1.一種用于在塊狀硅(Si)上制造FinFET的方法，包括：
形成鰭堆疊，其中所述形成鰭堆疊是在塊狀Si的一部分中執(zhí)行的，其中所述鰭堆疊是以鰭基以及在所述鰭基上形成硅鍺(SiGe)制程中鰭來(lái)形成的；以及
就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區(qū)域包括：
沉積外延層，其中所述外延層包括硼，其中所述外延層形成在所述SiGe制程中鰭的外表面上；以及
應(yīng)用推進(jìn)式退火，其中所述推進(jìn)式退火被配置成使硼從所述外延層擴(kuò)散到所述SiGe制程中鰭的所述區(qū)域中。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述鰭堆疊被配置成將所述SiGe制程中鰭形成為輕度摻雜SiGe制程中鰭。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述外延層包括SiGeB。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述外延層包括硼濃度，其中所述硼濃度在從約1-E20at/cm橫跨至約2-E20at/cm3的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭包括源極區(qū)，并且其中所述就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區(qū)域被配置成就地硼摻雜所述源極區(qū)的至少一部分。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的所述部分包括：
沉積外延層，其中所述外延層包括硼，其中所述外延層形成在所述源極區(qū)的至少一部分的外表面上；以及
應(yīng)用推進(jìn)式退火，其中所述推進(jìn)式退火被配置成使硼從所述外延層擴(kuò)散到所述源極區(qū)的所述至少一部分中。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭具有源極區(qū)，并且其中所述就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區(qū)域包括：
沉積外延層，其中所述外延層包括硼，其中所述沉積外延層將所述外延層沉積在所述源極區(qū)的外表面上；以及
應(yīng)用推進(jìn)式退火，其中所述推進(jìn)式退火被配置成使硼從所述外延層擴(kuò)散到所述源極區(qū)中。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述外延層包括SiGeB。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭具有漏極區(qū)，
其中沉積所述外延層包括將所述外延層沉積在所述漏極區(qū)的外表面上，并且
其中所述推進(jìn)式退火被進(jìn)一步配置成將B從所述外延層推進(jìn)到所述漏極區(qū)中。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭包括柵極區(qū)，并且其中所述方法進(jìn)一步包括：
在所述源極區(qū)的外表面和所述漏極區(qū)的外表面上沉積所述外延層之前，
形成虛柵極，其中所述虛柵極被配置成覆蓋所述柵極區(qū)的外表面；以及
應(yīng)用外延預(yù)清除以進(jìn)一步暴露所述源極區(qū)的外表面和所述漏極區(qū)的外表面。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鰭堆疊包括：
將所述塊狀Si的一部分形成為制程中鰭堆疊，其中所述制程中鰭堆疊包括所述鰭基和在所述鰭基上的制程中Si鰭；以及
將所述制程中Si鰭的至少一部分轉(zhuǎn)換成所述SiGe制程中鰭，其中所述制程中Si鰭是輕度摻雜制程中Si鰭且所述SiGe制程中鰭是輕度摻雜SiGe制程中鰭。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，將所述塊狀Si的所述部分形成為鰭堆疊包括：在所述塊狀Si的表面下形成輕度摻雜Si層并且在所述輕度摻雜Si層下形成摻雜Si接地面層；以及蝕刻所述摻雜Si接地面層和所述輕度摻雜Si層以形成所述制程中鰭堆疊，其中所述鰭基包括所述摻雜Si接地面層的區(qū)域且所述制程中Si鰭包括所述輕度摻雜Si層的區(qū)域。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述外延層包括SiGeB。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鰭堆疊包括：形成具有所述鰭基和在所述鰭基上的制程中Si鰭的制程中鰭堆疊，以及將所述制程中Si鰭轉(zhuǎn)換成所述SiGe制程中鰭。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述就地硼摻雜所述SiGe制程中鰭的區(qū)域包括：
沉積外延層，其中所述外延層包括硼，其中所述外延層在所述SiGe制程中鰭的所述區(qū)域的外表面上；以及
應(yīng)用推進(jìn)式退火，其中所述推進(jìn)式退火被配置成使硼從所述外延層擴(kuò)散到所述SiGe制程中鰭的所述區(qū)域中。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述SiGe制程中鰭包括柵極區(qū)，并且其中所述方法進(jìn)一步包括：
在所述SiGe制程中鰭的外表面上沉積所述外延層之前，
形成虛柵極，其中所述虛柵極被配置成覆蓋所述柵極區(qū)的外表面；以及
應(yīng)用外延預(yù)清除以進(jìn)一步暴露所述SiGe制程中鰭的所述區(qū)域的外表面。
18.一種裝置，包括：
塊狀硅(Si)，其包括由鰭堆疊分隔開(kāi)的蝕刻溝槽，所述鰭堆疊包括摻雜Si鰭基和在所述摻雜Si鰭基上的輕度摻雜制程中SiGe鰭；以及
外延層，其中所述外延層在所述輕度摻雜制程中SiGe鰭的外表面上。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，所述外延層包括SiGeB。
20.如權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于，所述輕度摻雜制程中SiGe鰭包括源極區(qū)和漏極區(qū)。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，所述外延層在所述漏極區(qū)的外表面上且在所述源極區(qū)的外表面上。
22.如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，所述塊狀硅Si和所述外延層被集成在至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯中。
23.如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括其中集成了多自由層MTJ單元的設(shè)備，所述設(shè)備選自包括以下各項(xiàng)的組：機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計(jì)算機(jī)。
24.一種裝備，包括：
鰭堆疊，所述鰭堆疊包括摻雜硅(Si)鰭基和在所述摻雜Si鰭基上的硅鍺(SiGe)鰭，其中所述SiGe鰭包括源極區(qū)和漏極區(qū)；以及
用于用硼來(lái)就地?fù)诫s所述源極區(qū)并且用硼來(lái)就地?fù)诫s所述漏極區(qū)的裝置。
25.如權(quán)利要求24所述的裝備，其特征在于，所述用于用硼來(lái)就地?fù)诫s所述源極區(qū)并且用硼來(lái)就地?fù)诫s所述漏極區(qū)的裝置被配置成接收退火熱量并作為響應(yīng)來(lái)使硼擴(kuò)散到所述漏極區(qū)和所述源極區(qū)中。
26.一種FinFET裝置，包括：
鰭堆疊，其包括硅(Si)鰭基和在所述Si鰭基上的SiGe鰭，其中所述SiGe鰭包括硼摻雜源極區(qū)和硼摻雜漏極區(qū)；以及
外延層，其中所述外延層至少覆蓋所述硼摻雜源極區(qū)的外表面，并且其中所述外延層包括硅鍺硼(SiGeB)。
27.如權(quán)利要求26所述的FinFET裝置，其特征在于，所述外延層包括在從約1-E20at/cm橫跨至約2-E20at/cm3的范圍內(nèi)的硼濃度。
28.如權(quán)利要求26所述的FinFET裝置，其特征在于，所述外延層是源極外延層，并且其中所述FinFET裝置進(jìn)一步包括漏極外延層，其中所述漏極外延層包括SiGeB，并且其中所述漏極外延層至少覆蓋所述硼摻雜漏極區(qū)的外表面。
29.如權(quán)利要求26所述的FinFET裝置，其特征在于，所述鰭堆疊和所述外延層被集成在至少一個(gè)半導(dǎo)體管芯中。
30.如權(quán)利要求26所述的FinFET裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括其中集成了所述鰭堆疊和所述外延層的設(shè)備，所述設(shè)備選自包括以下各項(xiàng)的組：機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計(jì)算機(jī)。