1.一種微波用單層電容器的薄金刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)把要制作的微波用單層電容器的陶瓷基板，先進(jìn)行清洗干凈后濺射過渡層鈦鎢和功能層金；
(2)用CP50膠進(jìn)行勻膠，并用負(fù)掩模板曝光，顯影后不去膠；
(3)電鍍金，使金電極達(dá)到產(chǎn)品要求厚度3～4μm，再電鍍保護(hù)層到金電極表面覆蓋金層用于保護(hù)金層，保護(hù)層厚度為0.4～0.8μm；
(4)進(jìn)行刻蝕過程：丙酮去膠；刻金1～2min；刻鈦鎢1～2min；刻保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波用單層電容器的薄金刻蝕方法，其特征在于，步驟(1)中所述過渡層鈦鎢為0.2～0.8μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波用單層電容器的薄金刻蝕方法，其特征在于，步驟(1)中所述功能層金為0.5～1.2μm。