技術(shù)總結(jié)
一種相變存儲(chǔ)器及其形成方法，其中，所述相變存儲(chǔ)器包括：基底，位于所述基底內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)表面與基底表面齊平；位于所述基底表面的絕緣層；位于所述絕緣層內(nèi)的底部電極和相變層，所述底部電極位于所述基底表面并與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接，且為厚度與長(zhǎng)度間比值小于等于1:3的刀片狀，所述相變層位于所述底部電極表面。由于底部電極呈刀片狀，其與相變層的接觸面積小，對(duì)相變層加熱時(shí)速度快，且散熱少，相變存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度快，且功耗低。

技術(shù)研發(fā)人員：張超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510271594
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.25
技術(shù)公布日：2017.01.04