1.一種外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
襯底；
第一掩膜層，位于所述襯底的表面之上，所述第一掩膜層具有至少一個(gè)第一開口，以暴露所述襯底的表面；
第二掩膜層，位于所述第一掩膜層之上，第一開口寬度≤所述第二掩膜層厚度≤第一開口寬度的3倍，所述第二掩膜層具有位于第一開口之上且與第一開口的中心位置不重疊的第二開口，第二開口寬度大于第一開口寬度；
第三掩膜層，位于所述第二掩膜層之上，所述第三掩膜層具有位于第二開口之上且與第一開口的中心位置不重疊的第三開口，所述第三開口與所述第一開口之間的橫向間距≤2倍第一開口寬度或2倍第三開口寬度，所述第三開口寬度小于所述第二開口寬度；
外延層，包括第一開口、第二開口和第三開口中的外延層部分以及第三掩膜層之上的外延層部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開口寬度與第三開口寬度的比值范圍為50％至150％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三掩膜層之上的外延層部分為第三開口之上的凸起外延層，用于制作FINFET MOS器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三掩膜層之上的外延層部分為第三掩膜層之上的平整外延層，用于制作平面器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開口、第三開口的深寬比為：8≥深寬比≥1。
6.一種外延方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成具有第一開口的第一掩膜層；
淀積第二掩膜層，第一開口寬度≤所述第二掩膜層厚度≤第一開口寬 度的3倍；
在第二掩膜層之上形成具有第三開口的第三掩膜層，所述第三開口與第一開口的中心位置不重疊，所述第三開口與所述第一開口的中心位置之間的橫向間距≤2倍第一開口寬度或2倍第三開口寬度；
進(jìn)行刻蝕，直至完全暴露第一開口處襯底；
進(jìn)行外延生長。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的外延方法，其特征在于，所述第二掩膜層與第一掩膜層及第三掩膜層的選擇刻蝕比≥20，且第二掩膜層刻蝕速率最大。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行外延生長還包括：
進(jìn)行外延生長前高速生長一定厚度緩沖層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行刻蝕，直至完全暴露第一開口處襯底還包括：
刻蝕襯底，以形成圖形襯底。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的外延方法，其特征在于，所述進(jìn)行外延生長的外延層與襯底之間的晶格失配度≥4％，且晶格失配度≤25％。