1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成蝕刻停止層、層間介電層和具有接觸孔開口圖案的掩膜層；
蝕刻所述層間介電層，直至在所述接觸孔開口圖案的下部殘留部分層間介電層；
去除所述掩膜層；
完全去除位于所述接觸孔開口圖案下部的所述殘留的層間介電層，以形成貫通所述層間介電層的接觸孔，同時圓化位于所述接觸孔頂部附近的所述層間介電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在完全去除位于所述接觸孔開口圖案下部的所述殘留的層間介電層的步驟中，所述層間介電層的表面部分也被同時去除。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述層間介電層表面部分被去除的部分的厚度為100埃-200埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層包括自下而上層疊的先進圖案化層和抗反射涂層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述具有接觸孔開口圖案的掩膜層的步驟包括：在所述掩膜層上通過旋涂、曝光、顯影工藝形成具有所述接觸孔開口圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，蝕刻所述掩膜層，在所述掩膜層中形成所述接觸孔開口圖案；通過灰化工藝去除所述光刻膠層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述殘留的層間介電層的厚度為100埃-200埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過剝離工藝去除所述掩膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述殘留的層間介電層之后，還包括去除露出的所述蝕刻停止層的步驟。
9.一種采用權(quán)利要求1-8之一所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。
10.一種電子裝置，所述電子裝置包括權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件。