1.一種在諸中部制程(MOL)層內(nèi)的器件電容器結(jié)構(gòu)，包括：
第一MOL層，其包括在半導(dǎo)體基板的有源表面上的多個虛設(shè)柵極觸點之間的有源觸點；以及
第二MOL層，其包括直接位于所述有源觸點中暴露的各個有源觸點上的多個堆疊式觸點、以及在一些所述有源觸點上的蝕刻停止層部分上的多個飛越觸點，所述飛越觸點和所述堆疊式觸點提供多個器件電容器的端子。
2.如權(quán)利要求1所述的器件電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個器件電容器結(jié)合多個解耦電容器和多個金屬氧化物金屬(MOM)電容器提供附加的電容。
3.如權(quán)利要求1所述的器件電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述飛越觸點和一些所述有源觸點提供多個金屬氧化物金屬(MOM)電容器的端子。
4.如權(quán)利要求1所述的器件電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一MOL層包括在所述多個虛設(shè)柵極觸點和所述有源觸點之間的電介質(zhì)材料，所述電介質(zhì)材料包括氮化硅和/或碳氮化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的器件電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件電容器結(jié)構(gòu)被納入到：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計算機中的至少一者中。
6.一種制造在諸中部制程(MOL)層內(nèi)的器件電容器結(jié)構(gòu)的方法，包括：
制造第一MOL互連層，所述第一MOL互連層包括在半導(dǎo)體基板的有源表面上的多個虛設(shè)柵極觸點之間的有源觸點；
在所述第一MOL互連層上沉積蝕刻停止層；以及
制造第二MOL互連層，所述第二MOL互連層包括直接位于所述有源觸點中暴露的各個有源觸點上的多個堆疊式觸點、以及在一些所述有源觸點上的蝕刻停止層部分上的多個飛越觸點，所述飛越觸點和所述堆疊式觸點提供多個器件電容器的端子。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，制造所述第二MOL層包括：
在所述第一MOL層上蝕刻所述蝕刻停止層的預(yù)定部分以暴露所述有源觸點中預(yù)定的各個有源觸點；
使用堆疊式觸點掩模來圖案化鄰近所述有源觸點中暴露的各個預(yù)定的有源觸點的所述蝕刻停止層；以及
在經(jīng)圖案化的蝕刻停止層上沉積導(dǎo)電物質(zhì)以在所述有源觸點中暴露的各個預(yù)定的有源觸點上直接制造所述多個堆疊式觸點。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進一步包括：
在所述多個堆疊式觸點和所述蝕刻停止層上沉積絕緣材料；
使用飛越掩模來圖案化所述絕緣材料以暴露一些所述有源觸點上的蝕刻停止層部分；
在暴露的蝕刻停止層部分上以及在所述絕緣材料內(nèi)印刷導(dǎo)電材料以在一些所述有源觸點上的所述蝕刻停止層部分上形成所述多個飛越觸點。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，進一步包括：
在所述多個堆疊式觸點和所述多個飛越觸點之間，在所述第二MOL互連層內(nèi)沉積氧化物材料。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，用于橫向連通性的飛越掩模被用來形成所述飛越觸點。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，進一步包括，將所述器件電容器結(jié)構(gòu)納入到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計算機中的至少一者中。
12.一種在諸中部制程(MOL)層內(nèi)的器件電容器結(jié)構(gòu)，包括：
第一MOL層，其包括在半導(dǎo)體基板的有源表面上的多個虛設(shè)柵極觸點之間的有源觸點；以及
第二MOL層，其包括直接位于所述有源觸點中暴露的各個有源觸點上的多個堆疊式觸點、以及在一些所述有源觸點上的用于蝕刻停止的裝置部分上的多個飛越觸點，所述飛越觸點和所述堆疊式觸點提供多個器件電容器的端子。
13.如權(quán)利要求12所述的器件電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個器件電容器結(jié)合多個解耦電容器和多個金屬氧化物金屬(MOM)電容器提供附加的電容。
14.如權(quán)利要求12所述的器件電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述飛越觸點和一些所述有源觸點提供多個金屬氧化物金屬(MOM)電容器的端子。
15.如權(quán)利要求12所述的器件電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一MOL層包括在所述多個虛設(shè)柵極觸點和所述有源觸點之間的電介質(zhì)材料。
16.如權(quán)利要求12所述的器件電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件電容器結(jié)構(gòu)被納入到：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計算機中的至少一者中。
17.一種制造在諸中部制程(MOL)層內(nèi)的器件電容器結(jié)構(gòu)的方法，包括：
制造第一MOL層的步驟，所述第一MOL層包括在半導(dǎo)體基板的有源表面上的多個虛設(shè)柵極觸點之間的有源觸點；
在所述第一MOL層上沉積蝕刻停止層的步驟；以及
制造第二MOL層的步驟，所述第二MOL層包括直接位于所述有源觸點中暴露的各個有源觸點上的多個堆疊式觸點、以及在一些所述有源觸點上的蝕刻停止層部分上的多個飛越觸點，所述飛越觸點和所述堆疊式觸點提供多個器件電容器的端子。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，制造所述第二MOL層包括：
在所述第一MOL層上蝕刻所述蝕刻停止層的預(yù)定部分以暴露所述有源觸點中預(yù)定的各個有源觸點的步驟；
使用堆疊式觸點掩模來圖案化鄰近于所述有源觸點中暴露的各個預(yù)定的有源觸點的所述蝕刻停止層的步驟；以及
在經(jīng)圖案化的蝕刻停止層上沉積導(dǎo)電物質(zhì)以在所述有源觸點中暴露的各個預(yù)定的有源觸點上直接制造所述多個堆疊式觸點的步驟。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，進一步包括：
在所述多個堆疊式觸點和所述蝕刻停止層上沉積絕緣材料的步驟；
使用飛越掩模來圖案化所述絕緣材料以暴露一些所述有源觸點上的所述蝕刻停止層部分的步驟；
在所述蝕刻停止層的暴露部分上以及在所述絕緣材料內(nèi)印刷導(dǎo)電材料以在一些所述有源觸點上的所述蝕刻停止層部分上形成所述多個飛越觸點的步驟。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，進一步包括：
在所述多個堆疊式觸點和所述多個飛越觸點之間，在所述第二MOL互連層內(nèi)沉積氧化物材料的步驟。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，用于正交連通性的飛越掩模被用來形成所述飛越觸點。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，進一步包括以下步驟：將所述器件電容器結(jié)構(gòu)納入到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計算機中的至少一者中。