技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)現(xiàn)方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生長(zhǎng)的方法。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中，該方法包括于半導(dǎo)體鰭片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面與第二刻面的頂表面，以及通過(guò)在約375℃至約450℃的溫度與約5Torr至約20Torr的腔室壓力處將頂表面交替暴露于第一前驅(qū)物氣體與第二前驅(qū)物氣體而至少在外延膜的頂表面上形成外延層，第一前驅(qū)物氣體包含一或多個(gè)硅烷，第二前驅(qū)物氣體包含一或多個(gè)氯化硅烷。

技術(shù)研發(fā)人員：阿布舍克·杜貝;仲華;王振宇;李學(xué)斌;黃奕樵;舒伯特·S·楚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.30
技術(shù)公布日：2017.08.29