技術(shù)總結(jié)
一種半導體器件的形成方法，包括：提供半導體襯底；形成位于半導體襯底內(nèi)的溝槽；形成位于所述溝槽內(nèi)的填充層，填充層的材料為半導體材料，且所述填充層的晶格常數(shù)大于半導體襯底的晶格常數(shù)；形成覆蓋填充層表面但暴露出半導體襯底表面的掩膜層；形成掩膜層后，以暴露出的半導體襯底表面為基底形成第一半導體層；形成與第一半導體層鄰接且覆蓋其表面的第二半導體層，所述第二半導體層與第一半導體層構(gòu)成異質(zhì)結(jié)構(gòu)；形成位于所述第二半導體層表面的柵極結(jié)構(gòu)、源極和漏極，其中源極和漏極分別位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)。半導體襯底的選擇可多樣化，有利于降低成本，且形成的第一、第二半導體層的質(zhì)量仍然較好，擴大了形成的高電子遷移率晶體管的應(yīng)用范圍。

技術(shù)研發(fā)人員：劉繼全
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510372837
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.30
技術(shù)公布日：2017.01.11