本申請一般涉及晶體管結(jié)構(gòu)，尤其涉及FinFET器件。

背景技術(shù)：

基于經(jīng)縮放Si溝道的塊狀(bulk)FinFET器件中的源極-漏極(S/D)摻雜可通過將高度就地?fù)诫s式外延層嵌入到晶體管的凹陷S/D區(qū)域中來構(gòu)建。就地?fù)诫s式外延層根據(jù)它們的結(jié)構(gòu)和材料能夠高效地將應(yīng)變引入到Si溝道中以及將摻雜物引入到S/D結(jié)中。所引入的應(yīng)變和摻雜物的組合能夠提供提高的溝道遷移率、改進(jìn)的短溝道行為以及減小的寄生S/D電阻。

通過就地?fù)诫s式外延層引入應(yīng)變可能無法在基于SiGe溝道的FinFET中獲得此類遷移率益處。例如，SiGe溝道即使在沒有任何S/D外延的情況下也具有固有應(yīng)變。凹陷的源極-漏極可能導(dǎo)致在溝道區(qū)中的部分彈性SiGe應(yīng)變馳豫。然而，SiGe FinFET器件可能仍需要在整個(gè)SiGe溝道高度上具有足夠高且共形的結(jié)摻雜水平。

概述

以下概述涉及根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的某些示例。該概述并不是所有示例性實(shí)施例或構(gòu)想方面的限定性概覽。該概述既非旨在對所有方面進(jìn)行優(yōu)先級排序或甚至標(biāo)識其關(guān)鍵元素，亦非旨在限定任何實(shí)施例或任何實(shí)施例的任何方面的范圍。

所公開的方法能夠例如在塊狀硅(Si)中制造FinFET，并且示例操作可包括在塊狀Si的一部分中形成鰭堆疊，該鰭堆疊可包括鰭基和在該鰭基上的硅鍺(SiGe)制程中鰭，并且進(jìn)一步操作可包括就地硼摻雜該SiGe制程中鰭的區(qū)域。

在一方面，所公開的方法可在就地硼摻雜該SiGe制程中鰭的區(qū)域中包括沉積外延層的操作，其被配置成使得該外延層包括硼并且在該SiGe制程中鰭的外表面的至少一部分上形成該外延層、繼之以應(yīng)用推進(jìn)式退火。在進(jìn)一步方面，推進(jìn)式退火可被配置成使硼從該外延層擴(kuò)散到該SiGe制程中鰭的該區(qū)域中。

在一方面，所公開的方法可包括：形成該鰭堆疊的示例操作被配置成將該SiGe制程中鰭形成為輕度摻雜SiGe制程中鰭。

根據(jù)各種示例性實(shí)施例的示例裝備可包括塊狀硅，其具有由鰭堆疊分隔開的蝕刻溝槽，該鰭堆疊具有摻雜Si鰭基和在該摻雜Si鰭基上的輕度摻雜制程中SiGe鰭。在一方面，示例裝備可包括外延層，并且該外延層可在該輕度摻雜制程中SiGe鰭的外表面上。在一方面，該外延層可包括SiGeB。在進(jìn)一步方面，該輕度摻雜制程中SiGe鰭可包括源極區(qū)和漏極區(qū)，并且該外延層(例如SiGeB外延層)可在該漏極區(qū)的外表面和該源極區(qū)的外表面上或者可覆蓋它們。

根據(jù)其他示例性實(shí)施例的示例裝備可包括鰭堆疊，并且該鰭堆疊可包括摻雜Si鰭基和在該摻雜Si鰭基上的具有源極區(qū)和漏極區(qū)的SiGe鰭。在一方面，示例裝備可包括用于用硼來就地?fù)诫s該源極區(qū)并且用硼來就地?fù)诫s該漏極區(qū)的裝置。在一方面，用于用硼來就地?fù)诫s該源極區(qū)并且用硼來就地?fù)诫s該漏極區(qū)的裝置可被配置成接收退火熱量并作為響應(yīng)來使硼擴(kuò)散到該漏極區(qū)和該源極區(qū)中。

根據(jù)其他示例性實(shí)施例的示例裝置可包括具有Si鰭基和在該摻雜Si鰭基上的SiGe鰭的堆疊，并且該SiGe鰭可包括硼摻雜源極區(qū)和硼摻雜漏極區(qū)。在一方面，示例裝置可包括外延層，其可在該硼摻雜源極區(qū)的外表面或該硼摻雜漏極區(qū)的外表面的至少一部分、或這兩者上，并且該外延層可包括SiGeB。

附圖簡要說明

給出附圖以幫助描述本公開的實(shí)施例，并且提供這些附圖僅僅是為了解說實(shí)施例而非對其進(jìn)行限制。

圖1A示出了一個(gè)示例起始塊狀硅的頂部投影視圖。

圖1B示出了一個(gè)示例起始塊狀硅在圖1A切面2-2上的正向橫截面視圖。

圖2是反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中在圖1A-1B塊狀硅的表面上沉積示例介電層的正向橫截面視圖。

圖3是反映進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的用于在圖2制程中結(jié)構(gòu)的介電層下方形成位于摻雜接地面Si層上方的輕度摻雜Si層的摻雜操作的正向橫截面視圖。

圖4是反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中在圖3制程中結(jié)構(gòu)的介電層上沉積氮化物層以及在該氮化物層上沉積硬掩模層的正向橫截面視圖。

圖5是反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中在圖4制程中結(jié)構(gòu)的硬掩模層中圖案化供后續(xù)蝕刻制程中鰭堆疊的圖案化硬掩模的正向橫截面視圖。

圖6是反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中使用圖5中所示地形成的圖案化硬掩模來蝕刻制程中鰭堆疊的正向橫截面視圖。

圖7示出了反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中對圖6制程中結(jié)構(gòu)進(jìn)行硅隔離填充和平坦化的立體視圖。

圖8是圖7所示的制程中結(jié)構(gòu)在圖7切面3-3上的橫截面視圖。

圖9是反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中蝕刻圖8制程中結(jié)構(gòu)的硅隔離材料從而在制程中鰭堆疊上留下暴露氮化物層部分的橫截面視圖。

圖10是反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中移除圖9制程中鰭堆疊的暴露氮化物層部分的橫截面視圖。

圖11示出了反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中蝕刻圖10制程中結(jié)構(gòu)的氧化物填充的橫截面視圖。

圖12示出了反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中將圖11制程中鰭堆疊上部的輕度摻雜制程中Si鰭從Si轉(zhuǎn)變成SiGe以形成多個(gè)輕度摻雜SiGe制程中鰭的橫截面視圖。

圖13示出了反映在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中進(jìn)一步蝕刻進(jìn)入圍繞圖12輕度摻雜SiGe制程中鰭的氧化物填充的臨時(shí)頂面的橫截面視圖。

圖14示出了圖13制程中結(jié)構(gòu)的立體視圖。

圖15示出了反映在圖13和圖14輕度摻雜SiGe鰭的相應(yīng)柵極區(qū)域上形成虛柵極的立體視圖。

圖16是從圖15的投影面4-4所見的圖15制程中結(jié)構(gòu)的正向投影視圖，其帶有一個(gè)輕度摻雜SiGe制程中鰭的展開視圖，示出了氧化物層以及用于移除該氧化物層并暴露源極區(qū)和漏極區(qū)的外表面的清除。

圖17示出了從應(yīng)用柵極分隔件圖案化以及應(yīng)用SiGeB外延生長工藝以形成覆蓋源極區(qū)和漏極區(qū)的暴露外表面的SiGeB外延層中所得到的下一個(gè)制程中結(jié)構(gòu)的立體視圖。

圖18示出了在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例過程的操作中通過向圖17制程中結(jié)構(gòu)應(yīng)用推進(jìn)式(drive-in)退火以將B從SiGeB外延層推進(jìn)到源極區(qū)和漏極區(qū)中從而形成分別覆蓋有導(dǎo)電性SiGeB外延層的B注入SiGe源極區(qū)和漏極區(qū)來獲得的制程末端結(jié)構(gòu)的立體視圖。

圖19是圖18的部分剖視圖。

圖20是根據(jù)各種示例性實(shí)施例的一種或多種過程中的部分過程中的示例操作的高級邏輯流程圖。

圖21示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的具有受應(yīng)力鰭式NMOSFinFET器件的組合的通信和計(jì)算設(shè)備的一個(gè)示例系統(tǒng)的功能示意圖。

詳細(xì)描述

本公開的諸方面在以下針對本公開具體實(shí)施例的描述和有關(guān)附圖中被公開?？梢栽O(shè)計(jì)替換實(shí)施例而不會(huì)脫離本公開的范圍。另外，本公開中眾所周知的元素將不被詳細(xì)描述或?qū)⒈皇∪ヒ悦怃螞]本公開的相關(guān)細(xì)節(jié)。

措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實(shí)例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實(shí)施例不必被解釋為優(yōu)于或勝過其他實(shí)施例。類似地，術(shù)語“本公開的諸實(shí)施例”不要求本公開的所有實(shí)施例都包括所討論的特征、優(yōu)點(diǎn)或操作模式。

本文中所使用的術(shù)語僅出于描述解說各實(shí)施例的特定示例的目的，而并不旨在限定本公開的實(shí)施例。如本文所使用的，單數(shù)形式的“一”、“某”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確指示。還將理解，術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用時(shí)指明所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、和/或組件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、組件和/或其群組的存在或添加。

此外，許多實(shí)施例是根據(jù)將由例如計(jì)算設(shè)備的元件執(zhí)行或控制的動(dòng)作序列來描述的。將認(rèn)識到，本文描述的各種動(dòng)作能由專用電路(例如，專用集成電路(ASIC))、由正被一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行的程序指令、或由這兩者的組合來執(zhí)行。另外，本文中所描述的這些動(dòng)作序列可完全體現(xiàn)在任何形式的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)內(nèi)，該計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)內(nèi)存儲有一經(jīng)執(zhí)行就將使相關(guān)聯(lián)的處理器執(zhí)行本文所描述的功能性的相應(yīng)計(jì)算機(jī)指令集。因此，本公開的各種方面可以用數(shù)種不同形式來體現(xiàn)，所有這些形式都已被構(gòu)想為落在所要求保護(hù)的主題內(nèi)容的范圍內(nèi)。另外，對于本文描述的每個(gè)實(shí)施例，任何此類實(shí)施例的對應(yīng)形式可在本文中被描述為例如被配置成執(zhí)行所描述的動(dòng)作的“邏輯”。

根據(jù)各種示例性實(shí)施例的方法可提供通過可包括在塊狀硅的一部分中形成鰭堆疊以使得該鰭堆疊具有鰭基以及在該鰭基上的硅鍺(SiGe)制程中鰭的操作來在塊狀硅上制造FinFET。在一方面，根據(jù)各種示例性實(shí)施例的方法可進(jìn)一步包括對SiGe制程中鰭的區(qū)域進(jìn)行就地硼摻雜。在一方面，對SiGe制程中鰭的區(qū)域進(jìn)行就地硼摻雜可包括沉積外延層，該外延層包括硼。外延層可形成在SiGe制程中鰭的外表面上。在一方面，該外延層可包括SiGeB。在一方面，對SiGe制程中鰭的區(qū)域進(jìn)行就地硼摻雜可進(jìn)一步包括應(yīng)用推進(jìn)式退火，且推進(jìn)式退火可被配置成使硼從外延層擴(kuò)散到SiGe制程中鰭的該區(qū)域中。在進(jìn)一步方面，該鰭基可以是Si鰭基。

在一方面，根據(jù)各種示例性實(shí)施例的用于制造FinFET的方法可將SiGe制程中鰭形成為輕度摻雜SiGe制程中鰭。

在一方面，SiGe制程中鰭可具有源極區(qū)和漏極區(qū)。例如，源極區(qū)可以在SiGe制程中鰭的一端，而漏極區(qū)可以在該SiGe制程中鰭的相對的另一端。在一相關(guān)方面，就地硼摻雜可被配置成對源極區(qū)的至少一部分和漏極區(qū)的至少一部分進(jìn)行就地硼摻雜。根據(jù)此方面的示例可包括將外延層形成為例如源極區(qū)的外表面和漏極區(qū)的外表面上的SiGeB外延層。隨后可應(yīng)用諸如驅(qū)動(dòng)式退火等操作來使硼從外延層擴(kuò)散到源極區(qū)和漏極區(qū)中，從而得到硼摻雜源極區(qū)和硼摻雜漏極區(qū)。

在一方面，包含硼的外延層(諸如所描述的SiGeB外延層)可提供用于對源極區(qū)進(jìn)行就地硼摻雜以及對漏極區(qū)進(jìn)行就地硼摻雜的新穎裝置。此類裝置可被視為用于接收外部熱量(例如，推進(jìn)式退火熱量)并作為響應(yīng)來使硼擴(kuò)散到源極區(qū)和漏極區(qū)中的新穎裝置。

圖1A示出了起始塊狀硅10(下文稱為“塊狀Si”10)的一個(gè)示例的頂部投影視圖。將理解，在圖1A中作為塊狀Si 10可見的結(jié)構(gòu)可以是較大塊狀硅(在圖1A和1B中非顯式可見)的區(qū)域或區(qū)劃(例如，管芯的區(qū)域或晶片在被切塊成多個(gè)管芯之前的區(qū)域)。

圖1B示出了在圖1A切面2-2上觀看的塊狀Si 10的正向橫截面視圖。參照圖1B，塊狀Si 10具有頂面10T。將理解，“頂面10T”是任意標(biāo)記，且“頂”在“頂面10T”的上下文中不帶有與相對于任何外部參考的取向有關(guān)的含義或限定。底部參考線“BT”對塊狀Si 10中的任意深度位置進(jìn)行劃界。底部參考線BT可以(但不必然)表示塊狀Si 10的底面。

圖2是通過在圖1A-1B塊狀Si 10的頂面10T上沉積介電層22來形成的制程中結(jié)構(gòu)20的正向橫截面視圖。如普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解的，介電層22的操作方面可包括減輕可因后續(xù)沉積氮化硅(SiN)層(圖2中不可見)而導(dǎo)致的應(yīng)力。在一方面，介電層22的操作方面還可包括在后續(xù)按頂面10T以下的深度次序形成在摻雜接地面層(圖2中不可見)以上的輕度摻雜層(圖2中不可見)期間保護(hù)溝道材料。

介電層22可例如由SiOx形成，且具有厚度D1。關(guān)于D1范圍的選擇，各種考慮對于普通技術(shù)人員而言在閱讀本公開之后將變得顯而易見。例如，將變得顯而易見的是，如果D1選得過薄，則存在介電層22提供小于對來自后續(xù)沉積(圖2中不可見)氮化硅的應(yīng)力的期望減輕的可能性。在選擇D1范圍時(shí)將對于此類人員而言在閱讀本公開之后變得顯而易見的另一考慮是，如果D1太厚，則在頂面10T以下形成稍后描述的在摻雜接地面層(圖2中不可見)以上的輕度摻雜層(圖2中不可見)時(shí)可能會(huì)對注入操作產(chǎn)生不想要的阻擋。在選擇D1范圍時(shí)將對于此類人員而言在閱讀本公開之后變得顯而易見的另一考慮是，如果D1過厚，則可能有在稍后描述的鰭圖案化操作期間不想要的侵蝕的可能性。關(guān)于對于普通技術(shù)人員而言在閱讀本公開之后將變得顯而易見的這些和其他考慮，針對給定的應(yīng)用選擇D1范圍可以被容易地執(zhí)行，而無需過度實(shí)驗(yàn)。作為一個(gè)解說性示例，在某些應(yīng)用中可使用的一個(gè)構(gòu)想厚度D1范圍可包括大致是該氮化硅層(圖2中不可見)的厚度的10％的厚度。還將理解，所解說的該10％示例范圍只是一個(gè)示例，而不旨在限定任何實(shí)施例或其任何方面的范圍。

圖3是下一個(gè)制程中結(jié)構(gòu)30的正向橫截面視圖，其反映了形成輕度摻雜Si層32直到頂面10T下方的深度D2以及在該輕度摻雜層下方的具有厚度D3的摻雜接地面層34的摻雜操作。

出于本描述的目的，在“輕度摻雜Si層32”的上下文中，“輕度摻雜”可包括不會(huì)導(dǎo)致電性能相對于塊狀Si的實(shí)質(zhì)性改變的非零摻雜。普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解，“輕度摻雜”在此含義內(nèi)的數(shù)值可以因應(yīng)用而異。出于解說目的且不限定如在本描述中使用的“輕度摻雜”的范圍，一個(gè)示例范圍可包括約1E17at/cm³(原子/cm³)。

將理解，在“摻雜接地面層34”的上下文中，構(gòu)成“摻雜”的數(shù)值可以因應(yīng)用而異。但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后可以在“摻雜接地面層34”的上下文中容易地確定構(gòu)成“摻雜”的數(shù)值，而無需過度實(shí)驗(yàn)。例如，此類人員在閱讀本公開之后將領(lǐng)會(huì)，與“摻雜”相對應(yīng)的數(shù)值可在下端被值限定或約束，低于這些值就可能在接地面功能中存在不可接受的低效率。此類人員在閱讀本公開之后還將領(lǐng)會(huì)，與“摻雜”相對應(yīng)的數(shù)值可在上端被值限定或約束，高于這些值就可能在稍后形成的輕度摻雜SiGe有效鰭(圖3中不可見)中導(dǎo)致一種或多種不期望效應(yīng)(例如，過量溝道摻雜)。出于解說目的且不限定如與“摻雜接地面層34”關(guān)聯(lián)地使用的“摻雜”的范圍，“摻雜”的一個(gè)示例范圍可從小于約1E18at/cm³橫跨并可延伸至且超過5E18at/cm³。

關(guān)于用于形成摻雜接地面層34和輕度摻雜Si層32的技術(shù)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后可以容易地適配各種已知的常規(guī)摻雜技術(shù)而無需過度實(shí)驗(yàn)。例如，此類人員在閱讀本公開之后可將常規(guī)摻雜技術(shù)配置成形成摻雜接地面層34以及伴隨形成摻雜接地面層34而形成輕度摻雜層32，而不是分開的處理步驟。更具體地，在一個(gè)示例中，常規(guī)摻雜技術(shù)(在圖3中非具體可見)可被配置成在表面10T以下從D2到D2+D3的深度范圍上獲得期望峰值濃度。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后可將此類常規(guī)摻雜技術(shù)配置成提供逆摻雜分布(即，在表面10T以下從D2到D2+D3的深度范圍上具有期望峰值濃度并且在D2上具有輕度摻雜拖尾)。常規(guī)摻雜技術(shù)的此類配置可在一個(gè)注入步驟中提供摻雜接地面層34和輕度摻雜層32。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后還將理解，兩個(gè)或更多個(gè)常規(guī)技術(shù)注入步驟可被適配成為摻雜接地面層34和輕度摻雜Si層32獲得期望摻雜。

關(guān)于D3的數(shù)值范圍，在指定D3時(shí)的考慮對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在閱讀本公開之后將變得顯而易見，藉此在給定了應(yīng)用的情況下此類人員能夠指定D3的恰適范圍而無需過度實(shí)驗(yàn)。例如，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解，摻雜接地面層34的操作可包括防止在最終產(chǎn)品的SiGe有效鰭下創(chuàng)建寄生鰭下漏泄路徑或防止這種可能性。此類人員在閱讀本公開之后還將領(lǐng)會(huì)，摻雜接地面層34的操作可包括提供NFET和PFET區(qū)(在圖3中非顯式可見)的電隔離。出于解說目的且不限定任何實(shí)施例的范圍，D3的一個(gè)示例范圍出于抑制最終產(chǎn)品的SiGe有效鰭下的鰭下漏泄的目的可涵蓋和包括向下延伸到30nm的范圍。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還將理解，用于NFET和PFET隔離的阱摻雜可向下延伸到STI氧化物底部，這可包括但不限于100-150nm。

關(guān)于厚度D2的數(shù)值范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解，此類數(shù)值可至少部分地取決于最終產(chǎn)品的SiGe有效鰭(在圖3中非具體可見)的指定高度(在圖3中非顯式可見)，這將會(huì)在稍后段落中更詳細(xì)地描述。例如，在一方面，厚度D2可被選擇成接近于或略微深于最終產(chǎn)品的SiGe有效鰭的指定高度。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解，過小的D2的潛在結(jié)果可能是最終產(chǎn)品的SiGe有效鰭的一部分保持在截止?fàn)顟B(tài)(即，導(dǎo)通狀態(tài)電流潛在減小)。此類人員在閱讀本公開之后還將理解，過大的D2的潛在結(jié)果可能是摻雜接地面層34具有與最終產(chǎn)品的SiGe有效鰭的這種距離以致于不利地影響其防止鰭下漏泄的操作。出于解說目的且不限定諸實(shí)施例的范圍，D2的一個(gè)示例范圍可涵蓋和包括從小于30nm延伸并且最高達(dá)以及超過60nm的范圍。

將理解，摻雜操作可在輕度摻雜Si層32與摻雜接地面層34之間形成梯度過渡，而非階躍邊界。普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解，此類梯度可部分地取決于被選擇用于形成摻雜接地面層34的技術(shù)。例如，此類人員在閱讀本公開之后將領(lǐng)會(huì)，摻雜接地面層34可通過注入來形成；并且將理解，注入可形成比其他技術(shù)更為擴(kuò)展的梯度。

在一方面，操作可包括在具有在摻雜接地面層34上的輕度摻雜Si層32的上述制程中結(jié)構(gòu)上形成鰭圖案硬掩模，該鰭圖案硬掩模被形成為一個(gè)或多個(gè)鰭的頂部投影平面。操作可包括使用該鰭圖案硬掩模來向輕度摻雜Si層32和摻雜接地面層34應(yīng)用蝕刻工藝以形成一個(gè)或多個(gè)鰭堆疊。這些鰭堆疊將包括由摻雜接地面層34的一部分形成的鰭基以及在該鰭基上的由輕度摻雜Si層32的一部分形成的制程中輕度摻雜Si鰭。在一方面，該鰭圖案硬掩模和蝕刻工藝可被配置成形成單個(gè)鰭堆疊。在進(jìn)一步方面，該鰭圖案硬掩模和蝕刻工藝可被配置成形成多個(gè)鰭堆疊(例如，由鰭間距分隔開的一組平行鰭堆疊)。將參照圖4和5來描述形成鰭圖案硬掩模的操作的一個(gè)示例。

圖4是制程中結(jié)構(gòu)40的正向橫截面視圖，其反映了在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)實(shí)施例的操作中在圖3制程中結(jié)構(gòu)30的介電層22上沉積氮化物層42以及在氮化物層42上沉積硬掩模層44。參照圖4，氮化物層42可具有深度D4，且硬掩模層44可具有厚度D5。在一方面，后續(xù)操作(在圖4中不可見)可在硬掩模層44中形成鰭圖案(在圖4中不可見)，并且可利用氮化物層42來(例如通過各向異性干法蝕刻)將該鰭圖案轉(zhuǎn)換成鰭堆疊(在圖4中不可見)。參照圖4，硬掩模層44被可視地表示為單層。但是作為單層的該可視表示并不旨在將硬掩模44限定為單層結(jié)構(gòu)。相反，諸實(shí)施例構(gòu)想了實(shí)現(xiàn)硬掩模層44的結(jié)構(gòu)包括氮化物層上的多個(gè)硬掩模層(在圖4中非單獨(dú)可見)的堆疊。使用此類堆疊式硬掩模層的常規(guī)硬掩模技術(shù)(例如，分隔件限定的雙圖案化和四倍圖案化(SADP、SAQP))是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的。此類常規(guī)硬掩模技術(shù)可由擁有本公開的此類人員配置成根據(jù)諸示例性實(shí)施例來實(shí)踐而無需過度實(shí)驗(yàn)，因此，進(jìn)一步詳細(xì)描述被省略。

關(guān)于D4和D5各自相應(yīng)的數(shù)值范圍選擇，在給定了應(yīng)用且查看了本公開的情況下，普通技術(shù)人員可通過使用此類人員擁有的常規(guī)硬掩模和蝕刻技術(shù)的一般慣例工程方法體系和知識來容易地確定此類數(shù)值范圍，而無需過度實(shí)驗(yàn)。關(guān)于D4，出于解說目的且不限定諸實(shí)施例的范圍，可使用的一個(gè)示例數(shù)值范圍可涵蓋但不限于STI深度的約1/3(在圖4中非顯式可見)。D4的一個(gè)可使用的具體示例數(shù)值范圍可涵蓋和包括從小于25nm延伸并且最高達(dá)以及超過40nm的范圍。關(guān)于D5，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在閱讀本公開之后將變得顯而易見的關(guān)于指定和選擇D5的數(shù)值范圍的考慮是，這些值可與D4相當(dāng)或者在一個(gè)方面略微大于D4。更具體地，對于此類人員將變得顯而易見的是，硬掩模層44的至少一小部分可以(但不必然是優(yōu)選的)在鰭蝕刻結(jié)束時(shí)保留在氮化物層42的頂上。D5的一個(gè)可使用的(例如可與所描述的D4的具體示例范圍一起使用的)具體示例數(shù)值范圍可涵蓋和包括從小于30nm延伸并且最高達(dá)以及超過40nm的范圍。

圖5是制程中結(jié)構(gòu)50的立體視圖，其反映了在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)實(shí)施例的操作中在圖4制程中結(jié)構(gòu)40的硬掩模層44中進(jìn)行圖案化以形成供后續(xù)蝕刻多個(gè)鰭(在圖5中非顯式可見)的鰭圖案化硬掩模52。出于解說目的，圖案化硬掩模52包括六個(gè)鰭硬掩模，其中鰭硬掩模54是一個(gè)代表性示例。將理解，六個(gè)僅僅是形成圖案化硬掩模(諸如，鰭圖案化硬掩模52)的鰭硬掩模的一個(gè)示例數(shù)量，而不旨在限定任何實(shí)施例或其任何方面。例如，替換的圖案化硬掩模(在圖5中非顯式可見)可具有七個(gè)或更多、或者五個(gè)或更少鰭硬掩模，或者可具有僅一個(gè)鰭硬掩模。參照圖5，鰭圖案化硬掩模52示出了具有相同寬度D6和長度D7的全部六個(gè)鰭硬掩模。然而，這僅僅是出于示例目的，因?yàn)闃?gòu)想了可形成分別具有不同的寬度和長度的不同鰭圖案化硬掩模的替換方案。類似地，鰭圖案化硬掩模52示出了均等間隔開鰭間距D8的全部六個(gè)鰭硬掩模，但這僅僅是出于示例目的，因?yàn)闃?gòu)想了可形成間隔開不同鰭間距的鰭硬掩模的替換方案。

圖6是制程中結(jié)構(gòu)60的立體視圖，其反映了使用鰭圖案化硬掩模52來在圖5制程中結(jié)構(gòu)50中蝕刻溝槽62以形成制程中鰭堆疊64、繼之以移除該鰭圖案化硬掩模52。參照圖6，一個(gè)示例蝕刻可以蝕刻溝槽62穿過氮化物(例如，Si3N4)層42、穿過介電層22、穿過輕度摻雜Si層32，并且進(jìn)入到摻雜接地面層34中。此類示例蝕刻可將這些溝槽蝕刻到從輕度摻雜Si層32的頂面(被示出但未單獨(dú)編號)到摻雜接地面層34中的凹陷底面34T測量的總深度D9。溝槽62可包括蝕刻進(jìn)入摻雜接地面層34的對應(yīng)凹陷62A。制程中鰭堆疊64各自按升序從凹陷底面34T開始包括鰭基66以及在鰭基66頂面上的制程中硅鰭68。將領(lǐng)會(huì)，每個(gè)制程中鰭堆疊的鰭基66是一對相應(yīng)的溝槽62之間的摻雜接地面層34的一部分，并且制程中Si鰭68是一對相應(yīng)的溝槽之間的輕度摻雜Si層32的一部分。制程中鰭堆疊64可各自包括臨時(shí)蓋CP，其中該臨時(shí)蓋CP包括介電層22的剩余部分以及在介電層22的該剩余部分上的Si3N4層的剩余部分。

在一方面，進(jìn)一步關(guān)于根據(jù)各種示例性實(shí)施例的方法的操作可包括用Si隔離材料來將該對相應(yīng)的溝槽中的每個(gè)溝槽填充至提供Si隔離材料中間上表面的高度。進(jìn)一步關(guān)于此方面，該填充可被配置成使得該Si隔離材料中間上表面的高度離開該輕度摻雜制程中Si鰭的暴露外表面。在另一方面，填充該對相應(yīng)的溝槽中的每個(gè)溝槽可包括填充至比預(yù)期Si隔離材料表面的高度更大的高度、繼之以蝕刻至該預(yù)期高度。在進(jìn)一步方面，填充至比預(yù)期Si隔離材料上表面的高度更大的高度可包括填充至該制程中鰭堆疊的高度、繼之以平坦化以及隨后的蝕刻。

圖7示出了一個(gè)制程中結(jié)構(gòu)70的立體視圖，其反映了在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中移除圖案化硬掩模52并將氧化物填充72沉積到圖6制程中結(jié)構(gòu)60的溝槽62中、繼之以平坦化。參照圖7，該平坦化可形成臨時(shí)平坦上表面72T。

圖8是圖7所示的制程中結(jié)構(gòu)70在圖7投影面3-3上的橫截面視圖。

圖9是制程中結(jié)構(gòu)90的橫截面視圖，其反映了在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中蝕刻圖8制程中結(jié)構(gòu)的氧化物填充從而留下暴露氮化物層部分92。

圖10是制程中結(jié)構(gòu)100的橫截面視圖，其反映了在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中移除圖9制程中結(jié)構(gòu)90的暴露氮化物層部分92以及形成氧化物填充72的另一臨時(shí)平坦頂面72L。參照圖10，介電層22的諸部分102(如圖2所示地形成的)保留在每個(gè)制程中鰭堆疊(在圖6中由參考標(biāo)號“64”標(biāo)記，在圖10上可見但未標(biāo)記)的相應(yīng)頂部(被示出但未單獨(dú)標(biāo)記)上。

圖11示出了另一制程中結(jié)構(gòu)110的橫截面視圖，其反映了蝕刻進(jìn)入圖10制程中結(jié)構(gòu)100的氧化物填充72的臨時(shí)平坦頂面72L以形成新的臨時(shí)頂面72R。在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中，新的臨時(shí)頂面72R處于暴露每個(gè)制程中鰭堆疊64的上部68U的高度。放大的區(qū)域110A示出了每個(gè)制程中Si鰭68的底部或下部68L在頂面72R以下。在另一方面(在圖10中非顯式可見)，頂面72R可被蝕刻成完全暴露制程中Si鰭68。換言之，對圖10制程中結(jié)構(gòu)100的氧化物填充72的蝕刻將氧化物填充72剩余部分的上表面高度降低至新的臨時(shí)頂面72R，其暴露制程中Si鰭68的全部或除底部68L之外的全部。

在一方面，在蝕刻圖10制程中結(jié)構(gòu)100的氧化物填充72以暴露制程中Si鰭68的全部或除底部68L之外的全部之后。在一方面，暴露制程中Si鰭68的全部或除底部68L之外的全部可實(shí)現(xiàn)將制程中Si鰭68的全部或基本上全部轉(zhuǎn)換成制程中SiGe鰭(在圖11中非顯式可見)。

圖12示出了在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中通過將圖11制程中Si鰭68的暴露上部68U之下和之內(nèi)的輕度摻雜Si材料轉(zhuǎn)變成SiGe來產(chǎn)生的制程中結(jié)構(gòu)120的橫截面視圖。此轉(zhuǎn)換形成了多個(gè)輕度摻雜制程中SiGe鰭122。

在一方面，Si隔離中間上表面的高度可以是中等高度，其中該中等高度可以高于鰭基的上表面與制程中Si鰭的下表面之間的邊界。在進(jìn)一步方面，在將這些制程中輕度摻雜Si鰭的全部或除下部之外的全部轉(zhuǎn)換成制程中輕度摻雜SiGe鰭之后，可向該Si隔離中間上表面應(yīng)用最終蝕刻以形成Si隔離最終上表面，其中該Si隔離最終上表面具有最終高度。在一方面，該最終高度可使得鰭基的上部突出在該Si隔離上方。

圖13示出了制程中結(jié)構(gòu)130的橫截面視圖，其反映了在進(jìn)一步關(guān)于一個(gè)示例制造過程的操作中進(jìn)一步蝕刻進(jìn)入臨時(shí)頂面72R以形成圍繞圖12制程中鰭堆疊的氧化物填充72的最終頂面72F。如普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解的，氧化物填充72可提供制程末端器件中的硅隔離。

圖14示出了圖13制程中結(jié)構(gòu)130的立體視圖。

在一方面，根據(jù)各種示例性實(shí)施例的方法可包括在源極區(qū)的外表面和漏極區(qū)的外表面上沉積外延層之前形成虛柵極。在一方面，該虛柵極可覆蓋輕度摻雜SiGe制程中鰭的柵極區(qū)的外表面。

圖15示出了制程中結(jié)構(gòu)150的立體視圖，其反映了在圖13制程中結(jié)構(gòu)130的輕度摻雜SiGe制程中鰭122的相應(yīng)柵極區(qū)(可見但未單獨(dú)標(biāo)記)上形成虛柵極152。形成虛柵極152可包括虛柵極掩模154。形成虛柵極152可根據(jù)如在常規(guī)FinFET制造過程中使用的用于形成虛柵極的常規(guī)技術(shù)。對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言已知的此類常規(guī)技術(shù)可由此類人員在閱讀本公開之后容易地應(yīng)用以實(shí)踐諸示例性實(shí)施例而無需過度實(shí)驗(yàn)，因此，進(jìn)一步詳細(xì)描述被省略。

圖16是從圖15的投影面4-4所見的圖15制程中結(jié)構(gòu)150的正向投影視圖。放大視圖VA示出了例如伴隨可被應(yīng)用于形成虛柵極152的常規(guī)技術(shù)操作而形成的在輕度摻雜SiGe制程中鰭122的可見(源極或漏極)端上的氧化物層162。將理解，氧化物層(諸如氧化物層162)可類似地形成在其他五個(gè)輕度摻雜SiGe制程中鰭122的可見端(圖16中的可見端)上。將類似地理解，氧化物層(諸如氧化物層162)可形成在全部六個(gè)輕度摻雜SiGe制程中鰭122的相對端(在圖16中不可見)上。參照圖16，放大視圖VB示出了在應(yīng)用外延預(yù)清除以暴露外表面122S之后出現(xiàn)在放大視圖VA中的輕度摻雜SiGe制程中鰭122的可見端(源極或漏極)。將理解，應(yīng)用于暴露外表面122S的外延清除操作可類似地暴露其他五個(gè)輕度摻雜SiGe制程中鰭122在圖16中可見的端上的外表面。類似地，應(yīng)用于暴露外表面122S的外延預(yù)清除操作可暴露全部六個(gè)輕度摻雜SiGe制程中鰭122的相對端(在圖16中不可見)處的外表面。

將理解，可被應(yīng)用于形成虛柵極152的技術(shù)不必然是諸示例性實(shí)施例專用的。例如，虛柵極152可通過目前已知或稍后發(fā)現(xiàn)的可以不形成氧化物層(諸如氧化物層162)的技術(shù)來形成。將理解，根據(jù)采用不形成氧化物層(諸如氧化物層162)的此類技術(shù)(若有)的諸示例性實(shí)施例的實(shí)踐可以省略、或者減少或修改由放大視圖VA和VB解說的外延預(yù)清除或其他氧化物移除操作的應(yīng)用。

圖17示出了從應(yīng)用柵極分隔件圖案化以形成柵極分隔件172以及應(yīng)用SiGeB外延生長工藝以形成SiGeB外延層174中所得到的下一個(gè)制程中結(jié)構(gòu)170的立體視圖。該SiGeB外延生長工藝可被配置成以覆蓋源極和漏極區(qū)的暴露外表面(例如在圖16放大視圖VB中可見的122S)的方式形成SiGeB外延層174。在一方面，形成SiGeB外延層174的SiGeB外延生長工藝可以是根據(jù)各種示例性實(shí)施例以及由其提供的新穎就地硼摻雜方法的一部分，如將在稍后進(jìn)一步詳細(xì)描述的。進(jìn)一步關(guān)于此就地硼摻雜方面，可向圖17制程中結(jié)構(gòu)應(yīng)用推進(jìn)式退火(在圖17中不可見)以使硼從SiGeB外延層174擴(kuò)散到SiGe制程中鰭122的源極區(qū)和漏極區(qū)中，以形成硼摻雜SiGe源極區(qū)和硼摻雜SiGe漏極區(qū)(在由圖17反映的快照中尚未形成)。

關(guān)于SiGeB外延層174中的硼濃度，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解該濃度可取決于的因素。例如，此類人員在閱讀本公開之后將理解，SiGeB外延層174中的硼濃度范圍可至少部分地取決于源極和漏極區(qū)中的期望硼摻雜濃度范圍，該期望硼摻雜濃度范圍可通過后續(xù)推進(jìn)式退火工藝來獲得。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開并且被提供或者選擇專用參數(shù)(例如，最終產(chǎn)品FinFET的幾何形狀、最終產(chǎn)品FinFET的目標(biāo)性能)之后可通過將此類人員知曉的標(biāo)準(zhǔn)工程方法體系應(yīng)用于本文中所公開的概念和示例來容易地確定SiGeB外延層174的相應(yīng)硼摻雜范圍，而無需過度實(shí)驗(yàn)。出于解說目的，對于一些應(yīng)用，可在形成SiGeB外延層(諸如SiGeB外延層174)時(shí)使用的一個(gè)示例硼濃度范圍可從例如小于1-E20at/cm3橫跨并且可涵蓋例如大于2-E20at/cm3。將理解，SiGeB外延層174中的此示例硼濃度范圍僅僅出于解說目的，而不旨在限定任何實(shí)施例或任何實(shí)施例的任何方面的范圍。

圖18示出了在根據(jù)諸示例性實(shí)施例的過程中通過完成對源極區(qū)和漏極區(qū)的就地硼摻雜的推進(jìn)式退火來獲得的制程末端結(jié)構(gòu)180的立體視圖。在一方面，推進(jìn)式退火與如參照圖17所描述地形成的SiGeB外延層操作相結(jié)合并促進(jìn)該操作。圖19示出了圖18制程末端結(jié)構(gòu)180的部分剖視圖。

推進(jìn)式退火可被配置成應(yīng)用預(yù)定溫度TM達(dá)預(yù)定時(shí)間歷時(shí)DR。在確定TM和DR時(shí)考慮的因素可包括期望摻雜物擴(kuò)散以及由于SiGe制程中鰭122由SiGe形成而避免應(yīng)變馳豫。TM和DR的具體數(shù)值范圍可部分地因應(yīng)用而異。普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后可以針對各種給定應(yīng)用來確定TM和DR的范圍，而無需過度實(shí)驗(yàn)。出于解說目的，TM和DR的示例值可包括TM在從約900攝氏度橫跨至約1050攝氏度的范圍內(nèi)、且相應(yīng)DR約為1秒。TM和DR的示例值還可包括TM在從約1200攝氏度橫跨至約1300攝氏度的范圍內(nèi)、且相應(yīng)DR約為1毫秒。將理解，TM和DR的這些示例范圍僅僅出于解說目的，而不旨在限定任何實(shí)施例或任何實(shí)施例的任何方面的范圍。

參照圖18和19，推進(jìn)式退火操作可被配置成使硼從圖17 SiGeB外延層174擴(kuò)散到SiGe制程中鰭122的源極區(qū)和漏極區(qū)中，以形成硼摻雜SiGe源極區(qū)182和硼摻雜SiGe漏極區(qū)184。在進(jìn)一步方面，在圖18和19中覆蓋現(xiàn)在(在圖18和19中)的硼摻雜SiGe源極區(qū)182的圖17SiGeB外延層174部分將被稱為“SiGeB源極外延層”186。類似地，覆蓋現(xiàn)在(在圖18和19中)的硼摻雜SiGe漏極區(qū)184的圖17SiGeB外延層174部分將被稱為“SiGeB漏極外延層”188。

關(guān)于SiGeB源極外延層186和SiGeB漏極外延層188的結(jié)構(gòu)和成分，將理解，由于推進(jìn)式退火的各種操作，這些結(jié)構(gòu)可與SiGeB外延層174有差異(例如，硼濃度降低)。然而，在一方面，圖17SiGeB外延層174可配置有一硼濃度以在SiGeB源極外延層186和SiGeB漏極外延層188中提供高殘留B濃度。例如，此方面可提供諸如在SiGe鰭的整個(gè)溝道高度上提供源極和漏極結(jié)等的特征和益處。參照圖19，柵極區(qū)190包括輕度摻雜SiGe制程中鰭122的輕度摻雜SiGe材料。

由于驅(qū)動(dòng)式退火使硼從SiGeB外延層174擴(kuò)散，因此將理解，SiGeB外延層174中的硼濃度將至少部分地決定硼摻雜SiGe源極區(qū)182、以及硼摻雜SiGe漏極區(qū)184、SiGeB源極外延層186和SiGeB漏極外延層188中的硼濃度。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后將理解，這些圖18和19結(jié)構(gòu)中的期望或目標(biāo)硼范圍可至少部分地因應(yīng)用而異。然而，在閱讀本公開并且具有所定義應(yīng)用之后，普通技術(shù)人員可通過將此類人員知曉的標(biāo)準(zhǔn)工程方法體系應(yīng)用于本文中所公開的概念和示例來容易地確定圖18和19結(jié)構(gòu)中的目標(biāo)硼范圍，而無需過度實(shí)驗(yàn)?；诖祟惸繕?biāo)范圍，普通技術(shù)人員隨后可確定圖17SiGeB外延層174中的目標(biāo)硼范圍，而無需過度實(shí)驗(yàn)。

所公開的實(shí)施例的特征和優(yōu)點(diǎn)可包括但不限于消除了至SiGe源極和漏極下的寄生n型Si電阻器的源極和漏極觸點(diǎn)。這種和其他特征和益處可通過用硼對暴露的n型源極和n型漏極進(jìn)行所描述的反摻雜來提供。其他特征和方面可包括但不限于在整個(gè)SiGe溝道高度上提供源極和漏極結(jié)。進(jìn)一步益處和優(yōu)點(diǎn)可包括例如提供了與SiGe和接地面的柵極交疊。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本公開之后還將領(lǐng)會(huì)，根據(jù)各種示例性實(shí)施例處理和構(gòu)造的FinFET將由于例如相對于SiGe的較高閾值電壓和降低的載流子遷移率而維持來自基于寄生Si的晶體管的低驅(qū)動(dòng)電流貢獻(xiàn)。此類人員還將領(lǐng)會(huì)，連同由所公開的實(shí)施例提供的其他特征和益處，所公開的隆起的源極和漏極外延可消除SiGe源極和漏極的凹陷，這進(jìn)而可提供彈性溝道馳豫的最小化。

圖20是形成根據(jù)各種示例性實(shí)施例的一部分制造過程的操作的高級流程圖200。為了簡明起見，使用了短語“在流程200中”并且其將被理解成表示“在可包括具有由高級流程圖200表示的邏輯流程的操作的過程中”。

參照圖20，流程200中的操作可在任意起始202處開始，起始202可包括例如提供起始塊狀硅，諸如參照圖1A、1B和其他附圖描述的塊狀硅10。流程200中的操作隨后可在204將塊狀Si的一部分形成為鰭堆疊或多個(gè)鰭堆疊。每個(gè)鰭堆疊可包括摻雜Si鰭基以及在該摻雜Si鰭基上的輕度摻雜制程中SiGe鰭。在圖20上示出了204處的一個(gè)示例操作流程，并且將在稍后進(jìn)一步詳細(xì)描述這個(gè)流程。參照圖13和圖14，在204處形成的一個(gè)示例結(jié)構(gòu)可以是具有摻雜Si鰭基66和輕度摻雜SiGe制程中鰭122的制程中結(jié)構(gòu)130。

繼續(xù)參照圖20，在204之后，該流程中的操作可包括在206形成虛柵極和分隔件。參照圖17，示例虛柵極152和柵極分隔件172可以是在206形成的結(jié)構(gòu)的示例。參照圖20，流程200中的下一操作可以是在208，在204處形成的輕度摻雜SiGe制程中鰭的源極和漏極外表面上生長外延層，該外延層的材料包括硼。在一方面，208處的操作可包括例如外延預(yù)清除以移除在虛柵極形成或其他操作期間沉積在源極和漏極外表面上的氧化物。參照圖16，如放大視圖VA和VB所示，移除氧化物層162可反映208處的預(yù)清除操作的一個(gè)示例。

參照圖20，在208處生長外延層之后，流程200中的操作可包括在210退火以使硼從該外延層擴(kuò)散到該源極區(qū)和漏極區(qū)中，以用硼來有效地?fù)诫s這些區(qū)域。參照圖17和18，形成硼摻雜SiGe源極區(qū)182和硼摻雜漏極SiGe區(qū)184的退火操作可反映210處的操作的一個(gè)示例。208和210處的操作可被統(tǒng)稱為在輕度摻雜SiGe制程中鰭的漏極區(qū)和源極區(qū)中就地?fù)诫s硼以形成具有B摻雜源極和漏極區(qū)的制程末端輕度摻雜SiGe有效鰭的示例。具有B摻雜源極和漏極區(qū)的制程末端輕度摻雜SiGe有效鰭還可包括SiGeB源極外延層(例如，圖18中的174A)和SiGeB漏極外延層(例如，圖18中的174B)，它們可分別作為源極和漏極觸點(diǎn)來操作。流程200中的示例操作可在210處的退火之后在212結(jié)束該流程。

圖20示出了可在204處或與204關(guān)聯(lián)地執(zhí)行的操作的一個(gè)示例流程。204處的操作可始于在214，在該塊狀Si的頂面上沉積介電層，并且在該塊狀Si中注入輕度摻雜鰭層和底層接地面。參照圖2和3，214處的操作的一個(gè)示例可以是所描述的沉積介電層22并穿過該介電層在摻雜接地面層34上方注入輕度摻雜Si層32。接著，在216，可例如在該介電層上形成氮化物層，并且可在該氮化物層上部署鰭圖案硬掩模(例如，如參照圖4和5所描述的)。

繼續(xù)參照圖20，該流程中在204處執(zhí)行的操作可包括在218，使用在216處形成的鰭圖案硬掩模來在214處形成的結(jié)構(gòu)中蝕刻溝槽以形成鰭堆疊。在一方面，每個(gè)鰭堆疊可具有在摻雜Si鰭基上的制程中輕度摻雜Si鰭，諸如參照圖6描述的制程中鰭堆疊64。該流程中在204處的示例操作可包括在220，在這些溝槽中沉積硅隔離材料并蝕刻該硅隔離材料的頂面以暴露制程中Si鰭(或暴露制程中Si鰭除下部之外的全部)以用于Si到SiGe轉(zhuǎn)換，如例如參照圖7-11所描述的。

參照圖20，該流程中在204處執(zhí)行的操作可包括在222，將在220處形成的輕度摻雜Si制程中鰭轉(zhuǎn)換成輕度摻雜SiGe制程中鰭。參照圖12和20，由形成圖12輕度摻雜SiGe制程中鰭122反映的操作可以是在222處執(zhí)行的操作的一個(gè)示例。接著，在224，可執(zhí)行對該硅隔離材料的蝕刻以將該硅隔離材料的上表面降低至最終高度(例如，參照圖13描述的上表面72F)以供在208和210進(jìn)行外延生長和硼推進(jìn)操作。

圖21解說了其中可有利地采用本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的示例性無線通信系統(tǒng)300。出于解說目的，圖21示出了三個(gè)遠(yuǎn)程單元320、330和350以及兩個(gè)基站340。將認(rèn)識到，常規(guī)無線通信系統(tǒng)可具有遠(yuǎn)多于此的遠(yuǎn)程單元和基站。遠(yuǎn)程單元320、330和350包括采用例如參照圖1A-1D和2A-2G所描述的受應(yīng)力鰭式NMOS FinFET器件的集成電路或其他半導(dǎo)體設(shè)備325、335和355(如本文中所公開包括片上電壓調(diào)節(jié)器)圖21示出了從基站340到遠(yuǎn)程單元320、330和350的前向鏈路信號380，以及從遠(yuǎn)程單元320、330和350到基站340的反向鏈路信號390。

在圖21中，遠(yuǎn)程單元320被示為移動(dòng)電話，遠(yuǎn)程單元330被示為便攜式計(jì)算機(jī)，且遠(yuǎn)程單元350被示為無線本地環(huán)路系統(tǒng)中的位置固定的遠(yuǎn)程單元。例如，這些遠(yuǎn)程單元可以是移動(dòng)電話、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA))、導(dǎo)航設(shè)備(諸如啟用GPS的設(shè)備)、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、位置固定的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝置)、或者存儲或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其他設(shè)備、或者其任何組合中的任一者或其組合。盡管圖21解說了根據(jù)本公開的教義的遠(yuǎn)程單元，但本公開并不限于這些所解說的示例性單元。本公開的各實(shí)施例可適于用在具有有源集成電路系統(tǒng)(包括存儲器以及用于測試和表征的片上電路系統(tǒng))的任何設(shè)備中。

上文公開的設(shè)備和功能性可被設(shè)計(jì)和配置在存儲于計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)文件(例如，RTL、GDSII、GERBER等)中。一些或全部此類文件可被提供給基于此類文件來制造器件的制造處理人員。結(jié)果得到的產(chǎn)品包括半導(dǎo)體晶片，其隨后被切割為半導(dǎo)體管芯并被封裝成半導(dǎo)體芯片。這些芯片隨后被用在以上描述的設(shè)備中。

本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會(huì)，信息和信號可使用各種不同技術(shù)和技藝中的任何一種來表示。例如，貫穿上面說明始終可能被述及的數(shù)據(jù)、指令、命令、信息、信號、比特、碼元、和碼片可由電壓、電流、電磁波、磁場或磁粒子、光場或光粒子、或其任何組合來表示。

此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會(huì)，結(jié)合本文所公開的各實(shí)施例描述的各種解說性邏輯框、模塊、電路和算法步驟可被實(shí)現(xiàn)為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件、或兩者的組合。為解說硬件與軟件的這一可互換性，各種解說性組件、塊、模塊、電路、以及步驟在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此類功能性是被實(shí)現(xiàn)為硬件還是軟件取決于具體應(yīng)用和施加于整體系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。技術(shù)人員可針對每種特定應(yīng)用以不同方式來實(shí)現(xiàn)所描述的功能性，但此類實(shí)現(xiàn)決策不應(yīng)被解讀為致使脫離本公開的范圍。

結(jié)合本文公開的各實(shí)施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由處理器執(zhí)行的軟件模塊中、或在這兩者的組合中體現(xiàn)。軟件模塊可駐留在RAM存儲器、閃存、ROM存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、寄存器、硬盤、可移動(dòng)盤、CD-ROM或者本領(lǐng)域中所知的任何其他形式的存儲介質(zhì)中。示例性存儲介質(zhì)耦合到處理器以使得該處理器能從/向該存儲介質(zhì)讀寫信息。在替換方案中，存儲介質(zhì)可以被整合到處理器。

盡管前面的公開示出了本公開的解說性實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)注意，在其中可作出各種變更和修改而不會(huì)脫離如所附權(quán)利要求定義的本公開的范圍。根據(jù)本文中所描述的本公開實(shí)施例的方法權(quán)利要求的功能、步驟和/或動(dòng)作不必按任何特定次序來執(zhí)行。此外，盡管本公開的要素可能是以單數(shù)來描述或主張權(quán)利的，但是復(fù)數(shù)也是已料想了的，除非顯式地聲明了限定于單數(shù)。