1.一種焊接IGBT模塊的方法，所述方法包括以下步驟：
步驟一：將拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；
步驟二：在所述基板的凹陷面上設(shè)置焊料以形成厚度均勻的襯板焊料層；
步驟三：將襯板覆蓋在所述襯板焊料層上；
步驟四：將所述平板放置在水平的加熱板上加熱以使得所述襯板焊料層熔化，然后冷卻所述襯板焊料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟一中，在所述基板的邊緣部分上設(shè)置多個(gè)用于連接所述平板和所述基板的螺釘以將所述基板緊固在所述平板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟四中，在襯板焊料層的溫度上升到襯板焊料層的熔點(diǎn)之前，加熱板的升溫速率為0.5～2℃/s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在步驟四中，在冷卻過(guò)程中，襯板焊料層的降溫速度為1～3℃/s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在步驟四中，在真空環(huán)境中進(jìn)行加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述襯板包括依次層疊的第一金屬層、絕緣層和第二金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述絕緣層由氧化鋁、氮化鋁、氧化鈹、碳化硅或四氮化三硅制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述襯板焊料層為層狀的錫膏或箔狀的焊錫。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的方法，在步驟三之后步驟四之前，還在所述襯板上設(shè)置焊料以形成厚度均勻的芯片焊料層，所述芯片焊料層的熔點(diǎn)低于所述襯板焊料層的熔點(diǎn)，將芯片覆蓋在所述芯片焊料層上，
在步驟四中，所述芯片焊料層與所述襯板焊料層一同被加熱直至均熔化，然后同時(shí)冷卻所述芯片焊料層和所述襯板焊料層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在加熱時(shí)，所述加熱板與所述平板之間的界面處的熱流密度分布均勻。