本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種承載裝置、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。

背景技術(shù)：

目前，磁控濺射廣泛應(yīng)用在物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡稱PVD)技術(shù)中，其利用磁場對帶電粒子的約束作用來控制帶電粒子轟擊靶材，使靶材表面的原子或分子濺射出來，并沉積在晶片表面，以形成特定功能的薄膜。在磁控濺射的過程中，晶片被置于基座上，該基座需要與地絕緣，這是因為在工藝過程中，如果基座接地，就會有電流通過晶片，從而對晶片造成損傷。

圖1為現(xiàn)有的承載裝置的剖視圖。圖2為圖1中I區(qū)域的放大圖。圖3為圖1中II區(qū)域的放大圖。請一并參閱圖1-3，承載裝置包括基座101、波紋管組件和基座升降機構(gòu)111。其中，基座101設(shè)置在反應(yīng)腔室100內(nèi)，用于承載晶片，且在該基座101的底部焊接有冷卻水盤102，用于在工藝過程中控制晶片的溫度；并且在冷卻水盤102的底部設(shè)置有冷卻底座103，用于引出基座101中射頻電極的接線，以及向基座101引入背吹氣管以及進/出水管。波紋管組件包括提升軸105、上法蘭104、下法蘭107和波紋管106，其中，上法蘭104與冷卻底座103密封連接，提升軸105的上端與上法蘭104連接，下端豎直向下延伸至反應(yīng)腔室的外部；下法蘭107位于反應(yīng)腔室100內(nèi)，且利用螺釘108與其底部的腔室壁密封連接，波紋管106套設(shè)在提升軸105上，且位于上法蘭104和下法蘭107之間，并分別與二者密封連接。此外，如圖2所示，在下法蘭104與反應(yīng)腔室100底部的腔室壁之間設(shè)置有第一絕緣環(huán)113，用以對二者進行電絕緣；并且，在螺釘108上套設(shè)有絕緣套112，用以對螺釘108與下法蘭107之間 電絕緣，從而保證下法蘭107與反應(yīng)腔室100底部的腔室壁不導(dǎo)通?；禉C構(gòu)111利用兩個絕緣抱塊110夾持提升軸105，以驅(qū)動該提升軸105上升或下降。另外，為了保證提升軸105的垂直度，在提升軸上還套設(shè)有直線軸承109，其與反應(yīng)腔室100底部的腔室壁固定連接，并且在直線軸承109與腔室壁之間設(shè)置有第二絕緣環(huán)114，用以對二者電絕緣。

上述承載裝置在實際應(yīng)用中不可避免地存在以下問題：

其一，由于冷卻底座103帶電，冷卻底座103中的接線、水管和氣管延伸至腔室外的部分一旦接地就會對晶片造成損傷。而且，由于冷卻底座103與上法蘭104電接觸，導(dǎo)致上法蘭104以下的部分均帶電，這給操作人員的人身安全帶來隱患。

其二，為了避免基座接地，需要在直線軸承109與腔室壁之間、在下法蘭107與反應(yīng)腔室100底部的腔室壁之間以及在螺釘108與下法蘭107之間分別設(shè)置有絕緣部件，絕緣結(jié)構(gòu)復(fù)雜、絕緣環(huán)節(jié)過多，不利于安裝調(diào)試。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種承載裝置、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。其不僅可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)，從而可以給安裝調(diào)試帶來方便，而且還可以提高工藝過程中的可靠性和安全性。

為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種承載裝置，設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)，且包括可升降的基座和與之連接的波紋管組件，還包括絕緣組件，所述絕緣組件用于將所述波紋管組件與所述基座電絕緣。

優(yōu)選的，所述波紋管組件包括：上法蘭，其通過第一螺釘與所述基座固定連接；下法蘭，其通過第二螺釘與所述反應(yīng)腔室底部的腔室壁固定連接；提升軸，所述提升軸的上端與所述上法蘭固定連接，所述提升軸的下端豎直向下延伸至所述反應(yīng)腔室的外部；波紋管，套設(shè)在所述提升軸上，且位于所述上法蘭和下法蘭之間，并分別與二者密封連接；所述絕緣組件包括：絕緣環(huán)，其設(shè)置在所述上法蘭與所述 基座之間，用以將二者電絕緣；絕緣套，其套設(shè)在所述第一螺釘之間，用以將所述第一螺釘與所述上法蘭電絕緣。

優(yōu)選的，在所述提升軸內(nèi)設(shè)置有管線通道，用以向所述基座引入和引出接線、水管和氣管；在所述管線通道的內(nèi)壁底部設(shè)置有絕緣固定件，用于固定所述接線、水管和氣管在所述提升軸內(nèi)部的位置，并使其與所述管線通道的內(nèi)壁隔離。

優(yōu)選的，所述絕緣固定件采用聚醚酰亞胺塑料制作。

優(yōu)選的，在所述管線通道的內(nèi)壁上嵌套有絕緣套筒，用以將所述管線通道的內(nèi)壁與所述接線、水管和氣管電絕緣。

優(yōu)選的，所述絕緣固定件位于所述絕緣套筒的底部，用以限定所述絕緣套筒的位置。

優(yōu)選的，所述絕緣套筒采用四氟材料制作。

優(yōu)選的，還包括基座升降機構(gòu)，用于驅(qū)動所述波紋管組件和與之連接的所述基座上升或下降。

作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種反應(yīng)腔室，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有承載裝置，用于承載晶片，所述承載裝置采用本發(fā)明提供的上述承載裝置。

作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，其包括本發(fā)明提供的上述反應(yīng)腔室。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供的承載裝置，其通過借助絕緣組件將基座和波紋管組件電絕緣，可以使該波紋管組件及其以下的部分均不帶電，從而無需再對這些部件設(shè)置絕緣結(jié)構(gòu)，進而可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)，從而可以給安裝調(diào)試帶來方便。此外，通過使該波紋管組件及其以下的部分均不帶電，可以保障操作人員的人身安全，從而可以提高工藝過程中的可靠性和安全性。

本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，其通過采用本發(fā)明提供的承載裝置，不僅可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)，從而可以給安裝調(diào)試帶來方便，而且還可以提高工藝過程中的可靠性和安全性。

本發(fā)明提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其通過采用本發(fā)明提供的反應(yīng) 腔室，不僅可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)，從而可以給安裝調(diào)試帶來方便，而且還可以提高工藝過程中的可靠性和安全性。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的承載裝置的剖視圖；

圖2為圖1中I區(qū)域的放大圖；

圖3為圖1中II區(qū)域的放大圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的承載裝置的剖視圖；

圖5為圖4中III區(qū)域的放大圖；以及

圖6為本發(fā)明實施例中波紋管組件的剖視圖。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的承載裝置、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備進行詳細描述。

本發(fā)明提供的承載裝置設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)，用于在工藝過程中承載晶片、對晶片進行加熱或冷卻以及向晶片加載射頻功率等。該承載裝置包括基座、與之連接的波紋管組件和絕緣組件。其中，基座用于承載晶片；該基座是可升降的，用以通過上升或下降而將晶片傳送至工藝位置進行工藝或者裝卸位置進行取放片操作。波紋管組件用于將基座和設(shè)置反應(yīng)腔室外部的基座升降機構(gòu)連接，同時保證反應(yīng)腔室處于真空狀態(tài)。絕緣組件用于將波紋管組件與基座電絕緣，這可以使該波紋管組件及其以下的部分均不導(dǎo)電，從而無需再對這些部件設(shè)置絕緣結(jié)構(gòu)，進而可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)，從而可以給安裝調(diào)試帶來方便。此外，通過使該波紋管組件及其以下的部分均不導(dǎo)電，可以保障操作人員的人身安全，從而可以提高工藝過程中的可靠性和安全性。

下面對承載裝置的具體實施方式進行詳細描述。具體地，圖4為本發(fā)明實施例提供的承載裝置的剖視圖。圖5為圖4中III區(qū)域的 放大圖。圖6為本發(fā)明實施例中波紋管組件的剖視圖。請一并參閱圖4-6，承載裝置包括基座201、波紋管組件、絕緣組件和基座升降機構(gòu)211。其中，基座201設(shè)置在反應(yīng)腔室200內(nèi)，用于承載晶片，且在該基座201的底部焊接有冷卻水盤202，用于在工藝過程中控制晶片的溫度；并且在冷卻水盤202的底部設(shè)置有冷卻底座203，用于引出基座201中射頻電極的接線217，以及向基座201引入氣管216以及進/出水管，如圖6所示。

波紋管組件包括提升軸205、上法蘭204、下法蘭207和波紋管206。其中，上法蘭204通過第一螺釘214與冷卻底座203密封連接，提升軸205的上端與上法蘭204連接，下端豎直向下延伸至反應(yīng)腔室200的外部。下法蘭207位于反應(yīng)腔室200內(nèi)，且利用第二螺釘208與其底部的腔室壁固定連接，波紋管206套設(shè)在提升軸205上，且位于上法蘭204和下法蘭207之間，并分別與二者密封連接。此外，為了保證提升軸205的垂直度，在提升軸205上還套設(shè)有直線軸承209，其與反應(yīng)腔室200底部的腔室壁固定連接。基座升降機構(gòu)211通過連接件212與提升軸205連接，該連接件212套設(shè)在提升軸205的下部，并且在該連接件212的頂部和底部分別設(shè)置有抱塊210，用以限定連接件212在提升軸205的軸向上的自由度，同時夾持提升軸205，以實現(xiàn)將提升軸205與基座升降機構(gòu)211的連接。

絕緣組件包括絕緣環(huán)213和絕緣套215。其中，絕緣環(huán)213設(shè)置在上法蘭204與冷卻底座203之間，用以將二者電絕緣；絕緣套215套設(shè)在第一螺釘214之間，用以將第一螺釘214與上法蘭204電絕緣。如圖5所示，絕緣環(huán)213和絕緣套215將上法蘭204與冷卻底座203完全隔離，二者不相接觸，從而上法蘭204及位于其下部的提升軸205、下法蘭207、第二螺釘208和直線軸承209等的部件均不帶電，即，波紋管組件及其以下的部分均不帶電，從而無需再對這些部件設(shè)置絕緣結(jié)構(gòu)，例如，無需在直線軸承209與腔室壁之間、在下法蘭207與反應(yīng)腔室200底部的腔室壁之間以及在第二螺釘208與下法蘭207之間分別設(shè)置有絕緣部件。而且，上述抱塊210也無需采用絕緣材料制作。這樣，可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)， 從而可以給安裝調(diào)試帶來方便。此外，通過使該波紋管組件及其以下的部分均不帶電，可以保障操作人員的人身安全，從而可以提高工藝過程中的可靠性和安全性。

在本實施例中，在提升軸205內(nèi)設(shè)置有管線通道，用以供自冷卻水盤202引出的接線217、向基座201引入的氣管216以及進/出水管通過，并延伸至反應(yīng)腔室200的外部。而且，在管線通道的內(nèi)壁底部設(shè)置有絕緣固定件219，用于固定接線217、氣管216以及進/出水管在提升軸205內(nèi)部的位置，并使其與管線通道的內(nèi)壁隔離，從而可以降低這些部件與管線通道的內(nèi)壁接觸的可能性。優(yōu)選的，絕緣固定件219采用聚醚酰亞胺塑料制作。此外，在管線通道的內(nèi)壁上嵌套有絕緣套筒218，用以將管線通道的內(nèi)壁與接線217、氣管216以及進/出水管電絕緣，這可以完全杜絕這些部件與管線通道的內(nèi)壁接觸的可能性。優(yōu)選的，絕緣套筒218采用四氟材料制作。

需要說明的是，在本實施例中，在基座201底部設(shè)置有冷卻水盤202和冷卻底座203，但是本發(fā)明并不局限于此，在實際應(yīng)用中，針對不同的應(yīng)用，也可以省去上述冷卻水盤202和冷卻底座203，在這種情況下，上法蘭通過第一螺釘與基座固定連接，且絕緣環(huán)設(shè)置在上法蘭與基座之間，用以將二者電絕緣。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的承載裝置，其通過借助絕緣組件將基座和波紋管組件電絕緣，可以使該波紋管組件及其以下的部分均不帶電，從而無需再對這些部件設(shè)置絕緣結(jié)構(gòu)，進而可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)，從而可以給安裝調(diào)試帶來方便。此外，通過使該波紋管組件及其以下的部分均不帶電，可以保障操作人員的人身安全，從而可以提高工藝過程中的可靠性和安全性。

作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明實施例還提供一種反應(yīng)腔室，在該反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有承載裝置，用于承載晶片。該承載裝置采用了本發(fā)明實施例提供的上述承載裝置。

本發(fā)明實施例提供的反應(yīng)腔室，其通過采用本發(fā)明實施例提供的承載裝置，不僅可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)，從而可以給安裝調(diào)試帶來方便，而且還可以提高工藝過程中的可靠性 和安全性。

作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明實施例還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，該半導(dǎo)體加工設(shè)備采用了本發(fā)明實施例提供的上述反應(yīng)腔室。

本發(fā)明實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其通過采用本發(fā)明實施例提供的反應(yīng)腔室，不僅可以在保證基座不接地的前提下，簡化絕緣結(jié)構(gòu)，從而可以給安裝調(diào)試帶來方便，而且還可以提高工藝過程中的可靠性和安全性。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。