1.一種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層內(nèi)具有貫穿所述層間介質(zhì)層厚度的開口；
形成覆蓋所述開口底部和側(cè)壁的柵介質(zhì)層；
形成覆蓋所述柵介質(zhì)層表面的第一功函數(shù)層；
對(duì)所述第一功函數(shù)層進(jìn)行第一離子注入，使得所述第一功函數(shù)層轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙瘮?shù)層；
形成覆蓋所述第二功函數(shù)層表面的柵電極層，所述柵電極層與所述層間介質(zhì)層表面齊平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二功函數(shù)層具有固定的功函數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶體管為PMOS晶體管，所述第一功函數(shù)層的材料為TiN。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶體管為NMOS晶體管，所述第一功函數(shù)層的材料為TiAl。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積形成所述第一功函數(shù)層，前驅(qū)反應(yīng)物為氯化鈦和氨氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，對(duì)第一功函數(shù)層進(jìn)行第一離子注入采用的離子為硅離子，注入能量為0.5KeV～3KeV，注入劑量為1E15atom/cm2～5E18atom/cm2，注入角度為7度～20度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積形成所述第一功函數(shù)層，前驅(qū)反應(yīng)物為氯化鈦和三甲基鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，對(duì)第一功函數(shù)層進(jìn)行第一離子注入采用的離子為碳離子，注入能量為0.3KeV～2.5KeV，注入劑量為1E15atom/cm2～5E18atom/cm2，注入角度為7度～20度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二功函數(shù)層的厚度為10?！?0埃。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶體管為PMOS晶體管，所述第二功函數(shù)層的材料為TiSiN。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶體管為NMOS晶體管，所述第二功函數(shù)層的材料為TiCAl。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述柵介質(zhì)層之前，形成覆蓋所述開口底部和側(cè)壁的界面層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述界面層的材料為氧化硅。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述柵電極層之前，形成覆蓋所述第二功函數(shù)層的阻擋層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為TiN、TaC、TaN、HfN或ZrN。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層為高K柵介質(zhì)層，所述高K柵介質(zhì)層的材料為HfO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfZrO、Al2O3或ZrO2。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵電極層為金屬柵電極層，所述金屬柵電極層的材料為Ti、TiW、TiN、Ti、W、Mo或Ru。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17任意一項(xiàng)形成的MOS晶體管，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底表面的層間介質(zhì)層；位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)并貫穿層間介質(zhì)層厚度的開口；覆蓋所述開口底部和側(cè)壁的柵介質(zhì)層；覆蓋所述柵介質(zhì)層表面的第二功函數(shù)層，所述第二功函數(shù)層具有固定的功函數(shù)；覆蓋所述第二功函數(shù)層表面的柵電極層，所述柵電極層與所述層間介質(zhì)層表面齊平。