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與解耦電容器結合的來自第二級中部制程層的電容器的制作方法

文檔序號:11935519閱讀:210來源:國知局
與解耦電容器結合的來自第二級中部制程層的電容器的制作方法與工藝

本公開一般涉及集成電路(IC)。更具體而言,本公開涉及與解耦電容器結合的來自第二級中部制程層的電容器。



背景技術:

用于集成電路(IC)的半導體制造的工藝流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)和后端制程(BEOL)工藝。FEOL工藝可包括晶片制備、隔離、阱形成、柵極圖案化、間隔物、擴展和源極/漏極植入、硅化物形成、以及雙應力內襯形成。MOL工藝可包括柵極和端子觸點形成。BEOL工藝可包括用于將在FEOL和MOL工藝期間創(chuàng)建的半導體器件互連的一系列晶片加工步驟?,F(xiàn)代半導體芯片產(chǎn)品的成功制造和合格涉及所采用的材料和工藝之間的相互作用。具體地,在BEOL工藝中用于玻璃上覆無源(POG)器件的導電材料鍍敷的形成是工藝流程中日益挑戰(zhàn)的部分。

在制造高密度電容器(諸如金屬氧化物金屬(MOM)電容器或解耦電容器)時,仍有一個挑戰(zhàn)是節(jié)省芯片面積以及提升芯片性能,而同時限制電容器的數(shù)目。由于集成電路的縮放,高性能器件的電容器的數(shù)目持續(xù)增加。因此,能夠用有限數(shù)目的高密度電容器來高效地達成高電容水平是關心的議題。

概述

中部制程(MOL)層內的器件電容器結構包括第一MOL互連層。該第一MOL互連層可包括在半導體基板的有源表面上的一組虛設柵極觸點之間的有源觸點。該器件電容器結構還包括第二MOL互連層。第二MOL互連層可包括直接位于這些有源觸點中暴露的各個有源節(jié)點上的一組堆疊式觸點。第二MOL互連層還可包括在一些有源觸點上的蝕刻停止層部分上的一組飛越(fly-over)觸點。該飛越觸點和該堆疊式觸點可提供一組器件電容器的端子。

一種制造中部制程(MOL)層內的器件電容器結構的方法包括制造第一MOL互連層。該第一MOL互連層可包括在半導體基板的有源表面上的虛設柵極觸點之間的有源觸點。該方法還包括在該第一MOL互連層上沉積蝕刻停止層。該方法進一步包括制造第二MOL互連層。該第二MOL互連層可包括直接位于這些有源觸點中暴露的各個有源觸點上的堆疊式觸點、以及在一些有源觸點上的蝕刻停止層部分上的飛越觸點。這些飛越觸點和這些堆疊式觸點可提供一組器件電容器的端子。

中部制程(MOL)層內的器件電容器結構包括第一MOL互連層。第一MOL互連層可包括在半導體基板的有源表面上的一組虛設柵極觸點之間的有源觸點。該器件電容器結構還包括第二MOL互連層。第二MOL互連層可包括直接位于這些有源觸點中暴露的各個有源觸點上的一組堆疊式觸點。該第二MOL互連層還可包括在一些有源觸點上的用于蝕刻停止的裝置部分上的一組飛越(fly-over)觸點。這些飛越觸點和這些堆疊式觸點可提供一組器件電容器的端子。

這已較寬泛地勾勒出本公開的特征和技術優(yōu)勢以便下面的詳細描述可以被更好地理解。本公開的附加特征和優(yōu)點將在下文描述。本領域技術人員應該領會,本公開可容易地被用作修改或設計用于實施與本公開相同的目的的其他結構的基礎。本領域技術人員還應認識到,這樣的等效構造并不脫離所附權利要求中所闡述的本公開的教導。被認為是本公開的特性的新穎特征在其組織和操作方法兩方面連同進一步的目的和優(yōu)點在結合附圖來考慮以下描述時將被更好地理解。然而,要清楚理解的是,提供每一幅附圖均僅用于解說和描述目的,且無意作為對本公開的限定的定義。

附圖簡要說明

為了更全面地理解本公開,現(xiàn)在結合附圖參閱以下描述。

圖1解說了半導體電路的側視圖。

圖2A和2B示出了從中部制程制造工藝制造的器件的橫截面視圖。

圖3A和3B示出了根據(jù)本公開一方面的從中部制程制造工藝制造的器件電容器結構的橫截面視圖。

圖3C示出了根據(jù)本公開一方面的從中部制程制造工藝制造的器件電容器結構的橫截面視圖。

圖4是解說根據(jù)本公開的諸方面的中部制程制造工藝的過程流程圖。

圖5是示出其中可有利地采用本公開的配置的示例性無線通信系統(tǒng)的框圖。

圖6是解說根據(jù)一種配置的用于半導體組件的電路、布局、以及邏輯設計的設計工作站的框圖。

詳細描述

以下結合附圖闡述的詳細描述旨在作為各種配置的描述,而無意表示可實踐本文中所描述的概念的僅有的配置。本詳細描述包括具體細節(jié)以便提供對各種概念的透徹理解。然而,對于本領域技術人員將顯而易見的是,沒有這些具體細節(jié)也可實踐這些概念。在一些實例中,以框圖形式示出眾所周知的結構和組件以避免湮沒此類概念。如本文所述的,術語“和/或”的使用旨在表示“可兼性或”,而術語“或”的使用旨在表示“排他性或”。

半導體制造工藝通常被分為三個部分:前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)以及后端制程(BEOL)。前端制程工藝包括晶片制備、隔離、阱形成、柵極圖案化、間隔物、和摻雜植入。中部制程工藝包括柵極和端子觸點形成。然而,中部制程工藝的柵極和端子觸點形成是制造流程的越發(fā)有挑戰(zhàn)的部分,尤其是對于光刻圖案化而言。后端制程工藝包括形成互連和電介質層以用于耦合至FEOL器件。這些互連可以用使用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)來沉積的層間電介質(ILD)材料的雙鑲嵌工藝來制造。

更近期以來,用于電路系統(tǒng)的互連級的數(shù)目由于如今在現(xiàn)代微處理器中被互連的大量晶體管而已顯著增加。用于支持增加數(shù)量的晶體管的增加數(shù)量的互連級涉及更錯綜復雜的中部制程工藝以執(zhí)行柵極和端子觸點形成。

如本文所述,中部制程互連層可指代用于將第一導電層(例如,金屬1(M1))連接至集成電路的氧化物擴散(OD)層以及用于將M1連接至該集成電路的有源器件的導電互連。用于將M1連接至集成電路的OD層的中部制程互連層可被稱為“MD1”和“MD2”。用于將集成電路的M1連接至該集成電路的導電柵極的中部制程互連層可被稱為“MP”。

在不期望的觸點周圍對中部制程互連層進行布線可涉及這些中部制程互連層之間的附加通孔。中部制程互連層之間的附加通孔可能會增加制造的復雜性和成本。而且,中部制程互連層之間的附加通孔可增加電路的故障模式。在本公開的一個方面,第二MOL導電層使用現(xiàn)有的工藝技術來提供附加的一組本地互連。

圖1示出解說了根據(jù)本公開的一個方面的集成電路(IC)器件100的橫截面視圖,其中在第一中部制程(MOL)互連層110內執(zhí)行導電層布線。該IC器件100包括具有淺溝槽隔離(STI)區(qū)(例如,隔離材料104)的半導體基板(例如,硅晶片)102。在隔離材料104和基板102內是有源區(qū),其中形成了具有源極區(qū)、漏極區(qū)和柵極區(qū)(例如,柵極106)的有源器件。

同樣在圖1中,第一MOL互連層110包括使用現(xiàn)有工藝技術在基板102上制造的一組有源(氧化物擴散(OD))觸點(M01)112(M01 112-1、M01112-2、M01 112-3、M01 112-4和M01 112-5)。有源觸點112可被耦合至第一MOL互連層110內的有源器件(例如,源極和漏極區(qū))。在一個配置中,可以使用附加的一組本地互連在第二MOL互連層內執(zhí)行導電層的布線。導電層可以由鎢或其他類似導電材料構成。

電容密度對于器件性能是有益的。例如,高密度電容器(諸如金屬氧化物金屬(MOM)電容器或解耦電容器)幫助節(jié)省芯片面積并提升芯片性能。高性能器件的高密度電容器的數(shù)目可以隨著集成電路的指數(shù)式縮放而持續(xù)增加。因此,能夠用有限數(shù)目的高密度電容器來高效地達成高電容水平是關心的議題。

根據(jù)本公開的一方面,提供了可以與其他電容器聯(lián)用的新的附加中部制程(MOL)電容。這一來自諸MOL層中的一者的附加電容是獲得電容而不增加高密度電容器的數(shù)目的高效且有效的方式。用來生成此附加電容的MOL層可以是前端制程(FEOL)有源器件和后端制程(BEOL)導電層(例如,M1、M2和其他導電材料層)之間的第二MOL互連層。

圖2A和2B示出了從中部制程制造工藝制造的器件的橫截面視圖。

圖2A示出了器件的中部制程(MOL)層的布局的俯視圖200。可以從俯視圖200中看到的元件包括柵極觸點202(或虛設柵極觸點(M03))、堆疊式觸點206(206-1和206-2(M02))、以及飛越觸點210(M02)。堆疊式觸點206覆蓋有源觸點204并且在與有源觸點204相同的方向上延伸,這可以從圖2B中看到。柵極觸點202和堆疊式觸點206也在相同的方向上延伸。然而,飛越觸點210在與柵極觸點202和堆疊式觸點206延伸的方向不同的方向(例如,正交方向上)延伸。飛越觸點210可以保持與柵極觸點202隔離并允許耦合到未示出的其他附加導電材料層。由于MOL制造工藝的性質,飛越觸點210和柵極觸點202之間可能存在隔離。

圖2B示出了器件的各種MOL層的橫截面視圖220??梢詮臋M截面視圖220中看到的元件被劃分成第一MOL互連層216(M01)和第二MOL互連層218(M02)。第一MOL互連層216包括有源觸點204、柵極觸點202和電介質材料212。第二MOL互連層218包括蝕刻停止層214、堆疊式觸點206-1、堆疊式觸點206-2和飛越觸點210。在飛越觸點210和柵極觸點202之間還可以看到隔離。

至少兩個不同掩??梢灾圃於询B式觸點206-1和堆疊式觸點206-2。附加的掩模也可以制造飛越觸點210。不同掩模圖案中的每一者還可以導致不同的蝕刻深度。堆疊式觸點206-1、堆疊式觸點206-2和飛越觸點210的制造可包括沉積、圖案化、暴露和蝕刻。

因為圖2A-2B中所示的器件中的各種組件的布置,未生成附加的或額外的電容。未生成附加的電容是因為飛越觸點210以與堆疊式觸點206-1和206-2的方向垂直的方向來取向。因此,飛躍式觸點210、以及堆疊式觸點206-1、206-2中任一者的導電材料不可能形成電容器的極板以產(chǎn)生附加的電容。結果,圖2A-2B中所示的器件設計可能就其中設計不產(chǎn)生附加的電容的高密度電容而言并不高效,并會涉及在已經(jīng)制造完成的組件上制造實際的電容器組件。

圖3A和3B示出了根據(jù)本公開一方面的從中部制程制造工藝制造的器件電容器結構的橫截面視圖。

圖3A是根據(jù)本公開一方面的器件電容器結構的中部制程(MOL)層的布局的俯視圖300。圖3A示出了與圖2A類似的元件。圖3A中的飛越觸點210可以被視作在與柵極觸點202和堆疊式觸點206延伸的方向相同的方向上(例如,平行)延伸。在該配置中,飛越觸點210可以使用飛越工藝來圖案化并被印刷以制造飛越觸點210。圖3A中所示的飛越觸點210和柵極觸點202延伸的方向被示作垂直,但是其也可以是水平的。使得飛越觸點210在與堆疊式觸點206相同的方向上延伸帶來了數(shù)個優(yōu)點,如參照圖3B所進一步解釋的。

圖3B是根據(jù)本公開一方面的器件電容器結構的各種MOL層的橫截面視圖320。圖3B的橫截面視圖320示出了第一MOL互連層322和第二MOL互連層324。同樣,組件上出現(xiàn)各種“+”或“-”符號以指示組件是具有正電荷還是具有負電荷。最終,在具有+符號的組件和具有-符號的組件之間出現(xiàn)了電容或者創(chuàng)建了電容器。

在該配置中,電介質材料212圍繞第一MOL互連層322內的諸有源觸點204之間的柵極觸點202??梢钥吹?,蝕刻停止層214(其也可以是電介質材料)放置在第二MOL互連層324內的諸飛越觸點210和諸堆疊式觸點206之間。電介質材料212可包括氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)和/或碳氮化硅(SICN)。蝕刻停止層214可以是與電介質材料212相同的材料,并且也包括氮化硅和/或碳氮化硅。雖然未在圖3B中示出,但是可以在第二MOL互連層324的諸飛越觸點210和諸堆疊式觸點206之間的蝕刻停止層214上沉積氧化物材料。該氧化物材料可包括氧化硅。柵極觸點202可以是到虛設柵極的觸點,其中沒有信號被饋送到柵極中,并且此類“虛設”組件并不用作晶體管的有源或起效組件。圖3B中所示的組件還可以被布置在半導體基板的有源表面上。

各種組件(諸如柵極觸點202、有源觸點204、堆疊式觸點206、和飛越觸點210)還可以被印刷在電介質材料層上,例如以被形成在器件電容器結構內。例如,在形成柵極觸點202(M03)之后,有源觸點204(M01)被圖案化并蝕刻。在圖案化并蝕刻有源觸點204之后,導電材料(例如,鎢(W))被用來填充定義的區(qū)域,隨后通過化學機械拋光(CMP)來完成有源觸點204的形成。該導電材料填充過程可以通過在定義的區(qū)域內印刷導電材料來執(zhí)行以完成第一MOL互連層。

在形成第一MOL互連層322(M01)之后,第二MOL互連層324(M02)(包括蝕刻停止層214)隨后被沉積。隨后執(zhí)行圖案化以及蝕刻過程來定義第一個堆疊式觸點206-1、第二個堆疊式觸點206-2,隨后定義一個飛越觸點210。然而,圖案化并蝕刻以定義一個飛越觸點210是在與第一個堆疊式觸點206-1和第二個堆疊式觸點206-2不同的標高處執(zhí)行的。一旦定義,導電材料(例如,鎢(W))就被用來填充定義的區(qū)域,隨后進行化學機械拋光(CMP)來完成第一個堆疊式觸點206-1、第二個堆疊式觸點206-2和一個飛越觸點210的形成。

根據(jù)本公開的一方面,在器件電容器結構中可以形成各種電容值,如圖3C中進一步描述的。這些電容值包括形成在飛越觸點210和堆疊式觸點206之間的附加電容,諸如器件電容器302。

圖3C示出了根據(jù)本公開一方面的從中部制程制造工藝制造的器件電容器結構的橫截面視圖330。

橫截面視圖330具有與圖3B的橫截面視圖320類似的元件,區(qū)別在于示出了各種電容器或電容值,諸如一個器件電容器320、一個解耦電容器304、和一個MOM電容器306。

器件電容器302被形成在第二MOL互連層324的諸飛越觸點210和諸堆疊式觸點206之間。因為諸飛越觸點210和諸堆疊式觸點206在相同的方向上形成(即,平行(如圖3A中所示)),所以在這兩個組件之間可以更容易地創(chuàng)建電容。在制造過程期間,飛越觸點210被圖案化成在與堆疊式觸點206相同的方向上延伸。圖3A中該方向被示為垂直,但是其也可以是水平的。

解耦電容器304(也被稱為“decap”)可以是傳統(tǒng)的金屬氧化物半導體(MOS)解耦電容器,并被形成在第一MOL互連層322的柵極觸點202和有源觸點204之間。

MOM電容器306形成在第二MOL互連層324中的飛越觸點210和第一MOL互連層322中的有源觸點204之間,其中蝕刻停止層214處在飛越觸點210和有源觸點204之間。蝕刻停止層214還可以是氧化物或氮化物(諸如,SiN)并且還可以具有高k值。

若圍繞柵極的兩個有源觸點204(例如,柵極觸點202)形成了晶體管的源極和漏極,那么也可以有一些電容(未示出)形成在該晶體管的柵極觸點202和溝道區(qū)之間。

形成在飛越觸點210和堆疊式觸點206之間并也包括蝕刻停止層214(其可以是高k材料)的總體電容也可以大于或等于從MOM電容器的密集導電材料層(或有可能從較低層)形成的電容量。差別在于,在圖3C的MOL器件的情形中,使用了高k材料(例如,在蝕刻停止層214中),而MOM電容器可以在其導電層之間使用低k材料。

如上文所描述的,形成在飛越觸點210和堆疊式觸點206的平行組件之間的附加電容也可以與來自解耦電容器304、MOM電容器306以及圖3C中存在的其他電容值結合。

形成圖3C中的器件的過程就掩模利用而言是高效的。例如,用于在針對圖2A-2B描述的工藝中制造飛越觸點210的掩模被重用以提供附加的電容以提供改進的設計密度。因此,以上描述的本公開的中部制程(MOL)制造工藝不僅生成了附加的電容,而且就掩模利用而言也是高效的。

圖4是解說根據(jù)本公開的一方面的中部制程制造工藝400的過程流程圖。在框402中,制造了第一中部制程(MOL)互連層(例如,第一MOL互連層322)。第一MOL互連層可包括在半導體基板的有源表面上的一組虛設柵極觸點(例如柵極觸點202)之間的諸有源觸點(例如,有源觸點204)。在框404,蝕刻停止層(例如,蝕刻停止層214)被沉積在第一MOL互連層上。在框406中,第二MOL互連層(例如,第二MOL互連層324)被制造。第二MOL互連層可包括直接位于諸有源觸點中暴露的各個有源觸點上的一組堆疊式觸點(例如,堆疊式觸點206)。第二MOL互連層還可包括在一些有源觸點上的蝕刻停止層部分上的一組飛越(fly-over)觸點(例如,飛越觸點210)。這些飛越觸點和這些堆疊式觸點提供了一組器件電容器(例如,器件電容器302)的端子。

在一個配置中,制造第二MOL層包括直接在諸有源觸點中暴露的各個有源觸點上制造該組堆疊式觸點,以及在一些有源觸點的蝕刻停止層部分上制造該組飛越觸點。例如,如圖3B中所示,制造第二MOL互連層可包括蝕刻在第一MOL互連層322上的蝕刻停止層214的預定部分以諸有源觸點204中預定的各個有源觸點。第二MOL互連層324的制造還可包括例如,使用堆疊式觸點掩模來圖案化臨近于這些有源觸點204中暴露的各個預定有源觸點的蝕刻停止層214。在該示例中,制造第二MOL互連層324包括在蝕刻停止層214的經(jīng)圖案化部分上沉積導電物質以直接在這些有源觸點204中的暴露的各個預定有源觸點上制造堆疊式觸點206。

制造第二MOL互連層324還可包括飛越觸點形成。例如,如圖3B中所示,可以在堆疊式觸點206和蝕刻停止層214上沉積絕緣材料(例如,氧化物)。在該示例中,絕緣材料使用飛越掩模來圖案化以暴露在一些有源觸點204上的蝕刻停止層214部分。替換地,光致抗蝕劑可以定義飛越觸點。導電材料可以被印刷(或沉積)在蝕刻停止層214的暴露部分上以及絕緣材料內。沉積或印刷導電材料在一些有源觸點204上的蝕刻停止層214部分上形成了飛越觸點210。該組堆疊式觸點、該組飛越觸點和絕緣材料可以被拋光。

在一個配置中,在諸中部制程(MOL)層內的器件電容器結構包括第一MOL層,該第一MOL層包括在半導體基板的有源表面上的一組虛設柵極觸點之間的有源觸點。該器件電容器結構還包括第二MOL層,該第二MOL層包括直接位于諸有源觸點中暴露的各個有源觸點上的一組堆疊式觸點,以及在一些有源觸點上的用于蝕刻停止的裝置部分上的一組飛越觸點。在本公開的一個方面,蝕刻停止裝置可以是蝕刻停止層214。在另一方面,前述裝置可以是配置成執(zhí)行由前述裝置敘述的功能的任何材料或結構。

在一個配置中,該組器件電容器還可以結合一組解耦電容器和一組MOM電容器提供附加電容。在一個配置中,飛越觸點和一些有源觸點提供了一組MOM電容器的端子。第一MOL層還可包括在該組虛設柵極觸點和該組有源觸點之間的電介質材料,該電介質材料可以是氮化硅和/或碳氮化硅。

用于各種導電材料層(諸如,柵極觸點202、有源觸點204、堆疊式觸點206-1、206-2和206、和飛越觸點210)的導電材料可以是銅(Cu)、銀(Ag)、退火銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鈣(Ca)、鎢(W)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、鋰(Li)、鐵(Fe),或具有高導電性的其他導電材料。前述導電材料層也可通過電鍍、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、噴濺、或蒸發(fā)來沉積。

電介質材料212和蝕刻停止層214可以是具有高k或高介電常數(shù)值的材料,包括氮化硅(SiN)、碳化硅(SiCk)、碳氮化硅(SiCN)和其他材料。若材料具有低k,可以使用的示例材料包括二氧化硅(SiO2)及其氟摻雜物、碳摻雜物、和多孔碳摻雜物形式、以及旋涂式有機聚合電介質(諸如聚酰亞胺、聚降冰片烯、苯并環(huán)丁烯(BCB)和聚四氟乙烯(PTEF))、基于旋涂硅的聚合物電介質、含氮碳氧化硅(SiCON)、碳或氫摻雜的二氧化硅(SiO2)。布置在飛越觸點210和堆疊式觸點206之間的第二MOL互連層324內的絕緣材料還可包括氧化硅或摻雜的二氧化硅。前述的那些層也可通過旋涂式工藝、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、噴濺或蒸發(fā)來沉積。

盡管在上述工藝步驟中未提及,但光致抗蝕劑、通過掩模進行紫外線曝光、光致抗蝕劑顯影和光刻可被使用。光致抗蝕劑層可通過旋涂、基于液滴的光致抗蝕劑沉積、噴涂、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、噴濺或蒸發(fā)來沉積。光致抗蝕劑層可隨后被曝光,并且隨后通過使用諸如氯化鐵(FeCl3)、氯化銅(CuCl2)或堿性氨(NH3)之類的溶液的化學蝕刻工藝來蝕刻以便洗去被曝光的光致抗蝕劑部分,或者使用等離子體的干蝕刻工藝來蝕刻。光致抗蝕劑層還可以通過化學光致抗蝕劑剝離工藝或使用等離子體(諸如氧)的干光致抗蝕劑剝離工藝來剝離,其被稱為灰化。

圖5是示出其中可有利地采用本公開的一方面的示例性無線通信系統(tǒng)500的框圖。出于解說目的,圖5示出了三個遠程單元520、530、和550以及兩個基站540。將認識到,無線通信系統(tǒng)可具有遠多于此的遠程單元和基站。遠程單元520、530和550包括IC器件525A、525C和525B,這些IC器件包括所公開的器件(例如,器件電容器MOL結構)。將認識到,其他器件也可包括所公開的器件(例如,器件電容器MOL結構),諸如基站、交換設備、和網(wǎng)絡裝備。圖5示出了從基站540到遠程單元520、530、和550的前向鏈路信號580,以及從遠程單元520、530、和550到基站540的反向鏈路信號590。

在圖5中,遠程單元520被示為移動電話,遠程單元530被示為便攜式計算機,并且遠程單元550被示為無線本地環(huán)路系統(tǒng)中的固定位置遠程單元。例如,遠程單元可以是移動電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)據(jù)助理)、啟用GPS的設備、導航設備、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝備)、或者存儲或取回數(shù)據(jù)或計算機指令的其他設備、或者其組合。盡管圖5解說了根據(jù)本公開的各方面的遠程單元,但本公開并不被限定于所解說的這些示例性單元。本公開的各方面可以合適地在包括所公開的器件的許多器件中使用。

圖6是解說用于半導體組件(諸如以上公開的器件)的電路、布局以及邏輯設計的設計工作站600的框圖。設計工作站600包括硬盤601,該硬盤601包含操作系統(tǒng)軟件、支持文件、以及設計軟件(諸如Cadence或OrCAD)。設計工作站600還包括促成對電路610或半導體組件612(諸如所公開的器件(例如,器件電容器MOL結構))的設計的顯示器602。提供存儲介質604以用于有形地存儲電路設計610或半導體組件612。電路設計610或半導體組件612可以文件格式(諸如GDSII或GERBER)存儲在存儲介質604上。存儲介質604可以是CD-ROM、DVD、硬盤、閃存、或者其他合適的設備。此外,設計工作站600包括用于從存儲介質604接受輸入或者將輸出寫到存儲介質604的驅動裝置603。

存儲介質604上記錄的數(shù)據(jù)可指定邏輯電路配置、用于光刻掩模的圖案數(shù)據(jù)、或者用于串寫工具(諸如電子束光刻)的掩模圖案數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)可進一步包括與邏輯仿真相關聯(lián)的邏輯驗證數(shù)據(jù),諸如時序圖或網(wǎng)電路。在存儲介質604上提供數(shù)據(jù)通過減少用于設計半導體晶片或管芯的工藝數(shù)目來促成電路設計610或半導體組件612的設計。

對于固件和/或軟件實現(xiàn),這些方法體系可以用執(zhí)行本文所描述功能的模塊(例如,規(guī)程、函數(shù)等等)來實現(xiàn)。有形地體現(xiàn)指令的機器可讀介質可被用來實現(xiàn)本文所述的方法體系。例如,軟件代碼可被存儲在存儲器中并由處理器單元來執(zhí)行。存儲器可以在處理器單元內或在處理器單元外部實現(xiàn)。如本文所用的,術語“存儲器”是指長期、短期、易失性、非易失性類型存儲器、或其他存儲器,而并不限于特定類型的存儲器或存儲器數(shù)量、或記憶存儲在其上的介質的類型。

如果以固件和/或軟件實現(xiàn),則功能可作為一條或多條指令或代碼存儲在計算機可讀介質上。示例包括編碼有數(shù)據(jù)結構的計算機可讀介質和編碼有計算機程序的計算機可讀介質。計算機可讀介質包括物理計算機存儲介質。存儲介質可以是能被計算機存取的可用介質。作為示例而非限定,此類計算機可讀介質可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盤存儲、磁盤存儲或其他磁存儲設備、或能被用來存儲指令或數(shù)據(jù)結構形式的期望程序代碼且能被計算機訪問的其他介質;如本文中所使用的盤(disk)和碟(disc)包括壓縮碟(CD)、激光碟、光碟、數(shù)字多用碟(DVD)、軟盤和藍光碟,其中盤往往磁性地再現(xiàn)數(shù)據(jù),而碟用激光光學地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上述的組合應當也被包括在計算機可讀介質的范圍內。

除了存儲在計算機可讀介質上,指令和/或數(shù)據(jù)還可作為包括在通信裝置中的傳輸介質上的信號來提供。例如,通信裝置可包括具有指示指令和數(shù)據(jù)的信號的收發(fā)機。這些指令和數(shù)據(jù)被配置成使一個或多個處理器實現(xiàn)權利要求中敘述的功能。

盡管已詳細描述了本公開及其優(yōu)勢,但是應當理解,可在本文中作出各種改變、替代和變更而不會脫離如由所附權利要求所定義的本公開的技術。例如,諸如“上方”和“下方”之類的關系術語是關于基板或電子器件使用的。當然,如果該基板或電子器件被顛倒,則上方變成下方,反之亦然。此外,如果是側面取向的,則上方和下方可指代基板或電子器件的側面。而且,本申請的范圍并非旨在被限定于說明書中所描述的過程、機器、制造、物質組成、裝置、方法和步驟的特定配置。如本領域的普通技術人員將容易從本公開領會到的,根據(jù)本公開,可以利用現(xiàn)存或今后開發(fā)的與本文所描述的相應配置執(zhí)行基本相同的功能或實現(xiàn)基本相同結果的過程、機器、制造、物質組成、裝置、方法或步驟。因此,所附權利要求旨在將這樣的過程、機器、制造、物質組成、裝置、方法或步驟包括在其范圍內。

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