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用于使用嵌入光纖光學(xué)器件及環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器的基板溫度控制的裝置、系統(tǒng)與方法與流程

文檔序號:12167654閱讀:402來源:國知局
用于使用嵌入光纖光學(xué)器件及環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器的基板溫度控制的裝置、系統(tǒng)與方法與流程

本申請要求享有2014年7月2日提交的申請?zhí)枮?2/020,367的美國臨時專利申請,且標(biāo)題為“APPARATUS,SYSTEMS,AND METHODS FOR TEMPERATURE CONTROL OF SUBSTRATES USING EMBEDDED FIBER OPTICS AND EPOXY OPTICAL DIFFFUSERS(用于使用嵌入光纖光學(xué)器件及環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器的基板溫度控制的裝置、系統(tǒng)與方法)”(代理人案號21975/L),上述公開內(nèi)容全文出于所有目的以引用的方式并入本文。

此申請涉及2014年7月2日提交的申請?zhí)枮?2/020,370的美國臨時專利申請,且標(biāo)題為“TEMPERATURE CONTROL APPARATUS INCLUDING GROOVE-ROUTED OPTICAL FIBER HEATING,SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL SYSTEMS,ELECTRONIC DEVICE PROCESSING SYSTEMS,AND PROCESSING METHODS(包括槽繞送光纖加熱的溫度控制裝置、基板溫度控制系統(tǒng)、電子器件處理系統(tǒng)、與處理方法)”(代理人案號21949/L),上述公開內(nèi)容全文出于所有目的以引用的方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體涉及電子器件制造,并且尤其是,涉及用于在處理期間控制跨基板的溫度的裝置、系統(tǒng)與方法。



背景技術(shù):

在電子器件制造系統(tǒng)中,舉例而言,基板諸如集成電路晶片可在處理腔室中處理。處理可包括例如一或更多個沉積、蝕刻和/或清潔處理?;蹇啥ㄎ辉谔幚砬皇抑?、基板固持件上,基板固持件在一些系統(tǒng)中可為靜電夾盤。基板固持件可具有嵌入式加熱器,該嵌入式加熱器經(jīng)構(gòu)造以加熱基板固持件上的基板至選定的溫度。跨基板的均勻溫度通常是所期望的,因為在一些處理中,即使微小的溫度變化都能夠負(fù)面影響處理,這會使基板不可使用。然而,因為基板的異常(例如,不完全平坦)和/或一些已知的嵌入式加熱器構(gòu)造、工藝(例如,等離子體蝕刻期間等離子體密度的變化)和/或處理腔室構(gòu)造(例如,基板固持件靠近腔室開口或其它結(jié)構(gòu))的限制,基板無法均勻加熱。即,跨基板會產(chǎn)生一或更多個冷和/或熱點。因此,需要跨基板的一或更多個點或部分處的基板的不均勻加熱以提供基板均勻的溫度。但是,一些已知的電子器件制造系統(tǒng)會受限于其性能,而無法提供不同數(shù)量的熱至基板的特定點或部分。在其它情況中,所期望的是產(chǎn)生跨基板的指定的不均勻溫度分布,以補(bǔ)償其它不均勻性。實施例可包括控制溫度,以調(diào)整蝕刻速率,來補(bǔ)償蝕刻處理開始之前所測量的基板上的結(jié)構(gòu)或膜厚度的不均勻尺寸。另一實施例可為調(diào)整溫度分布,以補(bǔ)償不均勻的蝕刻等離子體分布。因此,存在對于電子器件制造系統(tǒng)中跨受處理的基板改良的加熱與溫度控制的需求。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

根據(jù)一個方面,提供一種基板溫度控制裝置?;鍦囟瓤刂蒲b置包括基板固持件底板,基板固持件底板包括多個空腔,多個空腔形成于底板的第一表面中;多個空腔的每一個空腔連接至多條光纖的一條光纖,多條光纖的每一光纖終止于多個空腔的各空腔中并且經(jīng)構(gòu)造以從光纖傳輸光至該空腔且然后至底板之上的陶瓷板上的位置。

根據(jù)另一個方面,提供一種電子器件制造系統(tǒng)。電子器件制造系統(tǒng)包括:溫度檢測器;光源;光源控制器,光源控制器耦接于溫度檢測器與光源;以及處理腔室。處理腔室經(jīng)構(gòu)造以接收一或更多個基板并且包括基板固持件,基板固持件耦接于溫度檢測器與光源?;骞坛旨?jīng)構(gòu)造以接收一或更多個基板于基板固持件上并且包括底板。底板包括:多個空腔,多個空腔形成于底板的第一表面中;以及多條光纖,其中多條光纖的每一光纖具有第一端與第二端,第一端終止于多個空腔的各個空腔中,以傳輸光至多個空腔的各個空腔,且第二端耦接于光源。

根據(jù)另一個方面,提供一種在電子器件制造系統(tǒng)中控制跨基板固持件的溫度的方法。該方法包括下述步驟:提供底板,底板包括多個空腔,多個空腔形成于底板的第一表面中;以及繞送多條光纖,使得每一光纖的第一端終止于多個空腔的各個空腔中。

盡管從下面的詳細(xì)描述中可輕易得知本發(fā)明的其它的方面、特征、與優(yōu)點,其中描述與闡明多個實施例實施方式與實現(xiàn)方式,這些實施方式與實現(xiàn)方式包括所設(shè)想的用以實施本發(fā)明的最佳方式。本發(fā)明也可包括其它的與不同的實施方式,并且在不脫離本發(fā)明范圍的情況下,可以在多個方面修改本發(fā)明的多個細(xì)節(jié)。因此,附圖與說明書本質(zhì)上應(yīng)視為說明性的,而非限制性的。本發(fā)明涵蓋所有本文所公開的方面的修改、等效、與替代情形。

附圖說明

本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解到,以下的附圖僅用于說明的目的。附圖不必按比例繪制,并且不旨在以任何方式限制本公開內(nèi)容的范圍。

圖1A與圖1B根據(jù)現(xiàn)有技術(shù),分別圖示基板固持件的示意性俯視圖與示意性側(cè)截面圖。

圖2根據(jù)實施方式,圖示電子器件制造系統(tǒng)的示意圖。

圖3A與圖3B根據(jù)實施方式,分別圖示基板固持件底板的透視圖與俯視圖。

圖4A與圖4B根據(jù)實施方式,分別圖示基板固持件底板的局部俯視圖與截面透視圖。

圖5根據(jù)實施方式,圖示基板固持件底板的反射器空腔的透視圖。

圖6A與圖6B根據(jù)實施方式,分別圖示填充有光學(xué)散射器的基板固持件底板的反射器空腔的透視圖與側(cè)截面圖。

圖7根據(jù)實施方式,圖示填充有兩層光學(xué)散射器的基板固持件底板的反射器空腔的側(cè)截面圖。

圖8A與圖8B根據(jù)實施方式,分別圖示包括散熱板的基板固持件的透視圖與側(cè)截面圖。

圖9根據(jù)實施方式,圖解在電子器件制造系統(tǒng)中控制跨基板固持件溫度的方法的流程圖。

圖10A至圖10C根據(jù)實施方式,圖示光纖與散射器構(gòu)造的示意性側(cè)視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參照本公開內(nèi)容的示例實施方式,這些示例實施方式繪示在附圖中。盡可能地使用相同的數(shù)字符號在所有附圖中,以用于表示相同或相似的部件。

改良的基板溫度控制可增加電子器件制造系統(tǒng)中所處理的基板的品質(zhì)與產(chǎn)量?;鍦囟鹊目臻g控制可提供橫越基板的高度均勻的溫度或故意不均勻的溫度,取決于與基板的處理相關(guān)的各種狀況。空間控制可包括“像素型”溫度控制,“像素型”溫度控制指的是控制離散的溫度點的陣列。像素型溫度控制可提供跨基板的方位角(或非徑向)的溫度變化。像素型溫度控制可由光纖型系統(tǒng)提供,光纖型系統(tǒng)使用大量(例如,200或更多個)的激光二極管、光纖、與嵌入于電子器件制造系統(tǒng)中的處理腔室的基板固持件中的熱耦合位置?;骞坛旨蔀槔珈o電夾盤。激光二極管,作為功率源可發(fā)射紅外線能量通過光纖,光纖傳送紅外線能量至基板固持件。紅外線能量在嵌入于基板固持件中的熱耦合位置處轉(zhuǎn)移至基板固持件。每一個激光二極管可單獨(dú)地受到控制,以提供對于基板固持件的可變的離散點加熱。

在一個方面中,基板固持件的底板的表面可包括多個反射器空腔,反射器空腔可作為至基板固持件的陶瓷板的熱耦合位置,陶瓷板上可放置基板。底板的表面也可包括連接至反射器空腔的多個槽。槽經(jīng)構(gòu)造以繞送光纖至每一個空腔,以提供光至每一個空腔。在一些實施方式中,環(huán)氧樹脂可施加至每一個空腔,以固定終止于空腔中的光纖和/或散射光纖所發(fā)射的光,從而提供更均勻的熱分布。陶瓷板可接合至底板。在一些實施方式中,散熱板可接合于底板與陶瓷板之間,以進(jìn)一步更均勻地分配熱。

在其它方面中,提供于電子器件制造系統(tǒng)中控制跨基板固持件的溫度的方法,如同下文將相關(guān)于圖1至10C更詳細(xì)地解釋。

圖1A與圖1B根據(jù)現(xiàn)有技術(shù),圖示已知的基板固持件100?;骞坛旨?00可包括底板102、陶瓷板104、設(shè)置在底板102與陶瓷板104之間的彈性體接合103、與電阻加熱器106,電阻加熱器106通常嵌入于陶瓷板104中。陶瓷板104可經(jīng)構(gòu)造以接收且加熱定位在陶瓷板104上的基板。底板102可作為散熱器,并且可包括冷卻通道108(圖1B中僅標(biāo)記兩個),冷卻劑可流動通過冷卻通道108。底板102也可相應(yīng)地稱為冷卻板。彈性體接合103應(yīng)有足夠撓性,以允許陶瓷板104相關(guān)于底板102移動,因為這兩個部件具有不同的熱膨脹系數(shù)并且通常處于不同的溫度。彈性體接合103也應(yīng)提供陶瓷板104與底板102之間的抗熱性,使得電阻加熱器106可提高陶瓷板104的溫度高于底板102的溫度。

電阻加熱器106通常經(jīng)由環(huán)形和/或同心的加熱跡線107(圖1B中僅標(biāo)記兩個)來提供徑向加熱。在一些已知的基板固持件中,電阻加熱器106可包括電性分離的加熱跡線,電性分離的加熱跡線可單獨(dú)地受到控制,以向基板固持件提供分離的徑向加熱區(qū)(例如,外部區(qū)、中間區(qū)、與內(nèi)部區(qū))。改變單個區(qū)中的加熱器功率可產(chǎn)生徑向的溫度分布(例如,中心熱且邊緣冷)。但是,這些徑向加熱區(qū)無法控制方位角(或非徑向)的溫度變化,也無法提供局部或離散點的加熱變化。

圖2根據(jù)一或更多個實施方式,圖示電子器件制造系統(tǒng)200。電子器件制造系統(tǒng)200可包括光源210、溫度檢測器212、光源控制器214、與處理腔室216。處理腔室216可為任何合適的基板處理腔室,基板處理腔室經(jīng)構(gòu)造以執(zhí)行任何一或更多個沉積、蝕刻、清潔處理、和/或其它合適的基板處理。處理腔室216可包括基板固持件201,基板固持件201在一些實施方式中可為靜電夾盤。

基板固持件201可包括底板202、彈性體接合203與陶瓷板204。在一些實施方式中,底板202可作為散熱器,并且可包括冷卻通道,冷卻劑可流動通過冷卻通道,類似或等同于底板102。在一些實施方式中,陶瓷板204可包括類似或等同于電阻加熱器106的嵌入式電阻加熱器,,并且可經(jīng)構(gòu)造以接收且加熱定位在陶瓷板204上的基板。彈性體接合203可類似或等同于彈性體接合103。

光源210可包括多個激光單元218(圖2中僅標(biāo)記其中一個)。(所示光源210可具有多于或少于四個激光單元218。)每一個激光單元218可包括二十至兩百個激光二極管以及相關(guān)的電子電路與電源,以用于調(diào)整每一個激光二極管的輸出功率(即,光強(qiáng)度)。激光二極管發(fā)射的紅外線能量可經(jīng)由一束光纖220(每一個激光二極管一條光纖)傳送至基板固持件201中,以提供光至基板固持件201,光可由陶瓷板204吸收并且轉(zhuǎn)換成熱。跨基板固持件201的陶瓷板204所提供的溫度和/或溫度分布可通過調(diào)整各個單獨(dú)的激光二極管所發(fā)射的功率而加以控制。每一個激光二極管可單獨(dú)地受到控制,以輸出低或零功率級至高或最大功率級。在包括電阻加熱的那些實施方式中,光源210可提供補(bǔ)充的加熱給基板固持件201。在其它實施方式中,光源210可為唯一的熱源。

溫度檢測器212可經(jīng)由電纜束222而從溫度傳感器(未圖示)接收溫度反饋,溫度傳感器熱接觸于例如基板固持件201的底板202和/或陶瓷板204。電纜束222可包括光纖和/或其它適于傳送溫度的媒介。在一些實施方式中,溫度檢測器212可具有處理能力和/或可與電子器件制造系統(tǒng)200的其它控制器和/或部件通信。

光源控制器214可耦接至光源210與溫度檢測器212,并且可經(jīng)構(gòu)造以控制每一個激光單元218中的每一個激光二極管的輸出功率。光源控制器214可因此設(shè)定與控制跨基板固持件201的選擇的溫度和/或溫度分布。根據(jù)接收自溫度檢測器212的反饋,和/或光源控制器214中的編程執(zhí)行,和/或按位置列出的設(shè)定點溫度的表格形式中的使用者輸入,光源控制器214可經(jīng)構(gòu)造以通過共同地控制激光二極管的群組或單個的激光二極管,而跨基板固持件201、跨一或更多個局部區(qū)域(包括,例如方位角區(qū)域)、和/或在一或更多個離散加熱點處均勻地調(diào)整基板固持件201的溫度。因此,根據(jù)處理腔室216中正執(zhí)行的基板工藝和/或一或更多個相關(guān)的狀況,光源控制器214可提供跨處理腔室216中正受處理的基板的高度均勻的溫度分布或故意不均勻的溫度分布。在一些實施方式中,光源控制器214可提供任何合適的溫度分布輪廓。光源控制器214可為任何合適的控制器,控制器具有合適的處理器、存儲器、與周邊部件,這些周邊部件經(jīng)構(gòu)造以控制來自光源210的光功率輸出。在一些實施方式中,光源控制器214和/或光源控制器214所執(zhí)行的功能可附加地或替代地為電子器件制造系統(tǒng)200的整體系統(tǒng)控制器的子部分和/或并入于電子器件制造系統(tǒng)200的整體系統(tǒng)控制器中。激光二極管可為單個發(fā)射二極管。舉例來說,激光二極管可具有任何合適的輸出波長范圍,諸如約915nm與約980nm之間??墒褂闷渌妮敵龇秶?。輸出功率可在約0W至約10W之間調(diào)整。但是,可使用甚至更高功率的二極管(例如,>10W)。激光二極管可包括光纖輸出,光纖輸出具有105微米的芯直徑。例如,可使用來自牛津的IPG Photonics公司的PLD-10模型MA。替代地可使用其它類型的光源。

在一些實施方式中,電子器件制造系統(tǒng)200可提供三級的基板溫度控制。第一級可包括在一些底板202的實施方式中冷卻通道提供的冷卻,。第二級可包括在一些陶瓷板204的實施方式中嵌入式電阻加熱器所提供的加熱。以及第三級可包括光源210所提供的至陶瓷板204的像素型加熱。三級的基板溫度控制可提供對于基板溫度分布的非常精細(xì)微調(diào),在一些實施方式中,這可跨300mm的陶瓷板產(chǎn)生小于一攝氏度的目標(biāo)溫度控制。

圖3A、圖3B、圖4A、與圖4B根據(jù)一或更多個實施方式,圖示可用于基板固持件201中的底板302。底板302可由鋁或其它合適的材料制成。底板302可包括多個反射器空腔324(圖3A、圖3B、圖4A、與圖4B中僅標(biāo)記空腔324中的一些),多個反射器空腔324形成在底板302的第一表面326中。第一表面326可為底板302的頂表面。反射器空腔324可具有任何合適的形狀,包括例如球形、拋物線形、與橢圓形。底板302也可包括多個槽328(圖3A、圖3B、圖4A、與圖4B中僅標(biāo)記槽328中的一些),槽328形成在第一表面326中,其中槽328可經(jīng)構(gòu)造用于光纖繞送。多個槽328可跨第一表面326橫向延伸。多個反射器空腔324的每一個反射器空腔324可連接至多個槽328的一個槽328。反射器空腔324可為電性拋光的,以產(chǎn)生平滑、鏡面的磨光,并且在一些實施方式中,反射器空腔324可額外地鍍金。金鍍層可為用于900-1000nm波長范圍的紅外線能量所期望的反射表面,。其它合適的材料可用于反射器空腔324的電鍍。反射器空腔324與槽328可用任何合適的方式各自形成在第一表面326中,諸如,用例如任何合適的機(jī)械加工或研磨工藝。雖然反射器空腔324在圖3A、圖3B、圖4A、與圖4B中示出為規(guī)則的網(wǎng)格圖案,在其它實施方式中,反射器空腔324可用任何合適的圖案、布置和/或位置來構(gòu)造,其中反射器空腔324可最佳地補(bǔ)償熱的不均勻性。此外,如同圖3A、圖3B、圖4A、與圖4B中所示的橫向延伸橫越第一表面326的槽328的圖案可用任何合適的布置來構(gòu)造。還應(yīng)注意到,在一些實施方式中,底板302可具有其它數(shù)量的反射器空腔324和/或槽328。

底板302也可包括多條光纖430,多條光纖430在多個槽328中被接收(其中為了清楚起見,圖4A中僅示出四條代表性的光纖430,且圖4B中僅示出一條代表性的光纖430)。在一些實施方式中,粘著劑可施加至一些或所有的槽328,以固定光纖430于槽328中。多條光纖430的每一光纖可終止于多個反射器空腔324的各自的反射器空腔324中。圖5圖示終止于反射器空腔324中的光纖430。終止于反射器空腔324中的每一光纖430可被構(gòu)造成以如下方式傳送光至該反射器空腔324:每一位置處的光是從該空腔引導(dǎo)至陶瓷板204,且光能量由陶瓷板吸收,用以產(chǎn)生熱。光纖430可包括任何合適的光纖類型,例如階躍折射率多模光纖(step-index multi-mode optical fiber)??墒褂谜宫F(xiàn)較高的抗彎曲性的光纖430??墒褂孟鄬Ω邤?shù)值孔徑(NA)的光纖,例如大于約0.2、大于約0.3、或甚至大于約0.4的NA。

在一些實施方式中,光纖430可一次一條地手動定位在槽328與空腔324中。多條光纖430的一些光纖430,若不是全部光纖430在一些實施方式中可涂覆有金并且預(yù)先彎曲,以順應(yīng)多個槽328的一些槽328。即,多條光纖430的至少一些光纖430可被退火(即,在真空或惰性大氣中加熱至大約800至900攝氏度),同時被限制在夾具中,以彎曲光纖430至選定的半徑。在真空或惰性大氣中執(zhí)行退火可防止光纖通過吸收羥基(OH)或失透(二氧化硅玻璃的再結(jié)晶)而劣化。光纖上的金覆層在升高的溫度下可提供保護(hù)。當(dāng)加熱時,光纖430中的內(nèi)部彎曲應(yīng)力應(yīng)該松弛,允許光纖430彎曲成緊繃的半徑,例如可使用于槽328中的那些。在后續(xù)的冷卻時,光纖430應(yīng)保持彎曲的形狀。這可允許光纖430放置在槽328中,而無需粘著劑,并且可防止光纖430從定位彈出。另外,光纖斷裂和/或故障的風(fēng)險可實質(zhì)上降低。如同圖4A所示,一或更多條光纖430可具有預(yù)先彎曲的部分432。額外地,光纖可安裝成束或線束(harness)。合適材料的熱縮管,諸如PTFE可用于建構(gòu)光纖束。

底板302也可包括至少一個饋通(feed-through)孔334,饋通孔334經(jīng)構(gòu)造以接收通過饋通孔334中的多條光纖430。光纖430可被構(gòu)造成通過饋通孔334的光纖束。在一些實施方式中,底板302可包括,例如所示的八個饋通孔334(圖3A、圖3B、圖4A、與圖4B中僅標(biāo)記饋通孔中的三個)。

底板302可進(jìn)一步包括多個冷卻通道408(繪示于圖4B中),冷卻通道408形成在底板302中,并且被構(gòu)造成允許冷卻劑循環(huán)通過底板302中。冷卻劑可包括任何合適的氣體或液體。在一些實施方式中,冷卻劑可經(jīng)由耦接至底板302的冷卻劑來源(未圖示)而供應(yīng)至底板302。

應(yīng)注意到,為了清楚起見,本領(lǐng)域已知的底板302的一些特征已經(jīng)從附圖省略,諸如例如晶片升降銷、溫度傳感器、以及用于電連接至例如夾持電極的高電壓端子(當(dāng)?shù)装?02與靜電夾盤一起使用時)和/或嵌入于接合至底板302的陶瓷板中的加熱器的饋通孔之類的特征。

參見圖5、圖6A與圖6B,根據(jù)一或更多個實施方式,光纖430的光纖尖端536(即,輸出端)可利用光學(xué)透明的環(huán)氧樹脂固定在反射器空腔324中。光學(xué)透明的環(huán)氧樹脂可為傳感器包裝中已知的,且環(huán)氧樹脂材料可為在近紅外線(NIR,near-infrared)頻譜中為高度透明的。光學(xué)透明的環(huán)氧樹脂在各種粘度、使用溫度范圍、與彈性都可適用。一個實例可為Masterbond EP30LV-1,它在大約900-1000nm的波長范圍可具有大約97%的透射率。

在一些實施方式中,光學(xué)透明的環(huán)氧樹脂可為環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638,散射器638可包括懸浮在散射器中的粒子640,如同圖6A與圖6B所示。粒子640作用為可散射光纖430所發(fā)射的光的光散射元件。在一些實施方式中,環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638的優(yōu)點可為:很少或沒有功率反射回光纖430中。粒子640可為玻璃微球或其它適當(dāng)大小的粒子。玻璃微球可取得自例如加州的圣巴巴拉的Cospheric有限公司,直徑范圍為從約17微米至約100微米。在一些實施方式中,玻璃微球可為金屬涂覆的玻璃,以改善光散射。金屬涂層可為例如鋁、銀或金。在一些實施方式中,粒子640應(yīng)該相對于光纖430的直徑小(光纖430的直徑在一些實施方式中可為例如約105微米)。大粒子會潛在地且負(fù)面地阻礙光纖430的光纖尖端536,這可能導(dǎo)致不良的光散射和/或光能量反射回光纖430中。

如同圖7所示,根據(jù)一或更多個實施方式,環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器738可施加至兩層中。第一層742可為施加于光纖430的光纖尖端536之上的不含粒子的光學(xué)透明環(huán)氧樹脂,以提供光纖尖端536與任何粒子640之間的最小間隙。第二層744可為施加于第一層742之上的裝載粒子的光學(xué)透明環(huán)氧樹脂,以填充反射器空腔324。

應(yīng)注意到,在一些實施方式中,可使用合適的非環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器來取代環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638與738,其中每一光纖430可替代地固定在各自的反射器空腔324中??墒褂玫墓鈱W(xué)散射器(無環(huán)氧樹脂)可為光學(xué)透明的、無粒子的、裝載粒子的、和/或上述的組合。

參見圖10A,光纖尖端1036可固定在反射器空腔1024中,使得來自光纖1030的光1054撞擊在橢圓形、拋物線形或球形的反射器空腔1024的大致焦點處的光學(xué)散射器粒子1040。這會導(dǎo)致反射光1056從反射器空腔的反射表面反射通過彈性體接合1003層至陶瓷板1004,其中反射光1056可被吸收且轉(zhuǎn)換為熱。此方案可允許底板1002與繞送在底板1002中的光纖在明顯低于陶瓷板1004的溫度操作,即使底板1002正在傳送能量至陶瓷板1004。

圖10B與圖10C圖示光纖與散射器的構(gòu)造,使得來自光纖的光可最佳地散射至周圍的反射器空腔中,而只有最少的反射回到光纖中。在圖10B中,諸如本文中所述類型的光學(xué)散射器1038可具有足夠大小的散射器粒子1040,使得散射器粒子1040接收從光纖1030傳送的所有光。使用光學(xué)透明的環(huán)氧樹脂或其它合適的方法,散射器粒子1040可位于光纖尖端1036附近,但不一定在光纖尖端1036處。光纖尖端1036與散射器粒子1040之間的距離可以通過最大化散射效率與最小化反射返回光纖而決定。

圖10C圖示替代的散射器構(gòu)造,其中光纖1030的內(nèi)芯1058可通過剝除外包覆層1060而露出,且光纖1030的內(nèi)芯1058可具有通過化學(xué)、激光,或機(jī)械方式粗糙化的表面,使得以管輸送至內(nèi)芯1058的光用散射的方式離開。這種散射器尖端的光纖可為熟知的,并且可用于導(dǎo)管型的醫(yī)療應(yīng)用,例如光動力療法或光活化的化療。

返回至圖6B與圖7,在環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638或738硬化之后,在一些實施方式中,底板302的第一表面326可加工并拋光,以獲得用于接合的干凈、平坦的表面。彈性體接合603可接合陶瓷板604至底板302,彈性體接合603可以是諸如摻雜硅樹脂粘著劑的氧化鋁。彈性體接合603可具有在每一個反射器空腔324之上的通孔646。在接合之前,紅外線吸收涂層648可施加至陶瓷板604的底表面(即,相鄰于第一表面326與每一反射器空腔324的表面)。使用例如絲網(wǎng)印刷或合適的掩模,紅外線吸收涂層648可僅施加至反射器空腔324之上的區(qū)域。紅外線吸收涂層648可為任何紅外線吸收材料。例如,黑色顏料可為合適的材料?;蛘撸墒褂猛苛?,涂料諸如,例如以色列的Acktar有限公司的Black Metal VelvetTM。在一些實施方式中,紅外線吸收涂層648可具有高達(dá)350攝氏度的使用溫度,并且可施加約13微米至約25微米的厚度。

陶瓷板604可被構(gòu)造成經(jīng)由終止于多個反射器空腔324中的多條光纖430來接收像素型光式加熱。在一些實施方式中,底板302與陶瓷板604可用于基板蝕刻處理的靜電夾盤。在這些應(yīng)用中,陶瓷板604可相對薄(例如,約2mm至約5mm)。因此,陶瓷板604對于小熱源可能不夠厚而不能傳開成相當(dāng)光滑的表面溫度分布。例如,在一些實施方式中,陶瓷板604的表面溫度可從約38攝氏度變化至最高約58攝氏度,直接高于具有環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638的每一個反射器空腔324。在一些實施方式中,散熱板850可用來矯正不均勻的表面溫度,如同圖8A與圖8B的基板固持件800所示。

散熱板850可將激光能量熱轉(zhuǎn)換為合適的表面溫度分布。散熱板850可被夾(sandwich)在陶瓷板804與底板802之間。陶瓷板804可類似或等同于陶瓷板204和/或604,并且可包括靜電電極與選擇性的嵌入式電阻加熱器(均未圖示)。底板802可類似或等同于底板302,并且可包括多個反射器空腔824,反射器空腔824可各自填充有環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器838,環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器838可類似或等同于環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638或738?;蛘?,可使用非環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器。底板802也可包括冷卻通道808,冷卻通道808可類似或等同于冷卻通道108或408。散熱板850可僅用來提供橫向熱擴(kuò)散,并且可由高熱導(dǎo)性的材料建構(gòu),材料諸如,例如鋁或氮化鋁??蛇x擇氮化鋁,因為氮化鋁具有小的熱膨脹系數(shù)??墒褂闷渌线m的材料。

散熱板850可經(jīng)由第一彈性體接合803而耦接至底板802的第一表面826,第一彈性體接合803設(shè)置于散熱板850與底板802的的第一表面826之間。第一彈性體接合803可具有通孔846(圖8B中僅標(biāo)記兩個)定位在每一個反射器空腔824之上。第一彈性體接合803可類似或等同于彈性體接合603。在接合之前,紅外線吸收涂層(未圖示)可施加至散熱板850的底表面(即,相鄰于第一表面826與反射器空腔824的表面),紅外線吸收涂層類似或等同于紅外線吸收涂層648。使用例如絲網(wǎng)印刷或合適的掩模,紅外線吸收涂層可僅施加至反射器空腔824之上的區(qū)域。

陶瓷板804可經(jīng)由第二彈性體接合805而耦接至散熱板850,第二彈性體接合805設(shè)置于陶瓷板804與散熱板850之間。第二彈性體接合805可類似或等同于第一彈性體接合603或803。

在一些實施方式中,陶瓷板804可為約2mm厚,且氮化鋁的散熱板850可為約3mm厚。在那些實施方式中,跨陶瓷板804的頂表面852的溫度變化可減少至約1℃。

圖9根據(jù)一或更多個實施方式,圖示一種于電子器件制造系統(tǒng)中控制跨基板固持件的溫度的方法900。在工藝方塊902處,方法900可包括:提供底板,底板包括在底板的第一表面中的多個空腔。在一些實施方式中,底板可為例如圖3A、圖3B、圖4A、與圖4B的底板302,其中第一表面可為第一表面326,并且多個空腔可為反射器空腔324。其它實施方式可具有不同數(shù)量、形態(tài)和/或構(gòu)造的反射器空腔,相較于針對反射器空腔324所示的那些。

在工藝方塊904處,方法900可包括:繞送多條光纖,使得每一光纖的第一端終止于多個空腔的各自的空腔中。如同圖4A、圖4B、與圖5所示,多條光纖可為光纖430,第一端可為光纖尖端536,且多個空腔可為反射器空腔324。每一光纖430可被繞送,使得每一光纖430的光纖尖端536終止于各自的反射器空腔324中,如同圖5所示。

在一些實施方式中,方法900可包括提供底板,使得底板包括在第一表面中的多個槽,其中多個空腔的每一個空腔連接至多個槽的一個槽。在一些實施方式中,多個槽可為圖3A、圖3B、圖4A、與圖4B的槽328。在其它實施方式中,槽的數(shù)量、形態(tài)和/或構(gòu)造可不同于針對槽328所示的那些。

在一些實施方式中,方法900可包括施加環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器于至少一些或所有的空腔中。例如,在一些實施方式中,環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器可為圖6A與圖6B的環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638,環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638可施加至每一個反射器空腔324或僅反射器空腔324中的一些反射器空腔324。環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638可包括懸浮在環(huán)氧樹脂光學(xué)散射器638中的粒子640,粒子640將作用為光散射元件用以散射從光纖430接收的光。

在一些實施方式中,環(huán)氧樹脂散射器的施加可包括:施加無粒子層于每一光纖的每一個第一端之上,每一光纖終止于多個空腔的一個空腔,且然后施加裝載粒子層于多個空腔的每一個空腔中的無粒子層之上。例如,如同圖7所示,不含粒子層可為第一層742,第一層742可施加于終止于反射器空腔324中的每一光纖430的每一光纖尖端536(例如,第一端)之上。裝載的粒子層可為第二層744,第二層744可施加于每一個反射器空腔324中的第一層742之上。

在一些實施方式中,方法900也可包括:經(jīng)由第一彈性體接合而耦接散熱板至底板的第一表面,第一彈性體接合設(shè)置于散熱板與底板的第一表面之間,且經(jīng)由第二彈性體接合而耦接陶瓷板至散熱板,第二彈性體接合設(shè)置于陶瓷板與散熱板之間,陶瓷板經(jīng)構(gòu)造以接收與支撐陶瓷板上的基板。例如,如同圖8A與圖8B所示,散熱板可為散熱板850,散熱板850可經(jīng)由第一彈性體接合803而耦接至底板802的第一表面826,第一彈性體接合803設(shè)置在散熱板850與底板802的第一表面826之間。而且,陶瓷板可為陶瓷板804,陶瓷板804可經(jīng)由第二彈性體接合805而耦接至散熱板850,第二彈性體接合805設(shè)置在陶瓷板804與散熱板850之間。

在一些實施方式中,方法900也可包括:施加紅外線吸收涂層至陶瓷板的底表面,底表面將耦接于底板的第一表面,吸收涂層相鄰于多個空腔的每一個空腔。如同圖6B所示,紅外線吸收涂層可為施加至陶瓷板604的底表面(即,相鄰于底板302的反射器空腔324與第一表面326的陶瓷板604的表面)的紅外線吸收涂層648。

一些實施方式,或者一些實施方式的部分可作為電腦程序產(chǎn)品或軟件而提供,電腦程序產(chǎn)品或軟件可包括機(jī)器可讀取媒介,機(jī)器可讀取媒介具有非暫態(tài)指令儲存在可讀取媒介上,指令可用來為電腦系統(tǒng)、控制器、或其它電子器件編程,以執(zhí)行根據(jù)一或更多個實施方式的程序。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)容易理解到,本文所述的本發(fā)明易受到廣泛的用途與應(yīng)用。除了本文所述的那些實施方式之外,本發(fā)明的許多實施方式與調(diào)適、以及許多變化、修改與等效設(shè)置在不偏離本發(fā)明的實質(zhì)或范圍的條件下,將從本發(fā)明與以上的描述變得明顯,或者由本發(fā)明與以上的描述合理地暗示。例如,盡管相關(guān)于電子器件制造系統(tǒng)來描述,本發(fā)明的一或更多個實施方式可用于需要跨工件的均勻或不均勻熱分布與溫度控制的其它類型的系統(tǒng)。因此,雖然本發(fā)明在此已經(jīng)相關(guān)于具體實施方式來詳細(xì)描述,但是應(yīng)理解到,本公開內(nèi)容僅為示例性的,并且呈現(xiàn)本發(fā)明的實施例,且僅出于提供本發(fā)明的完整與能夠?qū)嵤┑墓_內(nèi)容的目的而提出。此公開內(nèi)容并不旨在將本發(fā)明限制于所公開的特定的裝置、設(shè)備、組件、系統(tǒng)或方法,而且,與之相反地,意圖為涵蓋落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的所有修改物、等效物與替代物,如同以下的權(quán)利要求書所界定的。

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