技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體晶體管與閃存存儲器及其制造方法。該閃存存儲器，設(shè)置于基底上。閃存存儲器具有半導(dǎo)體晶體管。此半導(dǎo)體晶體管具有堆疊柵極結(jié)構(gòu)、淡摻雜區(qū)與間隙壁。堆疊柵極結(jié)構(gòu)具有依序設(shè)置于基底上的柵介電層、第一導(dǎo)體層、介電層以及第二導(dǎo)體層。介電層周圍具有開口使第一導(dǎo)體層電連接第二導(dǎo)體層。淡摻雜區(qū)設(shè)置于堆疊柵極結(jié)構(gòu)旁、且位于開口下的基底中。間隙壁設(shè)置于堆疊柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁。利用控制開口下第一導(dǎo)體層的高度可調(diào)整間隙壁的寬度，以及利用介電層作為掩模層設(shè)置淡摻雜區(qū)，可增加淡摻雜區(qū)裕度，得到良好的電性。

技術(shù)研發(fā)人員：永井享浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：力晶科技股份有限公司
文檔號碼：201510251446
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.18
技術(shù)公布日：2016.12.07