技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種玻璃鈍化硅晶圓的背面切割對位線的制作方法及設(shè)備，用于單臺面二極管的背面切割定位標(biāo)記的制作，采用激光垂直穿透的方式，在玻璃鈍化硅晶圓背面制作了與正面溝槽對應(yīng)的切割標(biāo)記，硅晶圓背面切割可利用此標(biāo)記進(jìn)行背面定位切割。因此，不需要使用過去繁瑣的二次光刻工藝制作背面定位切割標(biāo)記，并且提高定位線的精確度、縮短工藝流程時間，通過實(shí)際生產(chǎn)對比：與原有雙面光刻工藝相比，定位精度由原來的±30um提高到±1um，生產(chǎn)時間大幅縮短、節(jié)省多道雙面光刻耗材和人力，具有十分顯著的經(jīng)濟(jì)價值。

技術(shù)研發(fā)人員：李軼;丁波;徐偉濤;陳瀚;侯金松;杭海燕;裴紫偉;蔣松;張杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海微世半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼：201510586901
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.15
技術(shù)公布日：2017.03.22