技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種外延結(jié)構(gòu)及方法，包括：襯底；第一掩膜層，位于所述襯底的表面之上，所述第一掩膜層具有至少一個第一開口，以暴露所述襯底的表面；第二掩膜層，位于所述第一掩膜層之上，所述第二掩膜層具有位于第一開口之上且與第一開口的中心位置不重疊的一定寬度的第二開口；第三掩膜層，位于所述第二掩膜層之上，所述第三掩膜層具有位于第二開口之上且與第一開口的中心位置不重疊的一定寬度的第三開口，所述第三開口與所述第一開口之間的橫向間距在一定范圍內(nèi)；外延層。本發(fā)明提供的外延結(jié)構(gòu)能在晶格失配度超過4％的襯底上制備出高質(zhì)量的外延層。

技術(shù)研發(fā)人員：鄧震;王桂磊;楊濤;李俊峰;劉洪剛;趙超
受保護的技術(shù)使用者：中國科學院微電子研究所
文檔號碼：201510548833
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.31
技術(shù)公布日：2017.03.01