技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
光電子半導(dǎo)體組件(1)包括具有載體上側(cè)(23)和載體下側(cè)(24)的載體(2)。多個(gè)發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片(3)安置在載體上側(cè)(23)上。至少兩個(gè)電接觸面(4)處于載體下側(cè)(24)上。載體(2)具有金屬芯(25)，其中金屬芯(25)共計(jì)占載體(2)厚度的至少60％并且對(duì)載體(2)的機(jī)械強(qiáng)度的貢獻(xiàn)達(dá)至少70％。金屬芯(25)至少部分地直接借助陶瓷層(26)覆層，所述陶瓷層的厚度為最高100μm。陶瓷層(26)局部地直接借助金屬層(27)覆層。半導(dǎo)體芯片(3)經(jīng)由金屬層(27)與接觸面(4)電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：托馬斯·施瓦茨;弗蘭克·辛格
受保護(hù)的技術(shù)使用者：歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.26
技術(shù)公布日：2017.08.18