1.一種超結(jié)MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：
在襯底的表面上形成外延層，在所述外延層的表面內(nèi)形成超結(jié)結(jié)構(gòu)，所述超結(jié)結(jié)構(gòu)包括交替排布的第一導(dǎo)電型立柱和第二導(dǎo)電型立柱；
形成圍繞所述超結(jié)結(jié)構(gòu)外圍的深槽，所述深槽的深度大于所述超結(jié)結(jié)構(gòu)的深度；
在所述深槽的內(nèi)壁上形成氧化層，并在覆蓋有所述氧化層的所述深槽內(nèi)填充多晶硅，形成多晶硅立柱；
去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述氧化層，以暴露所述深槽的部分側(cè)壁和所述多晶硅立柱的部分側(cè)壁；
在所述深槽和所述多晶硅立柱暴露出的側(cè)壁上形成柵氧化層，形成填充在所述柵氧化層之間的多晶硅；
按照預(yù)設(shè)工藝，形成位于所述外延層表面內(nèi)的體區(qū)和源區(qū)，其中，所述體區(qū)位于所述超結(jié)結(jié)構(gòu)的上方，所述源區(qū)位于所述體區(qū)的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述深槽的內(nèi)壁上形成氧化層，并在覆蓋有所述氧化層的所述深槽內(nèi)填充多晶硅，形成多晶硅立柱，包括：
形成覆蓋所述外延層表面和所述深槽內(nèi)壁的氧化層；
在覆蓋有所述氧化層的所述深槽內(nèi)填充多晶硅，并進(jìn)行多晶硅回刻，以形成所述多晶硅立柱；
去除位于所述外延層表面上和預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述氧化層，以暴露所述外延層的表面、所述深槽的部分側(cè)壁和所述多晶硅立柱的部分側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述深槽和所述多晶硅立柱暴露出的側(cè)壁上形成柵氧化層，形成填充在所述柵氧化層之間的多晶硅，包括：
在所述外延層的表面上、以及所述深槽和所述多晶硅立柱暴露出的側(cè)壁上生長(zhǎng)柵氧化層；
在所述柵氧化層之間的凹槽內(nèi)填充多晶硅，并進(jìn)行多晶硅回刻；
去除位于所述外延層表面上的柵氧化層和位于所述多晶硅立柱上方的柵氧化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照預(yù)設(shè)工藝，形成位于所述外延層表面內(nèi)的體區(qū)和源區(qū)，包括：
向所述超結(jié)結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行離子注入，形成位于所述超結(jié)結(jié)構(gòu)表面內(nèi)的體區(qū)；
向所述體區(qū)表面的預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行離子注入，形成位于所述體區(qū)表面內(nèi)的源區(qū)，所述源區(qū)的深度小于所述體區(qū)的深度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述向所述超結(jié)結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行離子注入，形成位于所述超結(jié)結(jié)構(gòu)表面內(nèi)的體區(qū)，包括：
向所述超結(jié)結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行離子注入，形成位于所述超結(jié)結(jié)構(gòu)表面內(nèi)的體區(qū)，且所述體區(qū)的深度小于所述柵氧化層的深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照預(yù)設(shè)工藝，形成位于所述外延層表面內(nèi)的體區(qū)和源區(qū)之后，還包括：
形成覆蓋當(dāng)前整個(gè)器件表面的介質(zhì)層；
去除所述多晶硅立柱上方和所述體區(qū)上方的預(yù)設(shè)區(qū)域，以露出所述多晶硅立柱的表面和所述體區(qū)的表面，形成接觸孔；
形成覆蓋所述介質(zhì)層表面的源極金屬層，所述源極金屬層填充所述接觸孔，且與所述體區(qū)和所述多晶硅立柱接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照預(yù)設(shè)工藝，形成位于所述外延層表面內(nèi)的體區(qū)和源區(qū)之后，還包括：
按照預(yù)設(shè)的工藝，形成所述超結(jié)MOSFET器件的漏極。
8.一種超結(jié)MOSFET器件，其特征在于，包括：
襯底和位于所述襯底表面上的外延層；
位于所述外延層表面內(nèi)，且自下而上依次設(shè)置的超結(jié)結(jié)構(gòu)、體區(qū)和源區(qū)，所述超結(jié)結(jié)構(gòu)包括交替排布的第一導(dǎo)電型立柱和第二導(dǎo)電型立柱；
圍繞所述超結(jié)結(jié)構(gòu)外圍的深槽，所述深槽的深度大于所述超結(jié)結(jié)構(gòu)的深度，所述深槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅立柱；所述深槽靠近底部的部分與所述多晶硅立柱之間填充有氧化層，所述深槽的其余部分內(nèi)壁和所述多晶硅立柱上覆蓋有柵氧化層，所述柵氧化層之間的凹槽內(nèi)填充有多晶硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，所述體區(qū)的底部高于所述柵氧化層的底部。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的器件，其特征在于，所述器件還包括：
覆蓋所述外延層表面的介質(zhì)層；
位于所述介質(zhì)層表面上的源極金屬層，且位于所述多晶硅立柱上方的源極金屬層穿過(guò)所述介質(zhì)層向下延伸至與所述多晶硅立柱接觸，位于所述源區(qū)上方的源極金屬層穿過(guò)所述介質(zhì)層和所述源區(qū)向下延伸至與所述多晶硅立柱和所述體區(qū)接觸。