1.一種發(fā)光器件，包括：
襯底；
第一緩沖層，布置在所述襯底上；
第二緩沖層，布置在所述第一緩沖層上并且包括Al；
第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，布置在所述第二緩沖層上；
有源層，布置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上；以及
第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，布置在所述有源層上，
其中，所述第二緩沖層包括水平布置的一個或更多第一層以及一個或更多第二層，以及
所述第一層的Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而增加，并且所述第二層的Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而下降。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一層的所述Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而線性增加，并且所述第二層的所述Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而線性下降。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一層的所述Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而非線性增加，并且所述第二層的所述Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而非線性下降。
4.如權(quán)利要求3所述發(fā)光器件，其中所述第一層的所述Al成分比呈向下凸形式非線性增加，并且所述第二層的所述Al成分比呈向上凸形式非線性下降。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第一層的所述Al成分比呈向上凸形式非線性增加，并且所述第二層的所述Al成分比呈向下凸形式非線性下降。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一層的所述Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層呈階梯式形式增加，并且所述第二層的所述Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層呈階梯式形式下降。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一緩沖層包括AlN，以及所述第二緩沖層包括AlGaN。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中u-GaN層還被布置在所述第二緩沖層上。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述有源層之間的電流擴(kuò)散層和應(yīng)變控制層。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括布置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的透明電極層。
11.一種發(fā)光器件，包括：
襯底；
第一緩沖層，布置在所述襯底上；
第二緩沖層，布置在所述第一緩沖層上；
第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，布置在所述第二緩沖層上；
有源層，布置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上；以及
第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，布置在所述有源層上，
其中所述第二緩沖層包括水平布置的一個或更多第一層以及一個或更多第二層，以及
所述第一層的寬度與所述第二層的寬度不同。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述第一層和所述第二層交替布置。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述第二層被布置在所述第二緩沖層的最外側(cè)部分。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述第二層的寬度大于所述第一層的寬度。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述第二緩沖層包括AlGaN。
16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中，所述第一層的所述Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而增加，并且所述第二層的Al成分比朝著所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層而下降。
17.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述第一緩沖層包括AlN。
18.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述有源層之間的電流擴(kuò)散層和應(yīng)變控制層。
19.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，還包括布置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的透明電極層。
20.一種照明系統(tǒng)，包括具有權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件的發(fā)光單元。