1.一種半導(dǎo)體基板，其特征在于，包含：
一半導(dǎo)體本體，具有一第一表面與相對于該第一表面的一第二表面；
一第一緩沖層，設(shè)置于該第一表面上；
一第一非晶硅層，設(shè)置于該第一緩沖層上，摻雜有一第一型摻質(zhì)；
一第二緩沖層，設(shè)置于該第二表面上；
一第二非晶硅層，設(shè)置于該第二緩沖層上，摻雜有一第二型摻質(zhì)；及
一第一保護(hù)層，設(shè)置于該第一非晶硅層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第一保護(hù)層的厚度不大于10納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第一保護(hù)層的厚度不大于5納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第一保護(hù)層的厚度介于2至3納米之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第一保護(hù)層為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第一保護(hù)層為疏水性保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，更包含：
一第二保護(hù)層，設(shè)置于該第二非晶硅層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第二保護(hù)層的厚度不大于10納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第二保護(hù)層的厚度不大于5納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第二保護(hù)層的厚度介于2至3納米之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第二保護(hù)層為本質(zhì)非晶硅層或本質(zhì)微晶硅層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，當(dāng) 該第一型摻質(zhì)為P型時(shí)，該第二型摻質(zhì)是為N型，而當(dāng)該第一型摻質(zhì)為N型時(shí)，該第二型摻質(zhì)是為P型。
13.根據(jù)權(quán)利要求7或11所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該第二保護(hù)層為疏水性保護(hù)層。