技術總結(jié)
一種晶體管的形成方法，所述晶體管的形成方法包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第二區(qū)域和第一區(qū)域，所述第一區(qū)域上形成有第一金屬柵極，所述第二區(qū)域上形成有第二偽柵極，所述半導體襯底表面還具有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層表面與第一金屬柵極、第二偽柵極表面齊平；在第一金屬柵極表面形成保護層，所述保護層由表面活性劑分子吸附構(gòu)成；去除所述第二偽柵極，在第二區(qū)域上形成第二凹槽；形成填充滿所述第二凹槽的第二金屬柵極。上述方法可以提高形成的晶體管的性能。

技術研發(fā)人員：禹國賓;徐小平
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號碼：201510904215
技術研發(fā)日：2015.12.09
技術公布日：2017.06.16