中，第一緩沖層120可為具有1×10¹⁴至1×10¹⁶原子/公分³(atom/cm³)微摻雜的非晶硅(Lightly doped amorphous silicon)層。

步驟S12：形成第一非晶硅層140于第一緩沖層120上。

在步驟S12中，第一非晶硅層140可通過化學(xué)氣相沉積法沉積在第一緩沖層120上。此外，第一非晶硅層140可摻雜有第一型摻質(zhì)。于此，第一型摻質(zhì)可為N型摻質(zhì)，例如：磷、砷等，然本發(fā)明不以此為限，亦即第一型摻質(zhì)亦可為P型摻質(zhì)，例如：硼、鎵等。

步驟S13：形成第一保護(hù)層160于第一非晶硅層140上。

在步驟S13中，第一保護(hù)層160可通過化學(xué)氣相沉積法沉積在第一非晶硅層140上，以保護(hù)第一非晶硅層140。于此，第一保護(hù)層160可為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。此外，第一保護(hù)層160可具有疏水性。于此，第一保護(hù)層160相對(duì)于第一非晶硅層140具有較高的疏水性，因而更可保護(hù)第一非晶硅層140不易因暴露于大氣之中而致使其表面受水氣影響或被氧化。

在一實(shí)施態(tài)樣中，第一保護(hù)層160的厚度D1是小于等于10納米(nm)。換言之，第一保護(hù)層160的厚度D1不大于10納米(nm)。

在另一實(shí)施態(tài)樣中，第一保護(hù)層160的厚度D1是小于等于5納米(nm)。換言之，第一保護(hù)層160的厚度D1不大于5納米(nm)。

在又一實(shí)施態(tài)樣中，第一保護(hù)層160的厚度D1則是介于2至3納米(nm) 之間。

步驟S14：形成第二緩沖層130于半導(dǎo)體本體110的第二表面112上。

在步驟S14中，第二緩沖層130可通過化學(xué)氣相沉積法沉積在半導(dǎo)體本體110的第二表面112上。于此，第二緩沖層130可為本質(zhì)非晶硅層。而在另一實(shí)施例中，第二緩沖層130可為具有1×10¹⁴至1×10¹⁶原子/公分³(atom/cm³)微摻雜的非晶硅(Lightly doped amorphous silicon)層。

步驟S15：形成第二非晶硅層150于第二緩沖層130上。

在步驟S15中，第二非晶硅層150可通過化學(xué)氣相沉積法沉積在第二緩沖層130上。此外，第二非晶硅層150可摻雜有第二型摻質(zhì)，而與第一非晶硅層140的類型相反。于此，第二型摻質(zhì)可為P型摻質(zhì)，例如：硼、鎵等，然本發(fā)明不以此為限，亦即第二型摻質(zhì)亦可為N型摻質(zhì)，例如：磷、砷等。換言之，當(dāng)?shù)谝环蔷Ч鑼?40所摻雜的第一型摻質(zhì)為N型時(shí)，第二非晶硅層150所摻雜的第二型摻質(zhì)即為P型；而當(dāng)?shù)谝环蔷Ч鑼?40所摻雜的第一型摻質(zhì)為P型時(shí)，第二非晶硅層150所摻雜的第二型摻質(zhì)即為N型。

步驟S16：形成第二保護(hù)層170于第二非晶硅層150上。

在步驟S16中，第二保護(hù)層170可通過化學(xué)氣相沉積法沉積在第二非晶硅層150上，以保護(hù)第二非晶硅層150。于此，第二保護(hù)層170可為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。此外，第二保護(hù)層170具有疏水性。于此，第二保護(hù)層170相對(duì)于第二非晶硅層150具有較高的疏水性，因而更可保護(hù)第二非晶硅層150不易因暴露于大氣之中而致使其表面受水氣影響或被氧化。

在一實(shí)施態(tài)樣中，第二保護(hù)層170的厚度D2是小于等于10納米(nm)。換言之，第二保護(hù)層170的厚度D2不大于10納米(nm)。

在另一實(shí)施態(tài)樣中，第二保護(hù)層170的厚度D2是小于等于5納米(nm)。換言之，第二保護(hù)層170的厚度D2不大于5納米(nm)。

在又一實(shí)施態(tài)樣中，第二保護(hù)層170的厚度D2則是介于2至3納米(nm)之間。

因此，通過依序執(zhí)行步驟S11到步驟S16，而于半導(dǎo)體基板100的二面分別形成具有適當(dāng)厚度的保護(hù)層于非晶硅層上，相較于第一實(shí)施例僅于半導(dǎo)體基板100的其中一面形成具有適當(dāng)厚度的保護(hù)層而言，第二實(shí)施例是可獲得更完善的保護(hù)效果。

然而，在本實(shí)施例中，步驟S11至步驟S16的順序性并非絕對(duì)，亦即，在執(zhí)行完步驟S12(即，第一非晶硅層140形成于第一緩沖層120上)后，可先依序執(zhí)行步驟S14與S15后，再同步執(zhí)行步驟S13與步驟S16。換言之，第一保護(hù)層160與第二保護(hù)層170可于第一緩沖層120、第一非晶硅層140依序形成于半導(dǎo)體本體110的第一表面111上，且第二緩沖層130、第二非晶硅層150依序形成于半導(dǎo)體本體110的第二表面112后，再分別同時(shí)形成于第一非晶硅層140以及第二非晶硅層150上。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的半導(dǎo)體基板，通過形成適當(dāng)厚度的保護(hù)層于摻雜有摻質(zhì)的非晶硅層上，來保護(hù)非晶硅層的表面于后續(xù)制備為太陽(yáng)能電池的工藝銜接過程中不因暴露于大氣的中而被氧化或受水氣影響，因此可延長(zhǎng)留置時(shí)間(Q-Time)，解決了現(xiàn)有太陽(yáng)能電池在制造時(shí)因留置時(shí)間過長(zhǎng)而導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率下降的問題，進(jìn)而允許太陽(yáng)能電池在制作流程與時(shí)間上有更大的彈性。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。