1.一種發(fā)光半導(dǎo)體器件，所述發(fā)光半導(dǎo)體器件具有：
至少一個發(fā)光半導(dǎo)體芯片(1)，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片具有半導(dǎo)體層序列、光耦合輸出面(10)、與所述光耦合輸出面(10)相對置的后側(cè)面(11)和側(cè)面(12)，所述側(cè)面將所述光耦合輸出面(10)和所述后側(cè)面(11)連接；和
載體本體(3)，所述載體本體具有成形體(4)，所述成形體形狀配合地且直接地覆蓋所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片(1)的所述側(cè)面(12)，
其中所述載體本體(3)在所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片(1)的所述光耦合輸出面(10)上具有上側(cè)(30)，在所述上側(cè)上施加有介電鏡(5)，其中所述光耦合輸出面(10)至少部分地未被所述介電鏡(5)覆蓋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述介電鏡(5)具有至少一種無機介電材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述介電鏡(5)構(gòu)成為具有至少兩個折射率不同的介電層(50，51)的周期序列的布拉格鏡。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片(1)旁邊在所述載體本體(3)中設(shè)置有電的半導(dǎo)體構(gòu)件(6)，所述電的半導(dǎo)體構(gòu)件具有側(cè)面(62)，所述成形體(4)形狀配合地且直接地連接到所述側(cè)面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電的半導(dǎo)體構(gòu)件(6)是保護(hù)二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電的半導(dǎo)體構(gòu)件(6)設(shè)置在所述介電鏡(5)下方，并且由所述介電鏡(5)覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述載體本體(3)的上側(cè)(30)上設(shè)置有電連接元件(7)，所述電連接元件將所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片(1)的所述光耦合輸出面(10)和所述電的半導(dǎo)體構(gòu)件(6)的上側(cè)(60)導(dǎo)電地連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電連接元件(7)是金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片(1)在所述光耦合輸出面(10)上并且所述電的半導(dǎo)體構(gòu)件(6)在上側(cè)(60)上分別具有電的接觸元件(13，63)，并且所述接觸元件(13，63)借助于所述電連接元件(7)導(dǎo)電地彼此連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電連接元件(7)設(shè)置在所述介電鏡(5)和所述載體本體(3)之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電連接元件(7)在橫向方向上包圍所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片(1)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中從所述載體本體(3)起觀察，所述電連接元件(7)設(shè)置在所述介電鏡(5)上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電連接元件(7)借助于穿過所述介電鏡(5)的電貫通接觸部(8)與所述電的半導(dǎo)體構(gòu)件(6)的上側(cè)(60)并且與所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片(1)的所述光耦合輸出面(10)導(dǎo)電地連接。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述成形體(4)不覆蓋所述光耦合輸出面(10)。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述介電鏡(5)覆蓋所述載體本體(3)的整個上側(cè)(30)。
16.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述光耦合輸出面(10)上設(shè)置有波長轉(zhuǎn)換元件(2)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中所述介電鏡(5)在橫向方向上包圍所述波長轉(zhuǎn)換元件(2)。