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技術(shù)領(lǐng)域

提出一種發(fā)光半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

特定實施方式的至少一個目的是：提出一種具有發(fā)光半導(dǎo)體芯片的發(fā)光半導(dǎo)體器件。

所述目的通過根據(jù)獨立權(quán)利要求的主題來實現(xiàn)。主題的有利的實施方式和改進(jìn)形式的特征在于從屬權(quán)利要求并且此外從下面的描述和附圖中得出。

根據(jù)至少一個實施方式，發(fā)光半導(dǎo)體器件具有發(fā)光半導(dǎo)體芯片，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片具有半導(dǎo)體層序列，所述半導(dǎo)體層序列具有用于產(chǎn)生光的有源區(qū)域。尤其優(yōu)選地，半導(dǎo)體層序列借助于外延法、例如借助于金屬有機(jī)氣相外延(MOVPE)或分子束外延(MBE)在生長襯底上生長。半導(dǎo)體層序列由此具有半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層沿著通過生長方向給定的設(shè)置方向相疊地設(shè)置。半導(dǎo)體層序列的層垂直于設(shè)置方向具有主延伸平面。下面，將平行于半導(dǎo)體層的主延伸平面的方向稱作為橫向方向。

發(fā)光半導(dǎo)體芯片尤其具有兩個主表面，所述主表面垂直于生長方向設(shè)置。主表面中的一個構(gòu)成為光耦合輸出面，在半導(dǎo)體器件運行時產(chǎn)生的光經(jīng)由所述光耦合輸出面放射。此外，半導(dǎo)體芯片具有與光耦合輸出面相對置的后側(cè)面，所述后側(cè)面形成半導(dǎo)體芯片的第二主表面。光耦合輸出面和后側(cè)面經(jīng)由側(cè)面彼此連接。除了通過光耦合輸出面放射光之外，在運行時在有源層中產(chǎn)生的光也能夠至少部分地經(jīng)由側(cè)面和/或后側(cè)面放射。

發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠根據(jù)要產(chǎn)生的光而具有基于不同的半導(dǎo)體材料體系的半導(dǎo)體層序列?；贗n_xGa_yAl_1-x-yAs的半導(dǎo)體層序列例如適合于長波的、紅外的至紅色的輻射，基于In_xGa_yAl_1-x-yP的半導(dǎo)體層序列例如適合于紅色的至黃色的輻射，并且基于In_xGa_yAl_1-x-yN的半導(dǎo)體層序列例如適合于短波的、可見的、即尤其適合于綠色的至藍(lán)色的輻射和/或適合于UV輻射，其中分別適用的是：0≤x≤1和0≤y≤1。此外，基于銻化物、例如InSb、GaSb、AlSb或其組合的半導(dǎo)體層序列適合于長波的紅外輻射。

發(fā)光半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層序列能夠具有用于產(chǎn)生光的有源區(qū)域，例如常規(guī)的pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)(SQW結(jié)構(gòu))或多重量子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)(MQW結(jié)構(gòu))。半導(dǎo)體層序列除了有源區(qū)域之外能夠包括其他的功能層和功能區(qū)域，例如p型或n型摻雜的載流子傳輸層、未摻雜的或者p型或n型摻雜的限域?qū)?、包覆層或波?dǎo)層、勢壘層、平坦化層、緩沖層、保護(hù)層和/或電極以及其組合。特別地，發(fā)光半導(dǎo)體芯片為了電接觸能夠在光耦合輸出面和后側(cè)面上分別具有電接觸元件，例如呈大面積的或結(jié)構(gòu)化的電極層的形式的電接觸元件。涉及有源區(qū)域或其他功能層和區(qū)域的在此描述的結(jié)構(gòu)對本領(lǐng)技術(shù)人員而言尤其在結(jié)構(gòu)、功能和構(gòu)造方面是已知的，進(jìn)而關(guān)于此點不詳細(xì)闡述。

生長襯底能夠包括或者是絕緣體材料或半導(dǎo)體材料、例如上述化合物半導(dǎo)體材料體系。特別地，生長襯底能夠包括藍(lán)寶石、GaAs、GaP、GaN、InP、SiC、Si和/或Ge或者由這種材料構(gòu)成。

生長工藝尤其能夠在晶片復(fù)合件中進(jìn)行。換言之，以晶片的形式提供生長襯底，在所述晶片上大面積地生長半導(dǎo)體層序列。生長的半導(dǎo)體層序列在另一方法步驟中能夠分割成各個半導(dǎo)體芯片，其中通過分割能夠形成半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。

此外，半導(dǎo)體層序列在分割之前能夠轉(zhuǎn)移到載體襯底上并且能夠打薄生長襯底，即至少部分地或完全地移除生長襯底。

根據(jù)另一實施方式，發(fā)光半導(dǎo)體器件具有載體本體，所述載體本體承載發(fā)光半導(dǎo)體芯片。對此，載體本體能夠具有成形體，所述成形體形狀配合地和直接地覆蓋半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。成形體尤其模制到發(fā)光半導(dǎo)體芯片上并且在橫向方向上包圍發(fā)光半導(dǎo)體芯片。換言之，成形體在半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面的俯視圖中圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)置并且尤其模制到發(fā)光半導(dǎo)體芯片的全部側(cè)面上。特別地，成形體能夠構(gòu)成為，使得不覆蓋發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面。發(fā)光半導(dǎo)體芯片的側(cè)面能夠完全地或從后側(cè)面起觀察朝光耦合輸出面的方向覆蓋至一定高度，使得成形體具有例如相對于光耦合輸出面縮回的上側(cè)。尤其優(yōu)選地，能夠完全地覆蓋側(cè)面，使得成形體具有與光耦合輸出面齊平的上側(cè)。此外，后側(cè)面、即尤其電接觸層的與半導(dǎo)體層序列相對置的面不具有成形體。此外，成形體的上側(cè)也能夠超出光耦合輸出面，而不遮蓋光耦合輸出面。由此，能夠提高載體本體的機(jī)械穩(wěn)定性。

成形體尤其能夠具有塑料材料，尤其硅酮、環(huán)氧樹脂、環(huán)氧樹脂硅酮雜化材料、聚酯、低熔點玻璃或低熔點玻璃陶瓷。在此，用“低熔點”表示如下玻璃或玻璃陶瓷，所述玻璃或玻璃陶瓷能夠在成形工藝中在不損壞半導(dǎo)體芯片的溫度下加工。此外，成形體能夠具有附加材料，即例如塑料材料中的顆粒。例如，成形體能夠具有用顆粒、如SiO₂顆粒填充的環(huán)氧化物或由其構(gòu)成。特別地，成形體能夠形成機(jī)械穩(wěn)定的元件，所述元件主要引起載體本體的穩(wěn)定性。半導(dǎo)體芯片尤其嵌入成形體進(jìn)而嵌入載體本體。

成形體尤其能夠以模制工藝(“molding process”)實現(xiàn)，例如借助于噴射、澆注、壓制、層壓薄膜等實現(xiàn)。尤其優(yōu)選地，成形體能夠通過注塑工藝(“transfer molding”，轉(zhuǎn)送成形)、例如薄膜注塑工藝，或模壓工藝(“compression molding”，壓縮成形)來形成。如果發(fā)光半導(dǎo)體器件具有多個發(fā)光半導(dǎo)體芯片，那么，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠嵌入共同的載體本體進(jìn)而借助共同的成形體在一個方法步驟中環(huán)繞成形。

用于制造在此描述的成形體的方法例如在出版物WO 2011/015449A1中描述，其公開內(nèi)容關(guān)于此點通過參考完全地并入本文。

根據(jù)另一實施方式，成形體至少部分地構(gòu)成為是透射光的。此外也可行的是：成形體至少部分地構(gòu)成為是光學(xué)反射的。這例如能夠通過如下方式實現(xiàn)：光學(xué)反射的顆粒引入到成形體的基體材料中、尤其引入到用于成形體的上述材料中的一種中。在發(fā)光半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上射出的光于是能夠至少部分地由成形體反射。

根據(jù)另一實施方式，在發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面上設(shè)置有波長轉(zhuǎn)換元件。在此，波長轉(zhuǎn)換元件能夠在借助成形體對半導(dǎo)體芯片環(huán)繞成形之前或之后設(shè)置在光耦合輸出面上，并且尤其通過具有一種或多種波長轉(zhuǎn)換材料的層形成。在載體本體中存在多個發(fā)光半導(dǎo)體芯片的情況下，能夠?qū)⒐餐牟ㄩL轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的下游，或替選于此，將自身的所分配的波長轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在每個半導(dǎo)體芯片的下游。

波長轉(zhuǎn)換元件尤其具有至少一種或多種波長轉(zhuǎn)換材料，所述波長轉(zhuǎn)換材料適合于：將由發(fā)光半導(dǎo)體芯片或多個發(fā)光半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光至少部分地轉(zhuǎn)換成具有其他波長的光，使得發(fā)光半導(dǎo)體器件能夠放射由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的初級光和轉(zhuǎn)換的次級光構(gòu)成的混合光。例如，發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠發(fā)射藍(lán)光，所述藍(lán)光由波長轉(zhuǎn)換元件至少部分地轉(zhuǎn)換成綠色的和紅色的和/或黃色的光，使得半導(dǎo)體器件在運行時能夠放射白光。波長轉(zhuǎn)換元件例如能夠以顆粒的形式施加，所述顆粒嵌入基體材料、例如嵌入塑料、如硅酮、或陶瓷中。在此，波長轉(zhuǎn)換元件例如能夠作為薄膜施加。此外，也可行的是：波長轉(zhuǎn)換元件作為陶瓷小板施加，所述陶瓷小板包含波長轉(zhuǎn)換材料或由陶瓷的波長轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成。此外，波長轉(zhuǎn)換元件也能夠具有擴(kuò)散材料，例如散射顆粒，以便調(diào)節(jié)光學(xué)的或電子光學(xué)的特性。波長轉(zhuǎn)換元件尤其能夠直接地施加到光耦合輸出面上。

根據(jù)另一實施方式，載體本體在半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面上具有上側(cè)，在所述上側(cè)上施加有介電鏡。換言之，這表示：在載體本體的上側(cè)上、即在橫向方向上在半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面旁邊施加有如下材料：所述材料不僅是介電的進(jìn)而是電絕緣的而且還對于光構(gòu)成為是反射性的。特別地，介電鏡對于在發(fā)光半導(dǎo)體芯片中在運行時產(chǎn)生的光構(gòu)成為是反射性的。

在此描述的發(fā)光半導(dǎo)體器件基于如下考慮：在此處描述的具有載體本體的結(jié)構(gòu)中，鏡面化的構(gòu)件上側(cè)能夠提高來自發(fā)光半導(dǎo)體器件中的光耦合輸出，所述載體本體具有成形體，所述成形體模制到發(fā)光半導(dǎo)體芯片上。然而，如果使用金屬鏡，那么尤其在芯片棱邊處在引導(dǎo)電流的區(qū)域中需要電絕緣，以便避免短路。因此，在器件上側(cè)上的金屬鏡的情況下，為了電絕緣，必須使用介電材料、即例如所謂的旋涂介電質(zhì)、即例如有機(jī)介電材料、例如基于漆的介電質(zhì)。附加地，在金屬鏡中得到老化效果。因為在此處描述的發(fā)光半導(dǎo)體器件中使用介電鏡，所以能夠棄用金屬鏡，這消除與其關(guān)聯(lián)的老化風(fēng)險。此外，也能夠可行的是：例如通過基于漆的介電質(zhì)棄用鈍化部，這提供成本優(yōu)勢，其中以與此處描述的介電鏡組合的方式，也能夠使用基于漆的介電質(zhì)。

根據(jù)另一實施方式，介電鏡具有至少一種無機(jī)介電材料。特別地，介電鏡能夠具有折射率不同的至少兩個介電層。介電鏡在此尤其能夠稱作為所謂的布拉格鏡、也稱作為“分布式布拉格反射器”(DBR)，所述布拉格鏡具有折射率不同的至少兩個介電層的周期序列。例如，多對折射率不同的第一和第二層能夠相疊設(shè)置。

根據(jù)另一實施方式，無機(jī)介電材料具有氧化物，所述氧化物例如借助于化學(xué)氣相沉積(“chemical vapor deposition”，CVD)、物理氣相沉積(“physical vapor deposition”，PVD)或原子層沉積(”atomic layer deposition”，ALD)施加在載體本體的上側(cè)上。尤其優(yōu)選地，無機(jī)介電材料具有選自氧化硅、氧化鋁、氧化鈦和氧化鉭的一種或多種材料。介電鏡的介電層具有如下層厚度、尤其光學(xué)層厚度，所述層厚度從要反射的波長和分別應(yīng)用的材料的折射率中得出。尤其地，介電層能夠具有為在發(fā)光半導(dǎo)體芯片中在運行時產(chǎn)生的光的波長的四分之一或四分之一的數(shù)倍的光學(xué)厚度。對于介電鏡的寬帶反射的效果，所述介電鏡也能夠具有復(fù)雜的層結(jié)構(gòu)。

根據(jù)另一實施方式，發(fā)光半導(dǎo)體器件具有電的半導(dǎo)體構(gòu)件。電的半導(dǎo)體構(gòu)件尤其能夠在橫向方向上在發(fā)光半導(dǎo)體芯片旁邊設(shè)置在載體本體中。尤其地，電的半導(dǎo)體構(gòu)件能夠連同發(fā)光半導(dǎo)體芯片一起設(shè)置在載體本體的成形體中。在此，具有側(cè)面的電的半導(dǎo)體構(gòu)件、如發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠由成形體環(huán)繞成形，使得成形體形狀配合地和直接地連接到電的半導(dǎo)體構(gòu)件的側(cè)面上，如在上文中針對發(fā)光半導(dǎo)體芯片描述的那樣。

根據(jù)另一實施方式，電的半導(dǎo)體構(gòu)件構(gòu)成為二極管，尤其構(gòu)成為保護(hù)二極管。尤其地，電的半導(dǎo)體構(gòu)件能夠用于保護(hù)發(fā)光半導(dǎo)體器件和尤其用于保護(hù)發(fā)光半導(dǎo)體芯片免受靜電放電(“electrostatic discharge”，ESD)，進(jìn)而構(gòu)成為ESD保護(hù)二極管。這種ESD保護(hù)二極管與發(fā)光半導(dǎo)體芯片反并聯(lián)連接，以便保護(hù)發(fā)光半導(dǎo)體芯片免受在發(fā)光半導(dǎo)體芯片的截止方向上的超壓。

根據(jù)另一實施方式，電的半導(dǎo)體構(gòu)件設(shè)置在介電鏡下方。換言之，這表示：電的半導(dǎo)體構(gòu)件在介電鏡下方進(jìn)而以由所述介電鏡覆蓋的方式設(shè)置在成形體中。

根據(jù)另一實施方式，介電鏡設(shè)置在發(fā)光半導(dǎo)體器件的整個上側(cè)上，即設(shè)置在載體本體的整個上側(cè)上，其中僅發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面或發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面的一部分不具有介電鏡。因此，介電鏡在載體本體的上側(cè)和發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面的俯視圖中能夠在橫向方向上至少部分地或完全地包圍發(fā)光半導(dǎo)體芯片。如果發(fā)光半導(dǎo)體器件在發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面上具有波長轉(zhuǎn)換元件，那么介電鏡能夠相應(yīng)地在橫向方向上至少部分地或完全地包圍波長轉(zhuǎn)換元件。換言之，發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面能夠至少部分地未被介電鏡覆蓋。介電鏡因此能夠具有開口，所述開口設(shè)置在光耦合輸出面之上，并且穿過所述開口，光耦合輸出面在對其進(jìn)行觀察時至少部分可見。此外，整個光耦合輸出面也能夠不具有介電鏡，使得介電鏡中的開口至少具有與光耦合輸出面相同的或更大的橫截面。在此，橫截面在光耦合輸出面或鏡的俯視圖中呈光耦合輸出面的形狀或者介電鏡中的開口的形狀。

根據(jù)另一實施方式，在載體本體的上側(cè)上設(shè)置有電連接元件，所述電連接元件將發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面和電的半導(dǎo)體構(gòu)件的上側(cè)導(dǎo)電地連接。電連接元件尤其能夠是金屬層，所述金屬層建立半導(dǎo)體構(gòu)件的上側(cè)和發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面上的電接觸元件之間的電接觸。對此，電的半導(dǎo)體構(gòu)件同樣能夠具有電接觸元件、例如呈電極層形式的電接觸元件，或是直接通過電連接元件接觸的。尤其地，發(fā)光半導(dǎo)體芯片在光耦合輸出面上并且電的半導(dǎo)體構(gòu)件在上側(cè)上分別具有電接觸元件，其中電接觸元件借助于電連接元件導(dǎo)電地彼此連接。電連接元件例如能夠具有下述材料中的一種或多種：銅、鎳、銀、金、鈀、鈦、鋁。

此外，在發(fā)光半導(dǎo)體器件的后側(cè)上能夠存在用于接觸發(fā)光半導(dǎo)體芯片和電的半導(dǎo)體構(gòu)件的電接觸元件和/或連接元件，所述后側(cè)與承載本體的上側(cè)和發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面相對置。例如，在發(fā)光半導(dǎo)體芯片的與光耦合輸出面相對置的后側(cè)面上能夠存在電接觸元件和/或電連接元件，所述電接觸元件和/或電連接元件也能夠部分地在載體本體的成形體之上延伸。在與電的半導(dǎo)體構(gòu)件的上側(cè)相對置的后側(cè)上，同樣能夠存在電接觸元件和/或電連接元件，所述電接觸元件和/或電連接元件同樣能夠至少部分地在載體本體的下側(cè)之上延伸。

根據(jù)另一實施方式，電連接元件設(shè)置在介電鏡和載體本體之間。尤其地，電連接元件能夠構(gòu)成為金屬層，所述金屬層至少部分地直接設(shè)置在載體本體上、即尤其直接設(shè)置在成形體上。在此，此外能夠尤其有利的是：電連接元件在橫向方向上包圍發(fā)光半導(dǎo)體芯片。在此尤其優(yōu)選地，電連接元件能夠覆蓋載體本體的盡可能大的面積，例如至少70％或至少80％或至少90％，因為介電鏡的反射作用能夠通過電連接元件附加地提高。此外，電連接元件能夠完全由介電鏡覆蓋，使得電連接元件不與環(huán)境接觸并且由介電鏡連同載體本體一起封裝。由此能夠可行的是：將下述材料用于電連接元件：所述材料能夠與環(huán)境中的物質(zhì)、例如氧氣、濕氣或其他有害物質(zhì)反應(yīng)進(jìn)而退化。

根據(jù)另一實施方式，電連接元件從載體本體起觀察設(shè)置在介電鏡上。在該情況下，能夠尤其有利的是：電連接元件盡可能少地覆蓋介電鏡上的面。電連接元件尤其能夠在兩個貫通接觸部之間延伸，所述貫通接觸部設(shè)置在電的半導(dǎo)體構(gòu)件的和發(fā)光半導(dǎo)體芯片的相應(yīng)的電接觸元件之上。電貫通接觸部尤其能夠穿過介電層并且與電的半導(dǎo)體構(gòu)件的上側(cè)和發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面、尤其與其上的電接觸元件導(dǎo)電連接。

電貫通接觸部例如能夠具有在更上文中針對電連接元件描述的材料中的一種或多種或由其構(gòu)成。

附圖說明

其他的優(yōu)點、有利的實施方式和改進(jìn)形式從下面結(jié)合附圖描述的實施例中得出。

附圖示出：

圖1A和1B示出根據(jù)一個實施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件的視圖的示意圖，和

圖2A和2B示出根據(jù)另一實施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件的視圖的示意圖。

具體實施方式

在實施例和附圖中，相同的、同類的或起相同作用的元件能夠分別設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。示出的元件和其相互間的大小關(guān)系不視為是合乎比例的，更確切地說，為了更好的可視性和/或為了更好的理解，能夠夸大地示出個別元件，即例如層、構(gòu)件、器件和區(qū)域。

在圖1A和1B中示出發(fā)光半導(dǎo)體器件101的一個實施例。在此，圖1A示出貫穿發(fā)光半導(dǎo)體器件101的剖面圖，而在圖1B中示出發(fā)光半導(dǎo)體器件101的一部分的俯視圖。

發(fā)光半導(dǎo)體器件101具有至少一個發(fā)光半導(dǎo)體芯片1，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片構(gòu)建用于：在運行時產(chǎn)生光。對此，發(fā)光半導(dǎo)體芯片1具有含有源區(qū)域的半導(dǎo)體層序列，在所述有源區(qū)域中，在將電流饋入發(fā)光半導(dǎo)體芯片時產(chǎn)生光。此外，發(fā)光半導(dǎo)體芯片1具有光耦合輸出面10，在運行時產(chǎn)生的光經(jīng)由所述光耦合輸出面放射。發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的后側(cè)面11與光耦合輸出面10相對置地設(shè)置。光耦合輸出面10和后側(cè)面11形成發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的兩個主表面，所述主表面經(jīng)由側(cè)面12彼此連接。發(fā)光半導(dǎo)體芯片1在半導(dǎo)體層序列方面以及例如也在襯底方面如在上文中在概述部分中描述的那樣構(gòu)成。

在所示出的實施例中，在發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的光耦合輸出面10上設(shè)置有波長轉(zhuǎn)換元件2，所述波長轉(zhuǎn)換元件構(gòu)建用于：將在發(fā)光半導(dǎo)體芯片1中在運行時產(chǎn)生的光的一部分轉(zhuǎn)換成其他波長的光。由此，發(fā)光半導(dǎo)體器件101在運行時能夠放射混合色的光，即例如白光。替選于所示出的實施例，光耦合輸出面10也能夠不具有波長轉(zhuǎn)換元件。此外，也能夠可行的是：對波長轉(zhuǎn)換元件2附加地或替選地，一個或多個光學(xué)元件、即例如擴(kuò)散層或透鏡設(shè)置在光耦合輸出面上。

此外，發(fā)光半導(dǎo)體器件101具有載體本體3，所述載體本體具有成形體4，所述成形體形狀配合地且直接地覆蓋發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的側(cè)面12。成形體4能夠通過在上文中在概述部分中描述的成形工藝模制到發(fā)光半導(dǎo)體芯片1上并且例如具有硅酮、環(huán)氧化物或其他在上文中在概述部分中提出的材料。在所示出的實施例中，成形體4進(jìn)而載體本體3具有對應(yīng)于發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的高度的高度，使得載體本體3的上側(cè)30在發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的光耦合輸出面10處與所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片齊平。替選于此，載體本體3的上側(cè)30也能夠設(shè)置在發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的光耦合輸出面10的上方或下方。換言之，載體本體3能夠具有比發(fā)光半導(dǎo)體芯片1更大的或更小的高度，其中成形體4不覆蓋光耦合輸出面10。

在載體本體3的上側(cè)30上施加有介電鏡5，所述介電鏡具有無機(jī)介電材料。特別地，介電鏡5具有至少兩個介電層50、51，并且在所示出的實施例中具有折射率不同的至少兩個介電層50、51的周期序列。因此，介電層5構(gòu)成為所謂的布拉格鏡，其中各個介電層50、51的厚度和材料選擇為，使得所述介電層共同地引起對在運行時在發(fā)光半導(dǎo)體芯片1中產(chǎn)生的光的盡可能高的反射性。介電鏡5的介電層50、51例如能夠具有選自下述材料的一種或多種材料：氧化硅、氧化鋁、氧化鈦和氧化鉭。

介電鏡5尤其大面積地設(shè)置在載體本體3的上側(cè)30上并且在橫向方向上包圍發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的光耦合輸出面10。尤其地，介電層5如在圖1A中示出的那樣甚至能夠延伸至波長轉(zhuǎn)換元件2并且在橫向方向上包圍所述波長轉(zhuǎn)換元件。因此，發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的光耦合輸出面10至少部分是空出的并且未被介電鏡5覆蓋。介電鏡5具有開口，所述開口設(shè)置在光耦合輸出面10上方，并且穿過所述開口在觀察所述光耦合輸出面時至少部分地可見光耦合輸出面10或可能存在的波長轉(zhuǎn)換元件2。此外，整個光耦合輸出面10或整個波長轉(zhuǎn)換元件2能夠不具有介電鏡5，使得在介電鏡5中的開口至少具有與光耦合輸出面10或波長轉(zhuǎn)換元件2相同的或更大的橫截面。

此外，發(fā)光半導(dǎo)體器件101在載體本體3中具有電的半導(dǎo)體構(gòu)件6，所述電的半導(dǎo)體構(gòu)件如發(fā)光半導(dǎo)體芯片1那樣由載體本體3的成形體4包圍。對此。成形體4模制到電的半導(dǎo)體構(gòu)件6上，以及模制到發(fā)光半導(dǎo)體芯片1上并且形狀配合地且直接地覆蓋電的半導(dǎo)體構(gòu)件6的側(cè)面62。電的半導(dǎo)體構(gòu)件6尤其構(gòu)成為保護(hù)二極管，優(yōu)選構(gòu)成為ESD保護(hù)二極管。

為了電接觸電的半導(dǎo)體構(gòu)件6和發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的后側(cè)11、61，電接觸元件13、63施加到所述電的半導(dǎo)體構(gòu)件和發(fā)光半導(dǎo)體芯片上，所述電接觸元件也還能夠覆蓋載體本體3的一部分。在光耦合輸出面10上以及在電的半導(dǎo)體構(gòu)件6的上側(cè)60上，存在其他的電接觸元件13、63。所述其他的電接觸元件借助于電連接元件7導(dǎo)電連接，所述電連接元件設(shè)置在載體本體3的上側(cè)30上。尤其地，在所示出的實施例中，構(gòu)成為金屬層的電連接元件7設(shè)置在介電鏡5之下，即設(shè)置在載體本體3和介電鏡5之間。對此，在圖1B中，示出發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的光耦合輸出面10和載體本體3的上側(cè)30的俯視圖，在所述俯視圖中，未示出介電鏡5，使得電連接元件7作為最上方的層可見。位于電連接元件7下方的進(jìn)而不可見的元件用虛線表明。

如尤其在圖1B中可見的，電連接元件7優(yōu)選覆蓋載體本體3的上側(cè)30的盡可能大的面積，由此，總反射率能夠連同介電鏡5一起進(jìn)一步提高。電連接元件7尤其能夠完全設(shè)置在介電鏡5下方，并且在此如在圖1B中可見的那樣，例如從載體本體3的邊緣區(qū)域縮回，使得電連接元件7由介電鏡5保護(hù)防止環(huán)境氣體影響。

為了電接觸發(fā)光半導(dǎo)體器件的上側(cè)、即尤其發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的光耦合輸出面10上的電接觸元件7，電連接元件7也能夠在介電鏡5下方的子區(qū)域中伸出。此外，例如在介電鏡5上能夠存在其他的電接觸元件，所述其他的電接觸元件經(jīng)由穿過介電鏡5的貫通接觸部與電連接元件7導(dǎo)電連接。

在圖2A和2B中示出發(fā)光半導(dǎo)體器件102的另一實施例，即示出圖1A和1B的實施例的修改形式。因此，下面的描述主要限于與之前的實施例的區(qū)別。

圖2A和2B的實施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件102與之前的實施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件101相反地具有下述電連接元件7，所述電連接元件設(shè)置在介電鏡5上，使得介電鏡5在載體本體3和電連接元件7之間構(gòu)成。為了電接觸發(fā)光半導(dǎo)體芯片1和電的半導(dǎo)體構(gòu)件6，存在電貫通接觸部8，所述電貫通接觸部穿過介電鏡5并且所述電貫通接觸部連同電連接元件7一起將發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的光耦合輸出面10和電的半導(dǎo)體構(gòu)件6的上側(cè)60上的電接觸元件13、63彼此電連接。在該情況下尤其有利的是：呈金屬層的形式的電連接元件7具有盡可能小的面積擴(kuò)展，即尤其在圖2B中的俯視圖中示出的那樣，所述圖2B與圖1B中的俯視圖不同地示出具有介電鏡5的發(fā)光半導(dǎo)體器件102的俯視圖。在此，能夠尤其良好地識別出：介電鏡5在橫向方向上包圍波長轉(zhuǎn)換元件2并且覆蓋載體本體3上的盡可能的大的面積。

在附圖中示出的實施例替選地或附加地能夠具有其他在上文中在概述部分中描述的特征。

本發(fā)明不通過根據(jù)實施例進(jìn)行的描述局限于此。更確切地說，本發(fā)明包括每個新特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使所述特征或所述組合自身沒有明確地在權(quán)利要求或?qū)嵤├姓f明時也如此。