技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：形成包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底；在襯底上形成圖形化的硬掩膜層；在第一區(qū)域形成第一偽柵結(jié)構(gòu)，包括第一偽柵氧化層和第一偽柵電極層，在第二區(qū)域形成第二偽柵結(jié)構(gòu)，包括第二偽柵氧化層和第二偽柵電極層；去除第一偽柵結(jié)構(gòu)頂部的硬掩膜層和第一偽柵結(jié)構(gòu)；在第一鰭部表面形成第一柵氧化層；去除第二偽柵結(jié)構(gòu)頂部的硬掩膜層和第二偽柵結(jié)構(gòu)；分別在第一區(qū)域、第二區(qū)域形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用硬掩膜層保護(hù)第二偽柵結(jié)構(gòu)，避免第二偽柵電極層因形成第一柵氧化層的氧化工藝而被氧化形成氧化層，從而避免去除氧化層的工藝對(duì)介質(zhì)層造成損耗，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號(hào)碼：201510923214
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.11
技術(shù)公布日：2017.06.20