技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種室溫環(huán)境下激勵硅中金屬原子擴(kuò)散的方法。在室溫環(huán)境中對硅材料或硅器件進(jìn)行質(zhì)子輻照，激勵金屬原子在硅中擴(kuò)散。該方法簡便快捷、成本低廉，受二次污染的程度遠(yuǎn)較高溫處理方法為小，在硅中金屬的吸雜和摻雜領(lǐng)域都有潛在的應(yīng)用前景。并且，由于不需高溫，該方法不僅能應(yīng)用于硅材料，還適用于大規(guī)模集成電路、太陽能電池、光電探測器等硅器件中金屬的原子擴(kuò)散。

技術(shù)研發(fā)人員：秦國剛;侯瑞祥;彭士香;張景豐;張艾霖;李艷平;徐萬勁;李磊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué)
文檔號碼：201510961977
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.21
技術(shù)公布日：2017.06.27