1.一種半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，包含：
利用一閃光燈與一第一光罩，以一第一能量照射一半導(dǎo)體層的一第一部分，使該第一部分變?yōu)橐蝗廴趹B(tài)或一半熔融態(tài)；
結(jié)晶化該第一部分以形成一第一結(jié)晶部分；
利用該閃光燈、該閃光燈與該第一光罩或者該閃光燈與一第二光罩，以一第二能量照射該半導(dǎo)體層的一第二部分，使該第二部分變?yōu)樵撊廴趹B(tài)或該半熔融態(tài)；以及
結(jié)晶化該第二部分以形成一第二結(jié)晶部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，結(jié)晶化該第一部分以形成該第一結(jié)晶部分包含：
從該第一部分以外的一鄰近部分開始結(jié)晶化該第一部分，其中該第一結(jié)晶部分包含一側(cè)向結(jié)晶部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，結(jié)晶化該第二部分以形成該第二結(jié)晶部分包含：
從該第二部分以外的一鄰近部分開始結(jié)晶化該第二部分，其中該第二結(jié)晶部分包含一側(cè)向結(jié)晶部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，利用該閃光燈與該第一光罩，以該第二能量照射該半導(dǎo)體層的該第二部分包含：
透過該第一光罩與該半導(dǎo)體層之間的相對位置變化，利用該閃光燈以該第二能量照射該半導(dǎo)體層的該第二部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，該第一結(jié)晶部分或該第二結(jié)晶部分包含一微結(jié)晶部分。
6.一種半導(dǎo)體層，其特征在于，包含：
一第一結(jié)晶部分，由一熔融態(tài)或一半熔融態(tài)的一第一部分結(jié)晶形成；以及
一第二結(jié)晶部分，由該熔融態(tài)或該半熔融態(tài)的一第二部分結(jié)晶形成；
其中該第一結(jié)晶部分相鄰或部分重疊該第二結(jié)晶部分，該第一部分是透過一閃光燈與一第一光罩以一第一能量照射而變?yōu)樵撊廴趹B(tài)或該半熔融態(tài)，該第二部分是透過該閃光燈、該閃光燈與該第一光罩或者該閃光燈與一第二光罩，以一第二能量照射而變?yōu)樵撊廴趹B(tài)或該半熔融態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體層，其特征在于，該第一結(jié)晶部分包含一側(cè)向結(jié)晶部分，該側(cè)向結(jié)晶部分從該第一部分以外的一鄰近部分開始結(jié)晶形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體層，其特征在于，該第二結(jié)晶部分包含一側(cè)向結(jié)晶部分，該側(cè)向結(jié)晶部分從該第二部分以外的一鄰近部分開始結(jié)晶形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體層，其特征在于，該第二部分是透過該閃光燈以及該第一光罩與該半導(dǎo)體層之間的相對位置變化，以該第二能量照射而變?yōu)樵撊廴趹B(tài)或該半熔融態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體層，其特征在于，該第一結(jié)晶部分或該第二結(jié)晶部分包含一微結(jié)晶部分。