技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體制造方法與半導(dǎo)體層在此揭露，其中半導(dǎo)體層包含第一結(jié)晶部分與第二結(jié)晶部分。第一結(jié)晶部分由熔融態(tài)或半熔融態(tài)的第一部分結(jié)晶形成，第二結(jié)晶部分由熔融態(tài)或半熔融態(tài)的第二部分結(jié)晶形成。第一結(jié)晶部分相鄰或部分重疊第二結(jié)晶部分。第一部分是透過閃光燈與第一光罩以第一能量照射而變?yōu)槿廴趹B(tài)或半熔融態(tài)。第二部分是透過閃光燈、閃光燈與第一光罩或者閃光燈與第二光罩，以第二能量照射而變?yōu)槿廴趹B(tài)或半熔融態(tài)。本發(fā)明可利用閃光燈搭配光罩照射而達(dá)成較大面積的結(jié)晶之外，結(jié)晶的品質(zhì)亦較佳。此外，本發(fā)明亦可達(dá)到同一材料的半導(dǎo)體層的不同部分具有不同的結(jié)晶特性，以提高實(shí)驗(yàn)元件電路的多樣性。

技術(shù)研發(fā)人員：林建宏;劉振宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：宸鴻光電科技股份有限公司
文檔號碼：201510952185
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.17
技術(shù)公布日：2017.06.27