1.一種室溫環(huán)境下激勵(lì)硅中金屬原子擴(kuò)散的方法，是在室溫環(huán)境中對(duì)硅材料或硅器件進(jìn)行質(zhì)子輻照。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，質(zhì)子輻照的能量為1keV～10MeV。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，質(zhì)子輻照的能量為10keV～2MeV。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，質(zhì)子輻照的劑量為1E14/cm2～1E19/cm2。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，質(zhì)子輻照的劑量為1E15/cm2～1E17/cm2。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，質(zhì)子輻照的束流為0.001～5mA。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，質(zhì)子輻照的束流為0.01～1mA。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在對(duì)硅材料或硅器件進(jìn)行質(zhì)子輻照的過程中，通過冷卻水對(duì)硅材料或硅器件進(jìn)行冷卻。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬原子包括過渡金屬原子和非過渡金屬原子。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述過渡金屬原子包括下列元素中的一種或多種：Ti、Cr、Fe和Cu；所述非過渡金屬原子包括下列元素中的一種或多種：Al、Ca、Mg和Li。