實施例涉及一種用于改善照明效率的發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

一般地，因為化合物半導(dǎo)體將電能轉(zhuǎn)化成光能，并且還可以通過調(diào)節(jié)化合物半導(dǎo)體的成分比而實施多種顏色，所以可以使用元素周期表中的III和V族化合物半導(dǎo)體來制造發(fā)光器件。

當(dāng)施加正向電壓使得n型層的電子與p型層的空穴重新結(jié)合時，發(fā)光器件發(fā)出與導(dǎo)帶與價帶之間的帶隙能相對應(yīng)的能量。通常以熱或光的形式來發(fā)射這種能量。發(fā)光器件發(fā)出呈光形式的能量。舉例來講，氮化物半導(dǎo)體由于其高熱穩(wěn)定性和寬帶隙能而在光學(xué)裝置以及高能電子裝置的開發(fā)領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注。特別地，使用氮化物半導(dǎo)體的藍色發(fā)光器件、綠色發(fā)光器件、紫外線(UV)發(fā)光器件等已經(jīng)被商業(yè)化并且得到廣泛的使用。

通過在硅襯底上順序地堆疊由GaN材料構(gòu)成的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及有源層、以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，形成根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的氮化物半導(dǎo)體。為了防止由于硅襯底與GaN層之間的晶格失配與熱膨脹系數(shù)差異所引起的應(yīng)變，在硅襯底和第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間布置緩沖層。

通常由生長AlGaN、并且由用于增加或減少自襯底的表面的Al成分比的方法形成這樣的緩沖層。

Al成分比自襯底表面減少的情形下的應(yīng)變控制比Al成分比自襯底表面增加的情形下的應(yīng)變控制更有效。然而，在Al成分比自襯底表面減少的情形下，存在的限制在于，由GaN生長過程中所施加的強壓縮應(yīng)變引起了塑性變形。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

本實施例提供一種能夠通過有效控制襯底與GaN層之間的應(yīng)變能夠改善照明效率(luminous efficiency)的發(fā)光器件。

技術(shù)方案

根據(jù)實施例的發(fā)光器件包括：襯底、布置在襯底上的第一緩沖層、含有Al且布置在第一緩沖層上的第二緩沖層、布置在第二緩沖層上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層、以及布置在有源層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。其中，第二緩沖層包括水平布置的第一層和第二層，并且，第一層的Al成分比朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而增加，第二層的Al成分比朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而降低。

有益效果

根據(jù)實施例，可以通過水平地布置第一層和第二層有效地控制由襯底與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的晶格失配與熱膨脹系數(shù)差異所引起的應(yīng)變。其中，第一層的Al成分比是線性增加的，第二層的Al成分比是線性下降的。

此外，根據(jù)實施例，通過形成第二層使得第二層的寬度大于第一層，可以施加非常強的壓縮應(yīng)變，從而非常有效地控制應(yīng)變。

附圖說明

圖1是根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的橫截面視圖。

圖2是根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件中緩沖層的橫截面視圖。

圖3是根據(jù)第一實施例的緩沖層中Al成分比的曲線圖。

圖4是根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件中緩沖層和u-GaN層的橫截面視圖。

圖5是根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的橫截面視圖。

圖6是根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件中緩沖層的橫截面視圖。

圖7是根據(jù)第二實施例的緩沖層中Al成分比的曲線圖。

圖8是根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件的橫截面視圖。

圖9是根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件中緩沖層的橫截面視圖。

圖10是根據(jù)第三實施例的緩沖層中Al成分比的曲線圖。

圖11是根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件的橫截面視圖。

圖12是根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件中緩沖層的橫截面視圖。

圖13是根據(jù)第四實施例的緩沖層中Al成分比的曲線圖。

圖14至圖20是用于制造根據(jù)第一實施發(fā)光器件的方法的橫截面視圖。

圖21是具有根據(jù)實施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的橫截面視圖。

圖22至圖24是分別具有根據(jù)實施例的發(fā)光器件的照明系統(tǒng)實施例的分解立體圖。

具體實施方式

下文將參照附圖對各實施例進行詳細的描述。

圖1是根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的橫截面視圖，圖2是根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件中緩沖層的橫截面視圖，圖3是根據(jù)第一實施例的緩沖層中Al成分比的曲線圖，圖4是根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件中緩沖層和u-GaN層的橫截面視圖。

參照圖1，根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件包括：襯底110；布置在襯底110上的緩沖層120；布置在緩沖層120上的u-GaN層181；布置在u-GaN層181上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130；布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上的電流擴散層182；布置在電流擴散層182上的應(yīng)變控制層183；布置在應(yīng)變控制層183上的有源層140；布置在有源層140上的電子阻擋層184；布置在電子阻擋層184上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150；布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150上的透明電極層185；布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上的第一電極160；以及布置在透明電極層185上的第二電極170。

襯底110可以由具有優(yōu)秀導(dǎo)熱性的材料構(gòu)成，并且可以是導(dǎo)電襯底或絕緣襯底。例如，襯底110可以使用選自藍寶石(Al₂O₃)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge和Ga₂O₃中的至少一種。

緩沖層120可以被布置在襯底110上。

緩沖層120起到減少襯底110與發(fā)光結(jié)構(gòu)的材料之間晶格失配的作用。緩沖層120可以包括III-V族化合物半導(dǎo)體。緩沖層120可以由包括Al的材料構(gòu)成。緩沖層120可以由選自AlN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一種構(gòu)成。下文將參照附圖詳細說明緩沖層120。

u-GaN(未摻雜的GaN)層181可以被布置在緩沖層120上。u-GaN層181可以起到改善膜質(zhì)量的作用。

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以被布置在u-GaN層181上。

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以包括例如n型半導(dǎo)體層。可以使用化合物半導(dǎo)體實施第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130?？梢允褂弥T如II-VI族化合物半導(dǎo)體或III-V族化合物半導(dǎo)體實施第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130。

可以使用具有經(jīng)驗公式為In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料實施第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以選自諸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等，并且可以摻雜有n型摻雜物比如Si、Ge、Sn、Se、或Te。

通過改善內(nèi)部量子效率，電流擴散層182可以增加照明效率并且可以是無摻雜的氮化鎵(GaN)層。電子注入層(未示出)還可以形成在電流擴散層182上。電子注入層可以是氮化鎵層。例如，因為在電子注入層中n型摻雜元素被摻雜至大約6.0×10¹⁸原子/cm³至大約3.0×10¹⁹原子/cm³的濃度，所以可以有效地注入電子。

應(yīng)變控制層183可以形成在電流擴散層182上。

應(yīng)變控制層183起到有效地減少由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130與有源層140之間的晶格失配所引起的應(yīng)力的作用。

應(yīng)變控制層183的晶格常數(shù)可以大于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的晶格常數(shù)并且小于有源層140的晶格常數(shù)。因此，應(yīng)變控制層183可以最小化由有源層140與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間的晶格常數(shù)不同所引起的應(yīng)力。

有源層140可以被布置在應(yīng)變控制層183上。

當(dāng)通過第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130注入的電子(或空穴)和通過第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150注入的空穴(或電子)相互之間重新結(jié)合時，由于根據(jù)用于形成有源層140的能帶的帶隙差異，有源層140是發(fā)光的層。有源層140可以形成為具有單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)構(gòu)、單量子點結(jié)構(gòu)或量子線結(jié)構(gòu)，但實施例并不局限于此。

可以使用化合物半導(dǎo)體實施有源層140?？梢允褂弥T如II-VI族化合物半導(dǎo)體或III-V族化合物半導(dǎo)體實施有源層140?？梢酝ㄟ^使用諸如具有經(jīng)驗公式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料實施有源層140。當(dāng)有源層140被實施為具有多阱結(jié)構(gòu)時，可以通過堆疊多個阱層和多個勢壘層實施有源層140。例如，有源層140可以被實施為具有InGaN阱層/GaN勢壘層的循環(huán)。

電子阻擋層(EBL)184可以被布置在有源層140上。

電子阻擋層184可以起到電子阻擋和有源層的多量子阱(Multiple Quantum Well，MQW)包覆的作用，并且因此可以改善照明效率。電子阻擋層184可以由基于Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1)的半導(dǎo)體構(gòu)成，并且可以具有比有源層140的能帶隙低的能帶隙，并且可以被形成為具有大約至大約的厚度，但實施例并不局限于此。可替代地，電子阻擋層184可以被形成為具有Al_zGa_(1-z)N/GaN(0≤z≤1)超晶格。

第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150可以被布置在電子阻擋層184上。

第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150可以被實施為諸如p型半導(dǎo)體層。可以使用化合物半導(dǎo)體實施第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150?？梢允褂弥T如II-VI族化合物半導(dǎo)體或III-V族化合物半導(dǎo)體實施第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150。

可以使用具有經(jīng)驗公式為In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料實施第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150可以選自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等，并且可以摻雜有p型摻雜物，比如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130可以包括p型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150可以包括n型半導(dǎo)體層。另外，包括n型或p型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層還可以形成在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150之下。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有np結(jié)結(jié)構(gòu)、pn結(jié)結(jié)構(gòu)、npn結(jié)結(jié)構(gòu)以及pnp結(jié)結(jié)構(gòu)中的任何一種。

在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150內(nèi)部的雜質(zhì)的摻雜濃度可以是相同的或不相同的。即，發(fā)光結(jié)構(gòu)可以被形成為具有多種結(jié)構(gòu)，并且實施例不局限于此。

透明電極層185可以被布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150上。

可以通過多次堆疊單金屬、金屬合金和/或金屬氧化物形成透明電極層185，使得載流子被有效地注入。舉例來說，透明電極層185可以由具有與半導(dǎo)體極好接觸的材料構(gòu)成。透明電極層185可以包括選自銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)、鎵鋅氧化物(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、ZnO、IrO_x、RuO_x、NiO、RuO_x/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrO_x/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一種，但并不局限于這些。

第二電極170形成在透明電極層185上，第一電極160形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的部分暴露的上部之上。第一電極160和第二電極170可以由金屬或合金構(gòu)成，例如，包括Cr、Ti、Ag、Ni、RH、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的任何一種。之后，可以通過將第一電極160和第二電極170連接至彼此而最終完成發(fā)光器件的制造。

同時，如圖2所示，根據(jù)第一實施例的緩沖層120可以包括第一緩沖層122和第二緩沖層124。

第一緩沖層122可以包括AlN。盡管第一緩沖層122被示為形成為一層，但是它可以被形成為兩層或三層。第二緩沖層124可以被布置在第一緩沖層122上。第二緩沖層124的高度h2可以等于第一緩沖層122的高度h1。

第二緩沖層124可以包括AlGaN。第二緩沖層124可以被布置為以便接觸u-GaN層181。第二緩沖層124可以包括第一層124a和第二層124b。可以水平布置多個第一層124a和第二層124b。多個第一層124a和多個第二層124b可以被水平地并且交替地布置。多個第一層124a和多個第二層124b可以徑向地并且交替地布置。第二層124b可以被布置在第二緩沖層124的最外側(cè)部分。因為第二層124b被布置在第二緩沖層124的最外側(cè)部分，所以更多的第二層124b可以形成在第二緩沖層124上。

第二層124b的寬度W2比第一層124a的寬度W1大。第一層124a的高度h1可以等于第二層124b的高度h2。多個第一層124a可以形成為具有相同寬度或不同寬度。多個第二層124b可以形成為具有相同寬度或不同寬度。

如圖3所示，第一層124a可以包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第一層124a的Al成分比可以線性增加。在鄰近第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的第一層124a的部分，Al成分比可以為大約100％。朝著襯底110，第一層124a的Al成分比可以線性下降。在鄰近襯底110的第一層124a的部分，Al成分比可以為大約0％。

第二層124b可以包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第二層124b的Al成分比可以線性下降。在鄰近第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的第二層124b的部分，Al成分比可以為大約0％。朝著襯底110，第二層124b的Al成分比可以線性增加。在鄰近襯底110的第二層124b的部分，Al成分比可以為大約100％。

如前所述，通過水平布置其Al成分比朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130線性增加的第一層124a和其Al成分比朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130線性下降的第二層124b，緩沖層120可以有效地控制由襯底110與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間的物理性質(zhì)(例如晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異)所引起的應(yīng)變。

如圖4所示，當(dāng)?shù)诙?24b的寬度大于第一層124a的寬度時，非常強的壓縮應(yīng)變被施加于u-GaN層181。因此，這樣可以非常有效地控制應(yīng)變。也就是說，因為相比于當(dāng)?shù)谝粚?24a的寬度等于第二層124b的寬度時，壓縮應(yīng)變被更強地施加于u-GaN層181，所以可以非常有效地控制應(yīng)變。另外，因為第一層124a被布置在第二層124b之間，所以可以減小晶格失配以防止產(chǎn)生錯位。

圖5是根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的橫截面視圖，圖6是根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件中緩沖層的橫截面視圖，圖7是根據(jù)第二實施例的緩沖層中Al成分比的曲線圖。

參照圖5，根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件包括：襯底110；布置在襯底110上的緩沖層220；布置在緩沖層220上的u-GaN層181；布置在u-GaN層181上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130；布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上的電流擴散層182；布置在電流擴散層182上的應(yīng)變控制層183；布置在應(yīng)變控制層183上的有源層140；布置在有源層140上的電子阻擋層184；布置在電子阻擋層184上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150；布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150上的透明電極層185；布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上的第一電極160；以及布置在透明電極層185上的第二電極170。這里，因為除緩沖層以外的元件與根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的元件相同，所以將省略其多余的描述。

如圖6所示，根據(jù)第二實施例的緩沖層220可以包括第一緩沖層222和第二緩沖層224。

第一緩沖層222可以包括AlN。第二緩沖層224可以被布置在第一緩沖層222上。第二緩沖層224可以包括AlGaN。

第二緩沖層224可以包括一個或多個第一層224a以及一個或多個第二層224b。第一層224a和第二層224b可以被水平地并且交替地布置。第一層224a和第二層224b可以被徑向地并且交替地布置。第二層224b可以被布置在第二緩沖層224的最外側(cè)部分。第二層224b的寬度大于第一層224a的寬度。第一層224a的高度可以等于第二層224b的高度。

如圖7所示，第一層224a可以包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第一層224a的Al成分比可以非線性增加。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第一層224a的Al成分比可以以向下凸形式非線性增加。在鄰近第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的第一層224a的部分，Al成分比可以為大約100％。在鄰近襯底110的第一層224a部分，Al成分比可以為大約0％。

第二層124b可以包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第二層124b的Al成分比可以非線性下降。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第二層124b的Al成分比可以以向上凸形式非線性下降。在鄰近第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的第二層224b的部分，Al成分比可以為大約0％。在鄰近襯底110的第二層224b部分，Al成分比可以為大約100％。

如前所述，通過水平地布置朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130其Al成分比非線性增加的第一層224a以及朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130其Al成分比非線性下降的第二層224b，緩沖層220可以有效地控制由襯底110與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間的物理性質(zhì)(例如晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異)所引起的應(yīng)變。

圖8是根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件橫截面視圖，圖9是根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件中緩沖層的橫截面視圖，圖10是根據(jù)第三實施例的緩沖層中Al成分比的曲線圖。

參照圖8，根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件包括：襯底110；布置在襯底110上的緩沖層320；布置在緩沖層320上的u-GaN層181；布置在u-GaN層181上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130；布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上的電流擴散層182；布置在電流擴散層182上的應(yīng)變控制層183；布置在應(yīng)變控制層183上的有源層140；布置在有源層140上的電子阻擋層184；布置在電子阻擋層184上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150；布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150上的透明電極層185；布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上的第一電極160；以及布置在透明電極層185上的第二電極170。這里，因為除緩沖層以外的元件與根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的元件相同，所以將省略其多余的描述。

如圖9所示，根據(jù)第三實施例的緩沖層320可以包括第一緩沖層322和第二緩沖層324。

第一緩沖層322可以包括AlN。第二緩沖層324可以被布置在第一緩沖層322上。第二緩沖層324可以包括AlGaN。

第二緩沖層324可以包括一個或更多第一層324a以及一個或多個第二層324b。第一層324a和第二層324b可以被水平地并且交替地布置。第一層324a和第二層324b可以徑向地并且交替地布置。第二層324b可以被布置在第二緩沖層324的最外側(cè)部分。第二層324b的寬度大于第一層324a的寬度。第一層324a的高度可以等于第二層324b的高度。

如圖10所示，第一層324a可以包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第一層324a的Al成分比可以非線性增加。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第一層324a的Al成分比可以以向上凸形式非線性增加。在鄰近第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的第一層324a的部分，Al成分比可以為大約100％。在鄰近襯底110的第一層324a部分，Al成分比可以為大約0％。

第二層324b可以包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第二層324b的Al成分比可以非線性下降。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第二層324b的Al成分比可以以向下凸形式非線性下降。在鄰近第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的第二層324b部分，Al成分比可以為大約0％。在鄰近襯底110的第二層324b的部分，Al成分比可以為大約100％。

如前所述，通過水平地布置朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130其Al成分比非線性增加的第一層324a以及朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130其Al成分比非線性下降的第二層324b，緩沖層320可以有效地控制因襯底110與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間的物理性質(zhì)(例如晶格失配或熱膨脹系數(shù)差異)引起的應(yīng)變。

圖11是根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件的橫截面視圖，圖12是根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件中緩沖層的橫截面視圖，圖13是根據(jù)第四實施例的緩沖層中Al成分比的曲線圖。

參照圖11，根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件包括：襯底110；布置在襯底110上的緩沖層420；布置在緩沖層420上的u-GaN層181；布置在u-GaN層181上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130；布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上的電流擴散層182；布置在電流擴散層182上的應(yīng)變控制層183；布置在應(yīng)變控制層183上的有源層140；布置在有源層140上的電子阻擋層184；布置在電子阻擋層184上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150；布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150上的透明電極層185；布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上的第一電極160；以及布置在透明電極層185上的第二電極170。在這里，因為除緩沖層以外的元件與根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的元件相同，所以將省略其多余的描述。

如圖12所示，根據(jù)第四實施例的緩沖層420可以包括第一緩沖層422和第二緩沖層424。

第一緩沖層422可以包括AlN。第二緩沖層424可以被布置在第一緩沖層422上。第二緩沖層424可以包括AlGaN。

第二緩沖層424可以包括一個或更多第一層424a以及一個或更多第二層424b。第一層424a和第二層424b可以被水平地并且交替地布置。第一層424a和第二層424b可以被徑向地并且交替地布置。第二層424b可以被布置在第二緩沖層424的最外側(cè)部分。第二層424b的寬度大于第一層424a的寬度。第一層424a的高度可以等于第二層424b的高度。

如圖13所示，第一層424a可以包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第一層424a的Al成分比可以以階梯式形式增加。在鄰近第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的第一層424a的部分，Al成分比可以為大約100％。在鄰近襯底110的第一層424a的部分，Al成分比可以為大約0％。

第二層424b可以包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，第二層424b的Al成分比可以以階梯式形式下降。在鄰近第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的第二層424b部分，Al成分比可以為大約0％。在鄰近襯底100的第二層424b的部分，Al成分比可以為大約100％。

如前文所述，可以通過水平地布置朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130其Al成分比以階梯式形式增加的第一層424a以及朝著第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130其Al成分比以階梯式形式下降的第二層424b，緩沖層420可以有效地控制由襯底110與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130之間的物理性質(zhì)(例如晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異)所引起的應(yīng)變。

下文中，將描述用于制造根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的方法。圖14至圖20是用于制造根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的方法的橫截面視圖。

如圖14所示，當(dāng)制備襯底110時，第一緩沖層122形成在襯底110的一個表面上?？梢酝ㄟ^金屬有機氣相沉積(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)在襯底110上沉積AlN至一定厚度形成第一緩沖層122。除了MOCVD，可以通過化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、分子束外延(molecular beam epitaxy，MBE)或濺射形成第二緩沖層122。

如圖15所示，當(dāng)?shù)谝痪彌_層122形成在襯底110上時，第一掩膜層M1形成在緩沖層122上?？梢酝ㄟ^使用PR或SiO₂形成第一掩膜層M1，并且第一掩膜層M1可以僅僅形成在第一緩沖層122的一些區(qū)域中。

如圖16所示，當(dāng)?shù)谝谎谀覯1形成在第一緩沖層122上時，第二緩沖層的第一層124a形成在第一掩膜層M1之間?？梢酝ㄟ^使用AlGaN選擇性地形成第一層124a。可以通過增加Al成分比形成第一層124a。

如圖17所示，當(dāng)?shù)谝粚?24a形成在第一緩沖層122上時，第二掩膜層M2形成在第一層124a上。可以通過使用PR或SiO₂形成第二掩膜層M2。

如圖18所示，當(dāng)?shù)诙谀覯2形成在第一層124a上時，第二層124b選擇地生長在第一層124a之間?？梢酝ㄟ^使用AlGaN選擇性地形成第二層124b?？梢酝ㄟ^減少Al成分比形成第二層124b。當(dāng)形成第一層124a和第二層124b時，可以去除第二掩膜層M2。

如圖19所示，當(dāng)?shù)诙彌_層124的第一層124a和第二層124b形成在第一緩沖層122上時，u-GaN層181、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130、電流擴散層182、應(yīng)變控制層183、有源層140、電子阻擋層184、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150、以及透明電極層185順序地形成在第二緩沖層124上。

可以通過MOCVD沉積GaN形成u-GaN層181?？梢酝ㄟ^MOCVD沉積GaN形成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130，也可以通過沉積III-V族化合物或II-VI族化合物形成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130。另外，可以通過往腔室內(nèi)注入包括n型雜質(zhì)的硅烷氣體(SiH₄)，例如三甲基鎵(TMGa)、氨氣(NH₃)、氮氣(N₂)和硅(Si)，形成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130。

可以通過MOCV沉積電流擴散層182和應(yīng)變控制層183以具有一定厚度。在大約700℃至大約950℃的范圍中的某個生長溫度下，可以通過選擇性地提供H₂和/或TMGa(或TEGa)、TMIn和TMAl作為源，形成由GaN或InGaN構(gòu)成的阱層和由GaN、AlGaN、InGaN或InAlGaN構(gòu)成的勢壘層來生長有源層140。

可以通過注入離子形成電子阻擋層184。例如，電子阻擋層184可以由具有大約1％至大約30％的Al成分比的Al_xIn_yGa_(1-x-y)構(gòu)成。

可以通過在電子阻擋層184上注入雙(乙基環(huán)戊二烯基)鎂[EtCp₂Mg＝Mg(C₂H₅C₅H₄)₂]形成第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150，并且因此，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150可以形成為p型GaN層?？梢酝ㄟ^沉積ITO形成透明電極層185。

如圖20所示，當(dāng)透明電極層185形成在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體150上時，可以執(zhí)行臺面刻蝕工藝以部分地暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130。例如，可以通過部分地去除透明電極層185、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層150、電子阻擋層184、有源層140、應(yīng)變控制層183以及電流擴散層182部分地暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130的上部。

當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層130的上部被部分地暴露時，可以通過在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層130上形成第一電極160以及在透明電極層185上形成第二電極170完成根據(jù)實施例的發(fā)光器件的制造過程。

圖21是具有根據(jù)實施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的橫截面視圖。

如圖21所示，發(fā)光器件封裝500包括封裝體單元505；被布置在封裝體單元505上的第三電極層513和第四電極層514；布置在封裝體單元505上并且被電連接至第三電極層513和第四電極層514的發(fā)光器件100；以及包圍發(fā)光器件100的成型構(gòu)件530。

封裝體單元505可以由硅材料、合成樹脂材料或金屬材料構(gòu)成，并且可以在發(fā)光器件100周圍具有斜面。

第三電極層513和第四電極層514彼此電隔離，并且起到為發(fā)光器件100供電的作用。另外，第三電極層513和第四電極層514可以起到反射由發(fā)光器件100產(chǎn)生的光的作用以此改善照明效率，并且可以起到將發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱量釋放到外部的作用。

發(fā)光器件100可以被布置在封裝體單元505上，或可以被布置在第三電極層513或第四電極層514上。

可以通過導(dǎo)線方法、倒裝芯片方法以及裸片接合方法中的任何一種將發(fā)光器件100電連接至第三電極層513和/或第四電極層514。在實施例中，發(fā)光器件100被例證為通過導(dǎo)線電連接至第三電極層513和第四電極層514，但實施例并不限于此。

通過包圍發(fā)光器件100，成型構(gòu)件530可以保護發(fā)光器件100。另外，因為成型構(gòu)件530包括熒光體532，所以成型構(gòu)件530可以改變通過發(fā)光器件100發(fā)出的光的波長。

圖22至圖24是分別具有根據(jù)實施例的發(fā)光器件的照明系統(tǒng)實施例的分解立體圖。

如圖22所示，根據(jù)實施例的照明系統(tǒng)可以包括蓋2100、光源模塊2200、散熱器2400、供電單元2600、內(nèi)殼2700、以及插座2800。另外，根據(jù)實施例的照明系統(tǒng)還可以包括至少一個構(gòu)件2300和保持器2500。光源模塊2200可以包括根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件100或發(fā)光器件封裝200。

例如，蓋2100可以具有燈泡形狀或半球狀并且可以是中空的，以及蓋2100的一部分可以是開口的。蓋2100可以被光學(xué)地耦合至光源模塊2200。例如，蓋2100可以漫射、散射或激發(fā)光源模塊2200所提供的光。蓋2100可以是一類光學(xué)構(gòu)件。蓋2100可以被耦合至散熱器2400。蓋2100可以具有被耦合至散熱器2400的耦合部。

蓋2100的內(nèi)表面可以涂覆有象牙白色顏料。象牙白色顏料可以包括漫射光的漫射材料。蓋2100內(nèi)表面的表面粗糙度可以大于蓋2100外表面的表面粗糙度，以便充分地散射和漫射來自光源模塊2200的光，并且將被漫射和散射的光釋放到外部。

蓋2100的材料可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)等。聚碳酸酯(PC)具有良好的耐光性、良好的耐熱性、以及良好的強度。蓋2100可以是透明的，使得可以從外部看見光源模塊2200，或蓋2100可以是不透明的?？梢酝ㄟ^吹塑成型(blow molding)形成蓋2100。

光源模塊2200可以被布置在散熱器2400的一個表面上。因此，來自光源模塊2200的熱量被傳送到散熱器2400。光源模塊2200可以包括光源單元2210、連接板2230、以及連接器2250。

構(gòu)件2300被布置在散熱器2400上并且包括插入多個光源單元2210和連接器2250的導(dǎo)向槽2310。每個導(dǎo)向槽2310與光源單元2210和連接器2250的襯底相對應(yīng)。

構(gòu)件2300的表面可以被施加或涂覆反光材料。構(gòu)件2300的表面可以被施加或涂覆白色顏料。構(gòu)件2300反射光，光被蓋2100的內(nèi)表面反射，并且返回光源模塊2200，再返回蓋2100。因此，能夠改善根據(jù)實施例的照明系統(tǒng)的照明效率。

構(gòu)件2300可以由諸如絕緣材料構(gòu)成。光源模塊2200的連接板2230可以包括導(dǎo)電材料。因此，散熱器2400可以電接觸連接板2230。因為構(gòu)件2300由絕緣材料構(gòu)成，所以構(gòu)件2300可以防止連接板2230與散熱器2400之間的電短路。散熱器2400接收來自光源模塊2200和供電單元2600的熱量并且輻射所接收到的熱量。

保持器2500覆蓋內(nèi)殼2700中絕緣部2710的容納槽(accommodation groove)2719。因此，被容納在內(nèi)殼2700的絕緣部2710中的供電單元2600被緊緊地密封。保持器2500具有引導(dǎo)突起2510。引導(dǎo)突起2510具有供電單元2600的突起2610穿過的孔。

供電單元2600處理或轉(zhuǎn)換從外部接收到的電信號，并且將處理或轉(zhuǎn)換后的電信號提供至光源模塊2200。供電單元2600被容納在內(nèi)殼2700的容納槽2719中，并且通過保持器2500被密封在內(nèi)殼2700內(nèi)。

供電單元2600可以包括突起2610、引導(dǎo)部2630、底座2650以及延伸部2670。

引導(dǎo)部2630具有從底座2650的一側(cè)向外突出的形狀。引導(dǎo)部2630可以被插入保持器2500。多個組件可以布置在底座2650的一個表面上。多個組件可以包括，例如將外部電源提供的AC電力轉(zhuǎn)換為DC電力的DC轉(zhuǎn)換器、控制光源模塊2200驅(qū)動的驅(qū)動芯片、以及保護光源模塊2200的靜電放電(ESD)保護裝置，但不限于此。

延伸部2670具有從底座2650另一側(cè)向外突出的形狀。延伸部2670被插入內(nèi)殼2700的連接部2750并且接收來自外部的電信號。例如，延伸部2670的寬度可以等于或小于內(nèi)殼2700的連接部2750的寬度。正(+)導(dǎo)線的一端和負(-)導(dǎo)線的一端可以被電連接至延伸部2670，并且正(+)導(dǎo)線的另一端與負(-)導(dǎo)線的另一端可以被電連接至插座2800。

連同供電單元2600，內(nèi)殼2700可以在其中包括成型部。可以通過硬化成型液體來形成成型部并且成型部可以將供電單元2600固定至內(nèi)殼2700的內(nèi)部。

如圖23所示，根據(jù)實施例的照明系統(tǒng)可以包括蓋3100、光源單元3200、散熱器3300、電路單元3400、內(nèi)殼3500、以及插座3600。光源單元3200可以包括根據(jù)實施例的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝。

蓋3100可以具有燈泡形狀并且是中空的。蓋3100具有開口3110。可以通過開口3110插入光源單元3200和構(gòu)件3350。

蓋3100可以被耦合至散熱器3300并且包圍光源單元3200和構(gòu)件3350。由于蓋3100與散熱器3300之間的耦合，所以光源單元3200和構(gòu)件3350可以與外界隔絕?？梢酝ㄟ^粘合劑或諸如旋轉(zhuǎn)耦合方法以及鉤耦合方法多種方法將蓋3100耦合至散熱器3300。旋轉(zhuǎn)耦合方法是蓋3100的螺紋耦合至散熱器3300的螺紋槽的方法，并且通過旋轉(zhuǎn)蓋3100將蓋3100耦合至散熱器3300。鉤耦合方法是蓋3100的突起被插入散熱器3300的槽使得蓋3100被耦合至散熱器3300的方法。

蓋3100可以被光學(xué)地耦合至光源單元3200。特別地，蓋3100可以漫射、散射、或激發(fā)來自光源單元3200的光。蓋3100可以是一類光學(xué)構(gòu)件。蓋3100可以在其內(nèi)/外表面中或內(nèi)部具有熒光體，以便激發(fā)來自光源單元3200的光。

蓋3100的內(nèi)表面可以涂覆有象牙白色顏料。象牙白色顏料可以包括漫射光的漫射材料。蓋3100的內(nèi)表面的表面粗糙度可以大于蓋3100的外表面的表面粗糙度，以便充分地散射或漫射來自光源單元3200的光。

蓋3100的材料可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)等。聚碳酸酯(PC)具有良好的耐光性、良好的耐熱性、以及良好的強度。蓋3100可以由透明材料構(gòu)成，通過該透明材料使得從外部看見光源單元3200和構(gòu)件3350，或蓋3100可以由不透明材料構(gòu)成，通過該不透明材料使得從外部看不見光源單元3200和構(gòu)件3350?？梢酝ㄟ^吹塑成型形成蓋3100。

光源單元3200可以被布置在散熱器3300的構(gòu)件3350上并且可以布置有多個。特別地，光源單元3200可以被布置在構(gòu)件3350中多個側(cè)表面的至少一個上。光源單元3200可以被布置在構(gòu)件3350中至少一個側(cè)表面的上部之上。

多個光源單元3200可以分別被布置在構(gòu)件3350中六個側(cè)表面的三個之上。但是，實施例不局限于此，多個光源單元3200可以分別被布置在構(gòu)件3350中的全部六個側(cè)表面之上。光源單元3200可以包括襯底3210和發(fā)光器件3230。發(fā)光器件3230可以被布置在襯底3210的一個表面上。

襯底3210可以具有四角形板狀，但并不局限于此。襯底3210可以具有多種形狀。例如，襯底3210可以具有圓形板狀或多邊形板狀?？梢酝ㄟ^在絕緣體上印刷電路圖案提供襯底3210，并且例如，襯底3210包括通用印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB等。另外，襯底3210可以包括板上芯片型(COB)，其中未封裝的LED芯片被直接接合在通用PCB上。此外，襯底3210可以由有效地反射光的材料構(gòu)成，或者襯底3210的表面可以具有顏色(例如有效地反射光的白色或銀色)。襯底3210可以被電連接至被容納在散熱器3300中的電路單元3400?？梢酝ㄟ^例如導(dǎo)線將襯底3210和電路單元3400相互連接。導(dǎo)線可以通過散熱器3300將襯底3210與電路單元3400相互連接。

發(fā)光器件3230可以包括發(fā)出紅光、綠光和藍光的發(fā)光二極管芯片，或者發(fā)射UV的發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片可以是橫向型或豎直型。發(fā)光二極管可以發(fā)出藍光、紅光、黃光、綠光。

發(fā)光器件3230可以具有熒光體。熒光體可以包括基于石榴石熒光體(YAG或TAG)、基于硅酸鹽熒光體、基于氮化物熒光體、以及基于氮氧化物熒光體中的至少一種?？商娲?，熒光體可以包括黃色熒光體、綠色熒光體、以及紅色熒光體中的至少一種。

散熱器3300可以被耦合至蓋3100并且輻射來自光源單元3200的熱量。散熱器3300具有一定體積并且具有上表面3310和側(cè)表面3330。構(gòu)件3350可以被布置在散熱器3300的上表面3310上。散熱器3300的上表面3310可以被耦合至蓋3100。散熱器3300的上表面3310可以具有對應(yīng)于蓋3100的開口3110的形狀。

多個散熱引腳3370可以被布置在散熱器3300的側(cè)表面3330上。散熱引腳3370可以從散熱器3300的側(cè)表面3330向外延伸或者可以被連接至散熱器3300的側(cè)表面3330。通過增加散熱器3300的散熱面積，散熱引腳3370可以改善散熱效率。側(cè)表面3330可以不包括散熱引腳3370。

構(gòu)件3350可以被布置在散熱器3300的上表面3310上。構(gòu)件3350可以與散熱器3300的上表面3310集成或者被耦合至散熱器3300的上表面3310。構(gòu)件3350可以具有多邊形棱柱狀。特別地，構(gòu)件3350可以具有六邊形棱柱狀。具有六邊形棱柱狀的構(gòu)件3350具有上表面、下表面、以及六個側(cè)表面。構(gòu)件3350可以具有圓形棱柱狀或橢圓形棱柱狀以及六邊形棱柱狀。當(dāng)構(gòu)件3350具有圓形棱柱狀或橢圓形棱柱狀時，光源單元3200的襯底3210可以是柔性襯底。

多個光源單元3200可以分別被布置在構(gòu)件3350的六個側(cè)表面上。多個光源單元3200可以被布置在構(gòu)件3350中六個側(cè)表面的全部側(cè)表面或部分側(cè)表面上。圖23所示的多個光源單元3200被分別布置在六個側(cè)表面的三個側(cè)表面之上。

襯底3210被布置在構(gòu)件3350的側(cè)表面上。構(gòu)件3350的側(cè)表面可以大致垂直于散熱器3300的上表面3310。因此，襯底3210和散熱器3300的上表面3310大致相互垂直。

構(gòu)件3350的材料可以包括具有導(dǎo)熱性的材料，以便確保構(gòu)件3350快速地接收光源單元3200產(chǎn)生的熱量。構(gòu)件3350的材料可以包括諸如鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎂(Mg)、銀(Ag)、和錫(Sn)的金屬的合金?？纱娴?，構(gòu)件3350可以由具有導(dǎo)熱性的塑料構(gòu)成。具有導(dǎo)熱性的塑料比金屬輕并且具有單向?qū)嵝浴?/p>

電路單元3400從外部接收電力，并且將所接收到的電力轉(zhuǎn)換成適合于光源單元3200的電力。電路單元3400將轉(zhuǎn)換后的電力提供給光源單元3200。電路單元3400可以被布置在散熱器3300中。特別地，電路單元3400可以被容納在內(nèi)殼3500中并且與內(nèi)殼3500一起被容納在散熱器3300中。電路單元3400可以包括電路板3410和安裝在電路板3410上的多個組件3430。

電路板3410可以具有圓形板狀，但并不局限于此。電路板3410可以具有多種形狀。例如，電路板3410可以具有橢圓板狀或多邊形板狀。可以通過在絕緣體上印刷電路圖案設(shè)置電路板3410。

電路板3410被電連接至光源單元3200的襯底3210?？梢酝ㄟ^例如導(dǎo)線將電路板3410和襯底3210相互連接。導(dǎo)線可以被布置在散熱器3300內(nèi)以連接電路板3410和襯底3210。

多個組件3430可以包括例如，將將外部電源提供的AC電力轉(zhuǎn)換為DC電力的DC轉(zhuǎn)換器、控制光源單元3200驅(qū)動的驅(qū)動芯片、以及保護光源單元3200的靜電放電(ESD)保護裝置。

內(nèi)殼3500在其中容納有電路單元3400。內(nèi)殼3500可以具有容納部3510以便容納電路單元3400。

例如，容納部3510可以具有圓柱狀。容納部3510的形狀可以根據(jù)散熱器3300的形狀而改變。內(nèi)殼3500可以被容納在散熱器3300中。內(nèi)殼3500的容納部3510可以被容納在散熱器3300的下表面中形成的容納部中。

內(nèi)殼3500可以被耦合至插座3600。內(nèi)殼3500可以具有被耦合至插座3600的連接部3530。連接部3530可以具有與插座3600的螺紋槽結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的螺紋結(jié)構(gòu)。內(nèi)殼3500是絕緣體。因此，內(nèi)殼3500防止電路單元3400與散熱器3300之間的電短路。例如，內(nèi)殼3500可以由塑料材料或樹脂材料構(gòu)成。

插座3600可以被耦合至內(nèi)殼3500。特別地，插座3600可以被耦合至內(nèi)殼3500的連接部3530。插座3600可以具有與現(xiàn)有的白熾燈相同的結(jié)構(gòu)。插座3600被電連接至電路單元3400。可以通過導(dǎo)線將電路單元3400和插座3600相互電連接。因此，當(dāng)外部電力被應(yīng)用于插座3600時，外部電力可以被傳送至電路單元3400。插座3600可以具有與連接部3550的螺紋結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的螺紋槽結(jié)構(gòu)。

如圖24所示，照明系統(tǒng)，例如，背光單元可以包括光引導(dǎo)板1210、提供光至光引導(dǎo)板1210的發(fā)光模塊1240、位于光引導(dǎo)板1210下方的反射構(gòu)件1220、以及容納光引導(dǎo)板1210的底蓋1230、發(fā)光模塊1240和反射構(gòu)件1220，但并不限于此。

光引導(dǎo)板1210起漫射光和將光轉(zhuǎn)換為面光源的作用。光引導(dǎo)板1210可以由透明材料構(gòu)成。例如，光引導(dǎo)板1210可以包括選自諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的基于丙烯醛基樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯烴共聚物(COC)、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)中的至少一種。

發(fā)光模塊1240為光引導(dǎo)板1210的至少一個側(cè)表面提供光，并且最終作為其中布置有背光單元的顯示設(shè)備的光源。

發(fā)光模塊1240可以接觸光引導(dǎo)板1210，但實施例不局限于此。特別地，發(fā)光模塊1240可以包括襯底1242和安裝在襯底1242上的多個發(fā)光器件封裝200，并且襯底1242可以接觸光引導(dǎo)板1210，但實施例并不局限于此。

襯底1242可以包括具有電路圖案(圖中未顯示)的印刷電路板(PCB)。另外，襯底1242還可以包括金屬芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)以及通用PCB，但實施例不局限于此。

多個發(fā)光器件封裝200可以被安裝在襯底1242上，使得發(fā)光器件封裝200的光發(fā)射表面與光引導(dǎo)板1210間隔開一定距離，其中光通過光發(fā)射表面發(fā)出。

反射構(gòu)件1220可以被布置在光引導(dǎo)板1210之下。反射構(gòu)件1220可以通過反射經(jīng)過光引導(dǎo)板1210的下表面向下穿行的光并且允許被反射的光向上穿行來改善背光單元的亮度。反射構(gòu)件1220可以由例如，PET樹脂、PC樹脂、PVC樹脂等構(gòu)成，但實施例并不局限于此。

底蓋1230可以容納光引導(dǎo)板1210、發(fā)光模塊1240、以及反射構(gòu)件1220。為了達到這樣的目的，底蓋1230可以被形成為具有開口上表面的盒狀，但實施例并不局限于此。

可以通過使用金屬材料或樹脂材料的壓模成型(press molding)或擠出成型(extrusion molding)來制造底蓋1230。

盡管已經(jīng)具體示出和描述實施例，但它們僅僅是出于說明目的并且不旨在限制本發(fā)明?？梢岳斫?，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對實施例所屬的本發(fā)明進行各種修改和應(yīng)用，而不偏離本發(fā)明的范圍。例如，可以通過修改來實施在實施例中特別示出的元件?？梢岳斫?，關(guān)于這些修改和應(yīng)用的差異均落入由所附權(quán)利要求限定的實施例的范圍。