提出一種光電子半導(dǎo)體組件。此外，提出一種用于制造這種光電子半導(dǎo)體組件的方法。

背景技術(shù)：

在參考文獻(xiàn)us2014/0293554a1中提出一種具有電絕緣陶瓷覆層的金屬載體。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

待實(shí)現(xiàn)的目的在于：提出一種光電子半導(dǎo)體組件，所述光電子半導(dǎo)體組件朝外部的載體具有小的熱阻。

此外，該目的通過具有獨(dú)立權(quán)利要求的特征的光電子半導(dǎo)體組件和方法實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選的改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，光電子半導(dǎo)體組件包括載體。載體具有載體上側(cè)和與該載體上側(cè)相對置的載體下側(cè)。載體上側(cè)和載體下側(cè)優(yōu)選是載體的主側(cè)。載體上側(cè)和/或載體下側(cè)能夠平面地且平坦地構(gòu)成?？尚械氖牵狠d體由多個載體部件組成。替選于此，載體能夠一件式地構(gòu)成。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體組件包括一個或多個發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片。發(fā)射光能夠表示：半導(dǎo)體芯片射出具有至少300nm或400nm或430nm和/或最高950nm或680nm或550nm或495nm的最大強(qiáng)度的波長的輻射。尤其地，發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片是發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光二極管。

可選地可行的是：半導(dǎo)體組件具有附加的半導(dǎo)體芯片，所述附加的半導(dǎo)體芯片不設(shè)置用于產(chǎn)生輻射。這種半導(dǎo)體芯片例如是抗靜電放電損害的保護(hù)二極管或者也是尋址芯片或控制芯片。下面，僅詳細(xì)考慮發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片并且術(shù)語半導(dǎo)體芯片在下面相應(yīng)地表示發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體芯片施加在載體上側(cè)上。例如焊接或尤其導(dǎo)電地粘貼半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體組件具有在載體下側(cè)上的兩個或多于兩個的電接觸面。電接觸面不直接彼此電連接。例如接觸面中的一個構(gòu)建為陽極接觸部并且接觸面中的另一個構(gòu)建為陰極接觸部。半導(dǎo)體組件經(jīng)由電接觸面能從外部進(jìn)行電接觸，例如能以電學(xué)的方式并且優(yōu)選也同時以機(jī)械的方式安置在電路板上。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，全部電接觸面處于載體下側(cè)上。這能夠表示：光電子半導(dǎo)體組件是可表面安裝的，所述光電子半導(dǎo)體組件因此是smt組件。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，載體具有金屬芯。金屬芯優(yōu)選是均勻的、實(shí)心的、單片的材料。金屬芯能夠由純金屬或者，優(yōu)選由金屬合金形成。金屬芯是導(dǎo)電的。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，金屬芯共計占載體總厚度的至少40％或60％或80％或90％。尤其沿垂直于載體上側(cè)方向來確定載體的總厚度。替選地或附加地，載體的金屬芯對載體的機(jī)械強(qiáng)度的貢獻(xiàn)度達(dá)至少50％或70％或85％或95％。換言之，于是，金屬芯是穩(wěn)定載體或基本上穩(wěn)定載體的部件。于是，載體的載體特性歸因于金屬芯。在這種情況下，載體的其他部件具有其他主功能，而與載體的承載能力的增長無關(guān)。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，金屬芯局部地或整面地用陶瓷層覆層。陶瓷層優(yōu)選與金屬芯處于緊鄰的、直接接觸中。陶瓷層是電絕緣的、良好導(dǎo)熱的層。尤其地，陶瓷層構(gòu)建用于電絕緣，也就是說，在光電子半導(dǎo)體器的正常使用中，陶瓷層起電絕緣層作用。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，陶瓷層具有至少2μm或5μm或8μm的厚度。替選地或附加地，陶瓷層的厚度為最高100μm或50μm或20μm或15μm?？尚械氖牵禾沾蓪佑纱罅刻沾深w粒、例如aln顆粒組成。陶瓷顆粒的平均直徑優(yōu)選為至少10nm或50nm和/或最高500nm或250nm或120nm。這種陶瓷層例如從參考文獻(xiàn)us2014/0293554a1中已知，其關(guān)于陶瓷層的公開內(nèi)容通過參引并入本文。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，局部地將金屬層施加到陶瓷層上。金屬層優(yōu)選與陶瓷層處于緊鄰的、物理接觸。金屬層尤其優(yōu)選僅不完全地覆蓋陶瓷層。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體芯片與電接觸面經(jīng)由金屬層電連接。也就是說，從接觸面朝半導(dǎo)體芯片的電流至少部分地經(jīng)由金屬層引導(dǎo)。在此，能夠存在附加的電連接部、例如經(jīng)由鍵合線得到的附加的電連接部。

在至少一個實(shí)施方式中，光電子半導(dǎo)體組件包括載體，所述載體具有載體上側(cè)和與載體上側(cè)相對置的載體下側(cè)。多個發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片安置在載體上側(cè)上。用于外部電接觸半導(dǎo)體組件的至少兩個電接觸面位于載體下側(cè)上。載體具有金屬芯，其中金屬芯共計占載體厚度的至少60％并且對載體的機(jī)械強(qiáng)度的貢獻(xiàn)達(dá)至少70％。金屬芯至少部分地直接借助陶瓷層覆層，其厚度為最高100μm。陶瓷層局部地直接借助金屬層覆層。半導(dǎo)體芯片經(jīng)由金屬層與接觸面電連接。

通過陶瓷層能實(shí)現(xiàn)金屬芯的電絕緣，其中金屬芯保持可導(dǎo)熱地進(jìn)行接觸。由此，能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體組件的成本適宜的構(gòu)型、尤其類似qfn的構(gòu)型。此外，半導(dǎo)體芯片能在空間上緊密地設(shè)置在載體上側(cè)上并且能串聯(lián)連接。這種半導(dǎo)體組件例如能夠在汽車領(lǐng)域中應(yīng)用為探照燈、尤其應(yīng)用為前照燈。

在這種半導(dǎo)體組件中，借助載體，在半導(dǎo)體芯片和外部的安裝面之間存在高的導(dǎo)熱性和有效的熱擴(kuò)散。這尤其僅通過呈陶瓷層形式的薄的絕緣層且通過例如由良好導(dǎo)熱的材料、如鋁或銅構(gòu)成的實(shí)心的金屬芯實(shí)現(xiàn)。同時，通過電絕緣的陶瓷層能實(shí)現(xiàn)與載體下側(cè)和與電接觸面的電位分離。以該方式能實(shí)現(xiàn)在安裝平臺、例如金屬芯電路板或印制電路板、簡稱pcb上的簡單的設(shè)計和電路圖。在載體上的各個半導(dǎo)體芯片之間的間距由此在將半導(dǎo)體組件安裝在外部的安裝平臺上時不再具有顯著意義。由于尤其將鋁或銅用作為金屬芯的材料，將半導(dǎo)體組件的熱膨脹系數(shù)良好地匹配于金屬芯電路板或印制電路板也是可行的。此外，在分隔過程中優(yōu)選僅在鋸割區(qū)域中存在相對少量金屬，由此能實(shí)現(xiàn)在制造半導(dǎo)體組件期間在分隔時高的鋸割速度。此外，能夠成本有效地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體組件的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，載體由剛好三個或剛好兩個或剛好四個或多于四個載體部件形成。在此，全部的載體部件優(yōu)選處于共同的平面中。此外，載體部件優(yōu)選彼此隔開地設(shè)置，也就是說，載體部件于是不接觸。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體芯片、尤其全部半導(dǎo)體芯片設(shè)置在載體部件中的最大的載體部件上。最大的載體部件在此尤其是載體部件中的中部的載體部件。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，接觸面安置在載體部件中的兩個較小的載體部件上。所述較小的載體部件優(yōu)選是位于外部的載體部件，其中接觸面處于所述較小的載體部件上。尤其地，具有半導(dǎo)體芯片的最大的載體部件處于兩個外部的載體部件之間。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，全部載體部件的載體上側(cè)和/或載體下側(cè)位于共同的平面中。在此，載體上側(cè)和載體下側(cè)優(yōu)選全部平面地且平坦地成形。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，每個載體部件的陶瓷層是圍繞所屬的金屬芯的唯一的、連貫的且閉合的層。這要么在垂直于載體上側(cè)觀察的每個橫截面中是適用的，要么至少在垂直于載體上側(cè)的沿著載體的縱軸線的一個橫截面中是適用的。例如，在俯視圖中觀察，縱軸線是載體的最長的對稱線。在載體上側(cè)的俯視圖中觀察，縱軸線能夠是載體的最長的中線。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，全部載體部件的金屬芯由相同半成品、尤其板半成品成形。成形為金屬芯例如經(jīng)由沖壓、蝕刻、鋸割和/或激光切割來進(jìn)行。因?yàn)榻饘傩居上嗤宀某尚?，全部金屬芯?yōu)選具有相同材料組分和厚度。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，如下載體部件不具有電接觸面，在所述載體部件上安裝半導(dǎo)體芯片。換言之，上面存在半導(dǎo)體芯片的該載體部件不設(shè)置用于朝外電接觸半導(dǎo)體組件。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，載體部件的載體上側(cè)分別與所屬的載體下側(cè)相比具有更大的面積或反之亦然。在此，載體下側(cè)優(yōu)選是縮小的載體上側(cè)。換言之，于是經(jīng)由縮放因子能使載體上側(cè)和載體下側(cè)重合地上下疊加。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，在載體上側(cè)上的相鄰的載體部件與在所屬的載體下側(cè)上相比分別具有更大的間距。這例如通過以下方式實(shí)現(xiàn)：在載體上側(cè)上的相應(yīng)的、相鄰的載體部件之間的間隙與在載體下側(cè)上相比具有更小的寬度。這例如能通過從兩個彼此相對置的側(cè)起蝕刻半成品來實(shí)現(xiàn)，載體部件由所述半成品形成。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，載體部件經(jīng)由一個或多個灌封體彼此機(jī)械固定地連接。這意味著，在半導(dǎo)體組件的正常使用中，載體部件不從灌封體松開并且反之亦然。因此，通過灌封體建立機(jī)械完整性。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，至少一個灌封體連同載體部件是半導(dǎo)體組件的機(jī)械承載的部件。于是，半導(dǎo)體組件的其他部件不有助于或僅次要地有助于機(jī)械穩(wěn)定性。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，全部載體下側(cè)與灌封體齊平。由此，能產(chǎn)生平面的安裝面。安裝面包括載體下側(cè)和灌封體的下側(cè)。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體組件具有不透光的第一灌封體。第一灌封體優(yōu)選與載體上側(cè)和載體下側(cè)齊平。此外，灌封體能夠與載體的端面齊平，其中端面將載體下側(cè)和載體上側(cè)彼此連接。這種齊平優(yōu)選存在最高25μm或10μm或5μm或0.5μm的公差。于是換言之，第一灌封體限制在沿垂直于載體上側(cè)的方向上的區(qū)域上，載體部件也處于所述區(qū)域中。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體組件具有第二灌封體。第二灌封體對于在半導(dǎo)體組件運(yùn)行中產(chǎn)生的輻射透光地或反射地形成。第二灌封體能夠與載體的端面和/或載體上側(cè)和/或半導(dǎo)體芯片的側(cè)面齊平。在俯視圖中觀察，在載體上側(cè)所處的平面中，第二灌封體能夠與第一灌封體處于直接接觸，尤其在載體部件之間的區(qū)域中處于直接接觸。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體組件具有至少三個或至少五個發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片、優(yōu)選全部發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片串聯(lián)電連接。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，將在載體部件的載體上側(cè)上的金屬層結(jié)構(gòu)化成電的印制導(dǎo)線和/或電的連接面，在所述載體部件上安置半導(dǎo)體芯片。于是例如，在每個電的連接面上施加半導(dǎo)體芯片中的剛好一個半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，電連接面與所屬的載體部件的載體下側(cè)電絕緣。所述電絕緣一方面能通過結(jié)構(gòu)化成連接面實(shí)現(xiàn)并且另一方面通過電絕緣的陶瓷層實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體芯片分別在兩個彼此相對置的主側(cè)上電接觸。例如，主側(cè)中的一個主側(cè)形成為面狀的電接觸部，并且另一主側(cè)包括例如用于鍵合線的連接區(qū)域。替選地可行的是：半導(dǎo)體芯片是倒裝芯片。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片能夠安置在兩個不同的電連接面上并且與所述電連接面電連接。此外，可行的是：在倒裝芯片的情況下，半導(dǎo)體芯片不與任何連接面處于電連接。那么可行的是：所述連接面替選地或者僅用作為機(jī)械的固定面并且例如僅經(jīng)由鍵合線進(jìn)行電接觸。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，半導(dǎo)體組件具有一個或多個發(fā)光材料小板。發(fā)光材料小板能夠單獨(dú)地制造。這能夠意味著，發(fā)光材料小板關(guān)于其形狀與半導(dǎo)體組件的其他組成部分分開地制造。尤其地，發(fā)光材料小板是機(jī)械自承的并且在機(jī)械自承的狀態(tài)下構(gòu)建在半導(dǎo)體組件中。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，將發(fā)光材料小板中的剛好一個發(fā)光材料小板配屬給半導(dǎo)體芯片中的剛好一個半導(dǎo)體芯片。于是換言之，在半導(dǎo)體芯片和發(fā)光材料小板之間存在一一對應(yīng)的關(guān)聯(lián)關(guān)系。替選地，能夠?qū)⒁粋€發(fā)光材料小板配屬給多個半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，在俯視圖中觀察，發(fā)光材料小板分別重合地位于半導(dǎo)體芯片中的一個半導(dǎo)體芯片上方。相鄰的發(fā)光材料小板優(yōu)選不接觸。發(fā)光材料小板分別構(gòu)建用于部分地或完全地將所屬的半導(dǎo)體芯片的光轉(zhuǎn)換成更長波的光。尤其地，經(jīng)由發(fā)光材料小板產(chǎn)生綠光、黃光和/或紅光。直接出自半導(dǎo)體芯片的光和發(fā)光材料的更長波的光能夠混合成混合色的光、尤其混合成白色光。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，發(fā)光材料小板在遠(yuǎn)離載體的方向上與灌封體齊平。于是，半導(dǎo)體組件的上側(cè)通過發(fā)光材料小板連同灌封體形成。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，發(fā)光材料小板具有至少10μm或25μm和/或最高500μm或250μm或75μm的厚度。此外，發(fā)光材料小板優(yōu)選靠近所屬的半導(dǎo)體芯片。在所屬的半導(dǎo)體芯片和發(fā)光材料小板之間的平均間距于是優(yōu)選為最高25μm或10μm或5μm。例如，發(fā)光材料小板經(jīng)由硅樹脂粘貼在所屬的半導(dǎo)體芯片上。發(fā)光材料小板能夠具有發(fā)光材料顆粒和基體材料，發(fā)光材料顆粒嵌入到基體材料中。替選地，可行的是：發(fā)光材料小板例如由發(fā)光材料陶瓷形成。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，陶瓷層限制于如下載體部件的載體上側(cè)，在所述載體部件上安置半導(dǎo)體芯片。換言之，于是通過陶瓷層在半導(dǎo)體芯片和相關(guān)的載體部件的金屬芯之間僅存在一個電絕緣部。另一載體部件因此能夠不具有陶瓷層，在所述載體部件上不存在半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，載體部件中的一個或全部載體部件的金屬芯環(huán)繞地且完全設(shè)有陶瓷層。于是換言之，在任何部位處都不露出金屬芯。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，金屬芯由鋁、銅、銅合金或鋁合金形成。陶瓷層優(yōu)選由陶瓷形成，所述陶瓷具有金屬芯的主要組成部分，例如鋁或銅。如果金屬芯是鋁芯，那么陶瓷例如包括氮化鋁和/或氧化鋁或由其構(gòu)成。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，在金屬層的一個或多個子層中，金屬層包括下述材料中的一種或多種或者由下述材料中的一種或多種構(gòu)成：al、ag、au、cu、ni、pd、pt。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，在橫截面中觀察，在遠(yuǎn)離載體上側(cè)的方向上，載體部件分別首先具有恒定的寬度并且直接在此之后載體部件直至載體下側(cè)變細(xì)。恒定寬度的區(qū)域例如涉及載體總厚度的最小10％或20％和/或最高60％或40％。

此外，提出一種用于制造這種光電子半導(dǎo)體組件的方法。因此，方法的特征也針對光電子半導(dǎo)體組件公開并且反之亦然。

在至少一個實(shí)施方式中，方法至少包括或僅包括下列步驟，其中所述步驟優(yōu)選以給出的順序進(jìn)行：

-提供金屬半成品并且通過蝕刻、沖壓、鋸割、切割和/或激光處理將半成品成形為載體復(fù)合結(jié)構(gòu)，使得成形金屬芯，

-在載體復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬芯上產(chǎn)生陶瓷層，

-在陶瓷層上產(chǎn)生并且結(jié)構(gòu)化金屬層，使得也形成電接觸面，

-施加并且電接觸半導(dǎo)體芯片，

-產(chǎn)生至少一個灌封體，并且

-將載體復(fù)合結(jié)構(gòu)分隔成載體和光電子半導(dǎo)體組件。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，載體復(fù)合結(jié)構(gòu)具有載體和其載體部件以及連接接片，所述連接接片將載體和載體部件彼此機(jī)械連接。在分隔載體復(fù)合結(jié)構(gòu)時，部分或完全地移除和/或分割該連接接片。通過連接接片，載體復(fù)合結(jié)構(gòu)至少在產(chǎn)生灌封體之前是機(jī)械穩(wěn)定的并且能作為唯一的組件操作。替選于連接接片，可行的是：載體和載體部件例如借助粘接安置在臨時的載體薄膜上。

根據(jù)至少一個實(shí)施方式，除在尤其通過分割連接接片分隔成半導(dǎo)體組件時形成的表面之外，載體部件整面地設(shè)有陶瓷層。

附圖說明

接下來參考附圖根據(jù)實(shí)施例詳細(xì)闡述在此所描述的光電子半導(dǎo)體組件。相同的附圖標(biāo)記在此說明各個附圖中的相同的元件。然而在此不按比例關(guān)系示出，更確切地說，為了更好的理解能夠夸張大地示出各個元件。

附圖示出：

圖1至圖5示出在此描述的光電子半導(dǎo)體組件的實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

在圖1b中以俯視圖并且在圖1a中以沿著縱軸線l的剖視圖示出光電子半導(dǎo)體組件1的一個實(shí)施例。在此，在俯視圖中觀察，縱軸線l是半導(dǎo)體組件1和/或載體2的最長的中軸線。

半導(dǎo)體組件1具有載體2。載體2通過三個彼此間隔開的載體部件21a、21b、21c形成。每個載體部件21a、21b、21c包括金屬芯25。將各一個陶瓷層26施加在金屬芯25上。在橫截面中觀察，參見圖1a，陶瓷層26是圍繞所屬的金屬層25的連續(xù)的、連貫的且閉合的層。將各一個金屬層27施加到陶瓷層26上。金屬層27例如借助蒸鍍或電鍍產(chǎn)生。

載體2具有載體下側(cè)24和與載體下側(cè)相對置的載體上側(cè)23。在載體上側(cè)23上施加多個發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片3、尤其發(fā)光二級管芯片。在載體上側(cè)23上，將金屬層27結(jié)構(gòu)化成多個電連接面7。將各一個半導(dǎo)體芯片3施加在連接面7中的剛好一個連接面上并且以電以及機(jī)械的方式與所述連接面7連接。經(jīng)由將金屬層27結(jié)構(gòu)化成連接面7，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片3的串聯(lián)。在此，半導(dǎo)體芯片3不與最大的載體部件21b的下側(cè)24處于直接電接觸中，所述最大的載體部件沿著縱軸線l觀察居中地處于較小的載體部件21a、21c之間。因此，中部的載體部件21b的下側(cè)是無電位的。

通過兩個位于外部的載體部件21a、21c進(jìn)行半導(dǎo)體組件1的電接觸。在所述載體部件的下側(cè)上存在電接觸面4，半導(dǎo)體組件1借助所述電接觸面能外部電接觸。在此，在附圖中相應(yīng)地未示出外部的安裝載體。載體部件21a、21c與中部的載體部件21b的電連接經(jīng)由鍵合線8建立。

可選地，如也在全部其他實(shí)施例中，在載體部件中的一個上安置esd保護(hù)二極管9。esd保護(hù)二極管9在半導(dǎo)體芯片3中并聯(lián)地電連接。

在圖1b中的俯視圖中表明具有多個載體2的載體復(fù)合結(jié)構(gòu)20。圍繞載體2的點(diǎn)劃線尤其表示分離線s，在所述分離線處能夠?qū)⑤d體復(fù)合結(jié)構(gòu)20分隔成各個載體2。相鄰的載體2經(jīng)由連接接片彼此連接，所述連接接片僅不完整地繪制。沿著分離線s僅存在連接接片，使得在分割成各個載體2時例如借助鋸割，僅少量硬的、尤其金屬的和/或陶瓷的材料被穿透。也參見圖2和圖3，分隔成載體2以及半導(dǎo)體組件1優(yōu)選在產(chǎn)生在圖1中未示出的灌封體之后才進(jìn)行。

在載體下側(cè)24上與在載體上側(cè)23上相比，在相鄰的載體部件21a、21b、21c之間的間距更小。這例如能通過不同的蝕刻工藝從載體上側(cè)23和載體下側(cè)24起實(shí)現(xiàn)。通過在載體下側(cè)24上的載體部件21a、21b、21c之間的較大的間距能實(shí)現(xiàn)在外部的安裝載體上的較大的定位公差。

尤其，為了制造半導(dǎo)體組件1，首先提供由金屬芯25的材料構(gòu)成的半成品。緊接著，例如借助于從下側(cè)24和上側(cè)23起進(jìn)行蝕刻將該半成品結(jié)構(gòu)化成載體復(fù)合結(jié)構(gòu)20。為此，尤其分別從載體復(fù)合結(jié)構(gòu)20的主側(cè)起需要尤其兩個光刻平面。

緊接著，施加陶瓷層26并且施加金屬層27。接下來，尤其經(jīng)由第三光刻平面，將金屬層27結(jié)構(gòu)化成連接面7。隨后，施加半導(dǎo)體芯片3和可選的esd保護(hù)二極管9以及經(jīng)由鍵合線8進(jìn)行電互聯(lián)。

在施加和/或互聯(lián)半導(dǎo)體芯片3之后，仍能夠在載體復(fù)合結(jié)構(gòu)20中進(jìn)行組件的電學(xué)測試和/或光學(xué)測試。在可選的測試之后，產(chǎn)生在圖1中未示出的灌封體，載體部件21a、21b、21c經(jīng)由所述灌封體彼此固定地機(jī)械連接。

在產(chǎn)生在圖1中未示出的灌封體之后，例如借助鋸割沿著分離線s進(jìn)行分隔。因此，鋸割基本上僅穿過灌封體進(jìn)行。

在如在圖2的剖面圖中示出的實(shí)施例中，單獨(dú)的發(fā)光材料小板6分別設(shè)置在半導(dǎo)體芯片3下游。經(jīng)由由半導(dǎo)體芯片3產(chǎn)生的輻射連同發(fā)光材料小板6例如能產(chǎn)生白色的光。發(fā)光材料小板6能夠是全部結(jié)構(gòu)相同的或也能夠具有不同的發(fā)光材料或發(fā)光材料混合物。發(fā)光材料小板例如是添加有發(fā)光材料顆粒的硅樹脂小板或發(fā)光材料陶瓷小板。

在施加發(fā)光材料小板6之后，產(chǎn)生灌封體5，所述發(fā)光材料小板也能夠存在于全部其他的實(shí)施例中。灌封體5優(yōu)選對于產(chǎn)生的光是透光的或反射的。灌封體5例如由熱塑性塑料、環(huán)氧化物、硅樹脂或環(huán)氧化物-硅樹脂混合材料作為基礎(chǔ)材料制造。例如將用于吸收的顆?；?qū)?yōu)選用于反射的、例如由二氧化鈦構(gòu)成的顆粒添加給灌封體5的基礎(chǔ)材料。

在遠(yuǎn)離載體上側(cè)23的方向上，鍵合線8優(yōu)選不伸出發(fā)光材料小板6。在遠(yuǎn)離載體上側(cè)23的方向上，灌封體5以及發(fā)光材料小板6能夠彼此齊平。替選地，可行的是：在俯視圖中觀察，灌封體5覆蓋發(fā)光材料小板6。

灌封體5和外部的導(dǎo)體框部件21a、21c在載體2的端面22上同樣彼此齊平。替選地，灌封體5在側(cè)向方向上也能夠分別超出載體部件21a、21b、21c，使得在俯視圖中觀察，載體部件21a、21b、21c能夠環(huán)繞地完全由灌封體5的材料包圍。相應(yīng)的布置在全部其他實(shí)施例中也是可行的。

在如圖3中以剖面圖示出的實(shí)施例中，半導(dǎo)體組件1具有第一灌封體5a和第二灌封體5b。第一灌封體5a例如構(gòu)成為是輻射不可穿過的，例如所述第一灌封體由深色的或黑色的環(huán)氧化物材料或熱塑性塑料構(gòu)成。透光的或反射的第二灌封體5b能夠如結(jié)合圖2闡述的那樣構(gòu)成。

通過劃分成第一灌封體5a和第二灌封體5b能夠彼此單獨(dú)地優(yōu)化機(jī)械特性和光學(xué)特性。因此，例如第一灌封體5a為了將載體部件彼此機(jī)械連接而被優(yōu)化，所述第一灌封體在橫截面中觀察處于與載體2相同的區(qū)域中。

此外，根據(jù)圖3的實(shí)施例對應(yīng)于如在圖2中示出的實(shí)施例。

與圖2和3的視圖不同，如也在全部其他實(shí)施例中那樣，可行的是：載體2的端面22以及灌封體5、5a、5b的側(cè)面傾斜于安裝面10伸展、即以不等于90°的角伸展。同樣地，可行的是：在端面22中或在灌封體5、5a、5b的側(cè)面中形成階梯。例如在分割成半導(dǎo)體組件1時產(chǎn)生這種傾斜的或分階梯的側(cè)面，其中例如通過借助v形鋸片進(jìn)行鋸割或通過例如借助寬度不同的鋸片從兩個彼此相對置的側(cè)起進(jìn)行鋸割來產(chǎn)生。

在圖4a中以沿著縱軸線l的剖面圖并且在圖4b中以俯視圖圖解示出半導(dǎo)體組件1的另一實(shí)施例。為了簡化圖示，在圖4中未繪出灌封體4。

在圖4中，僅最大的、中部的載體部件21b在載體上側(cè)23上設(shè)有金屬芯25上的陶瓷層26。金屬層27也僅延伸到載體上側(cè)23和載體下側(cè)24上并且不延伸到載體部件21a、21b、21c的側(cè)面上。根據(jù)圖4的半導(dǎo)體組件能類似于圖1的半導(dǎo)體組件示出。與此不同地，優(yōu)選僅需要兩個光刻平面和一個蔭罩。

一方面，通過僅薄的陶瓷層26能實(shí)現(xiàn)電絕緣并且另一方面穿過載體2至外部的熱沉或外部的安裝載體的熱阻小。由此，也能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片3在載體上側(cè)23上的較高的面密度。

在下一實(shí)施例中，參見圖5a中的剖面圖和圖5b中的俯視圖，載體2一件式地構(gòu)成。經(jīng)由設(shè)有金屬層26的貫通孔28實(shí)現(xiàn)在載體上側(cè)23和載體下側(cè)24之間的電連接。尤其通過分離線區(qū)域s中刻痕或折斷來分隔成半導(dǎo)體組件。經(jīng)由第一光刻平面能產(chǎn)生貫通孔28。借助第二光刻平面能從金屬層27中結(jié)構(gòu)化連接面7。

與圖1至4的實(shí)施例不同，唯一的載體部件的下側(cè)不是無電位的，在所述載體部件上施加半導(dǎo)體芯片3。電接觸面4安置在所述下側(cè)24上。

在此所描述的發(fā)明不局限于根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述。更確切地說，本發(fā)明包括每個新的特征以及特征的每個組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的每個組合，即使該特征或者該組合本身未詳細(xì)地在權(quán)利要求中或者實(shí)施例中說明時也是如此。

本專利申請要求德國專利申請102014116529.2的優(yōu)先權(quán)，所述德國專利申請的公開內(nèi)容就此通過參考并入本文。

附圖標(biāo)記列表

1光電子半導(dǎo)體組件

10安裝面

2載體

20載體復(fù)合結(jié)構(gòu)

21載體部件

22載體的端面

23載體上側(cè)

24載體下側(cè)

25金屬芯

26陶瓷層

27金屬層

28貫通孔

3發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片

4電接觸面

5灌封體

6發(fā)光材料小板

7連接面

8鍵合線

9esd保護(hù)二極管

l載體的縱軸線

s分離線