技術(shù)總結(jié)
一種MOS晶體管及其形成方法，其中方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層內(nèi)具有貫穿所述層間介質(zhì)層厚度的開口；形成覆蓋所述開口底部和側(cè)壁的柵介質(zhì)層；形成覆蓋所述柵介質(zhì)層表面的第一功函數(shù)層；對所述第一功函數(shù)層進行第一離子注入，使得所述第一功函數(shù)層轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙瘮?shù)層；形成覆蓋所述第二功函數(shù)層表面的柵電極層，所述柵電極層與所述層間介質(zhì)層表面齊平。所述MOS晶體管的形成方法提高了MOS晶體管的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510373347
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.30
技術(shù)公布日：2017.01.11