技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件包括：鰭結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底上方；柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在鰭結(jié)構(gòu)的部分上方；源極/漏極結(jié)構(gòu)，其包括鰭結(jié)構(gòu)中未被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的部分；層間介電層，形成在鰭結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)和源極/漏極結(jié)構(gòu)上方；接觸孔，形成在層間介電層中；以及接觸材料，設(shè)置在接觸孔中。鰭結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸并且包括上層，上層的部分從隔離絕緣層暴露。柵極結(jié)構(gòu)在與第一方向垂直的第二方向上延伸。本發(fā)明還提供了一種制造包括FinFET的半導(dǎo)體器件的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：彭成毅;葉致鍇;張智勝;江宏禮;陳宏銘;楊育佳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510694312
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.21
技術(shù)公布日：2016.11.23