1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第二區(qū)域和第一區(qū)域，所述第一區(qū)域上形成有第一金屬柵極，所述第二區(qū)域上形成有第二偽柵極，所述半導(dǎo)體襯底表面還具有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層表面與第一金屬柵極、第二偽柵極表面齊平；
在第一金屬柵極表面形成保護(hù)層，所述保護(hù)層由表面活性劑分子吸附構(gòu)成；
去除所述第二偽柵極，在第二區(qū)域上形成第二凹槽；
形成填充滿所述第二凹槽的第二金屬柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述表面活性劑為陰離子表面活性劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述表面活性劑包括十二烷基苯磺酸鈉、乙氧基化烷基硫酸鈉或乙氧基化脂肪酸甲酯磺酸鈉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，在第一金屬柵極表面形成保護(hù)層的方法包括：在去除第二偽柵極之前，將所述第一金屬柵極表面浸沒在表面活性劑溶液中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述表面活性劑溶液內(nèi)的表面活性劑的質(zhì)量濃度為2％～8％。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管的形成方法，其特征在于，將所述第一金屬柵極表面浸沒在表面活性劑溶液中20s～100s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述第二偽柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕溶液為四甲基氫氧化銨溶液。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，在第一金屬柵極表面形成保護(hù)層的方法包括：在濕法刻蝕溶液內(nèi)加入所述表面活性劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕溶液內(nèi)的表面活性劑的質(zhì)量濃度為2％～8％。
11.根據(jù)權(quán)利要求4或9所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在形成第二金屬柵極之前，對所述第二凹槽進(jìn)行濕法清洗。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法清洗采用去離子水作為清洗溶液。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶體管的形成方法，其特征在于，在第一金屬柵極表面形成保護(hù)層的方法包括：在濕法清洗溶液內(nèi)加入所述表面活性劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕溶液內(nèi)的表面活性劑的質(zhì)量濃度為2％～8％。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第一金屬柵極、第二偽柵極以及介質(zhì)層的方法包括：在所述半導(dǎo)體襯底表面形成偽柵材料層；刻蝕所述偽柵材料層，在所述第一區(qū)域上形成第一偽柵極，在所述第二區(qū)域上形成第二偽柵極；在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)材料層，對所述介質(zhì)材料層進(jìn)行平坦化，形成介質(zhì)層，使所述介質(zhì)層的表面與所述第一偽柵極、第二偽柵極的表面齊平；去除所述第一偽柵極，在所述第一區(qū)域上形成第一凹槽；形成填充滿所述第一凹槽的第一金屬柵極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一金屬柵極的材料為Al、第二金屬柵極的材料為Al。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一偽柵極和第二偽柵極的材料為多晶硅。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶體管的形成方法，其特征在于，在形成第一金屬柵極之前，在所述第一凹槽內(nèi)壁表面形成第一柵介質(zhì)層；在形成第二金屬柵極之前，在第二凹槽內(nèi)壁表面形成第二柵介質(zhì)層。