本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

以往，半導(dǎo)體中將連接設(shè)置在基板上的柵極和配置在所述柵極的上層的配線層時(shí)，一般采用的結(jié)構(gòu)是，設(shè)置柱狀的接觸器并使用所述接觸器電連接?xùn)艠O和配線層(例如，參照非專利文獻(xiàn)1)。作為設(shè)置多個(gè)接觸器的半導(dǎo)體裝置，例如具有如下的結(jié)構(gòu)：依次層疊下部柵絕緣膜、電荷存儲(chǔ)層、上部柵絕緣膜及存儲(chǔ)器柵極的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體和在所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體的側(cè)壁夾著側(cè)壁隔片設(shè)置的選擇柵構(gòu)造體設(shè)置在活性區(qū)域上(基板表面上)，在各部位設(shè)置接觸器。

例如，這種半導(dǎo)體裝置中，從各種配線層通過(guò)接觸器向存儲(chǔ)器柵極、選擇柵構(gòu)造體的選擇柵極等的各部位施加規(guī)定的電壓，從而通過(guò)因基板表面與存儲(chǔ)器柵極g100的電壓差而產(chǎn)生的量子隧道效應(yīng)，向電荷存儲(chǔ)層ec注入電荷。

在這種情況下，在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體的側(cè)壁夾著側(cè)壁隔片設(shè)置的選擇柵構(gòu)造體與存儲(chǔ)器柵極不同地，從接觸器設(shè)置部向選擇柵極施加規(guī)定的電壓，由此可以對(duì)所述選擇柵極以與存儲(chǔ)器柵極獨(dú)立的方式進(jìn)行控制。

例如，如圖13所示，這種半導(dǎo)體裝置100中，在鄰接于活性區(qū)域(未示出)的元件隔離層101上，可設(shè)置與選擇柵極(未示出)一體形成的接觸器設(shè)置部102。在這種情況下，半導(dǎo)體裝置100中，存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體的電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g100延設(shè)到元件隔離層101上，在所述電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b、存儲(chǔ)器柵極g100的側(cè)壁夾著側(cè)壁隔片105可形成接觸器設(shè)置部102。并且，所述存儲(chǔ)器柵極g100和接觸器設(shè)置部102等的各部位被層間絕緣層120覆蓋，在層間絕緣層120的上層的其他層間絕緣層121上設(shè)置有上層的配線層112。

接觸器設(shè)置部102中，在平坦的接觸器設(shè)置面102c上立設(shè)有接觸器c100，接觸器設(shè)置部102通過(guò)所述接觸器c100與上層的配線層112電連接。由此，接觸器設(shè)置部102可以將從上層的配線層112被施加的電壓施加到形成在活性區(qū)域的選擇柵極。

這種半導(dǎo)體裝置100中，除了接觸器設(shè)置部102與上層的一配線層112通過(guò)接觸器c100電連接之外，還可以具有例如在未示出的活性區(qū)域，形成在活性區(qū)域的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域(未示出)與上層的另一配線層113通過(guò)另一接觸器c101電連接的結(jié)構(gòu)。

并且，半導(dǎo)體裝置100中，一般情況下，在設(shè)置有配線層112、113的層間絕緣層121的上層上同樣另行形成有其他層間絕緣層123，在所述層間絕緣層123上可配置其他配線層114。在這種情況下，半導(dǎo)體裝置100中，配線層113、114之間通過(guò)接觸器c102電連接，例如施加于最上層配線層114的電壓依次通過(guò)接觸器c102、配線層113及接觸器c101被施加到基板表面的雜質(zhì)擴(kuò)散層。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

非專利文獻(xiàn)

非專利文獻(xiàn)1：“制造半導(dǎo)體為止(半導(dǎo)體ができるまで)瑞莎電子”、“在線”、2014年1月8日檢索、因特網(wǎng)(url:http://japan.renesas.com/company_info/fab/line/line12.html)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

但是，制造與存儲(chǔ)器柵極g100夾著側(cè)壁隔片105鄰接的選擇柵極(未示出)和與所述選擇柵極一體形成的接觸器設(shè)置部102時(shí)，首先在活性區(qū)域形成被側(cè)壁隔片105覆蓋的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體時(shí)，在元件隔離層101也形成被側(cè)壁隔片105覆蓋的電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b、存儲(chǔ)器柵極g100。

接著，在所述活性區(qū)域和元件隔離層101的整個(gè)表面形成層狀的導(dǎo)電層。接著，在接觸器設(shè)置部102的形成預(yù)定位置的元件隔離層101的區(qū)域形成抗蝕劑，然后通過(guò)對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行回蝕，在活性區(qū)域沿著側(cè)壁隔片105形成側(cè)壁形狀的選擇柵極的同時(shí)，使導(dǎo)電層照原樣殘留在抗蝕劑的形成區(qū)域，從而在元件隔離層101形成與選擇柵極連續(xù)設(shè)置的接觸器設(shè)置部102。

通過(guò)這種方式形成的接觸器設(shè)置部102中，形成具有能夠使接觸器c100立設(shè)的平坦的接觸器設(shè)置面102c的基臺(tái)部102a，同時(shí)形成從所述基臺(tái)部102a一直升起到存儲(chǔ)器柵極g100的頂部的升起部102b。因此，半導(dǎo)體裝置100中，形成從存儲(chǔ)器柵極g100的頂部向上突出的升起部102b，從而需要相應(yīng)地增大配置有存儲(chǔ)器柵極g100和接觸器設(shè)置部102的層間絕緣層120的膜厚度。

由此，現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置100中，由于層間絕緣層120厚，因此連接存儲(chǔ)器阱的基板表面和上層的配線層113的接觸器c101的高度也會(huì)增加，這樣會(huì)導(dǎo)致所述接觸器c101的長(zhǎng)徑比(接觸器高度÷接觸器直徑)變大，結(jié)果，導(dǎo)致接觸器的阻抗增大。

另外，為了防止接觸器c101的接觸器的阻抗值增大，如果為了降低長(zhǎng)徑比，使層間絕緣層120的膜厚度變薄，則接觸器設(shè)置部102的頂部到上層的配線層112、113的距離縮短，相應(yīng)地，在被施加不同電壓的接觸器設(shè)置部102和上層的配線層113之間有可能產(chǎn)生接觸不良。

因此，本發(fā)明是考慮以上的問(wèn)題問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種能夠防止接觸器的阻抗值增大的同時(shí)能夠防止與配線層的接觸不良的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

為解決課題的技術(shù)手段

用于解決的上述問(wèn)題的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：柵構(gòu)造體，設(shè)置有柵極；接觸器設(shè)置構(gòu)造體，具有由與所述柵極相同層構(gòu)成的隔離柵極，并與所述柵構(gòu)造體電隔離；側(cè)壁型柵極，在所述柵構(gòu)造體的側(cè)壁夾著側(cè)壁隔片以側(cè)壁形狀形成，同時(shí)在所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的側(cè)壁夾著所述側(cè)壁隔片以側(cè)壁形狀形成，所述側(cè)壁型柵極從所述柵構(gòu)造體到所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體連續(xù)設(shè)置；及接觸器，以從所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的頂部跨至所述側(cè)壁隔片和所述側(cè)壁型柵極的方式立設(shè)。

另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：接觸器設(shè)置構(gòu)造體形成工序，形成具有柵極的柵構(gòu)造體和接觸器設(shè)置構(gòu)造體，所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體至少包括由與所述柵極相同層構(gòu)成的隔離柵極，且與所述柵構(gòu)造體電隔離；側(cè)壁隔片形成工序，沿著所述柵構(gòu)造體和所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的各側(cè)壁形成側(cè)壁隔片；側(cè)壁型柵極形成工序，以覆蓋側(cè)壁被所述側(cè)壁隔片覆蓋的所述柵構(gòu)造體和所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的方式形成導(dǎo)電層后，通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電層回蝕，由此形成從所述柵構(gòu)造體到所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的各側(cè)壁夾著所述側(cè)壁隔片以側(cè)壁形狀連續(xù)設(shè)置的側(cè)壁型柵極；及接觸器形成工序，形成以從所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的頂部跨至所述側(cè)壁型柵極的方式立設(shè)的接觸器。

另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：接觸器設(shè)置構(gòu)造體形成工序，通過(guò)在基板上依次將下部柵絕緣膜、電荷存儲(chǔ)層、上部柵絕緣膜及存儲(chǔ)器柵極分別以層狀層疊后對(duì)其實(shí)施圖案化處理，由此形成依次層疊所述下部柵絕緣膜、所述電荷存儲(chǔ)層、所述上部柵絕緣膜及所述存儲(chǔ)器柵極的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體，同時(shí)依次層疊至少所述電荷存儲(chǔ)層、所述上部柵絕緣膜、由與所述存儲(chǔ)器柵極相同層構(gòu)成的隔離存儲(chǔ)器柵極，形成與所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體電隔離的接觸器設(shè)置構(gòu)造體；側(cè)壁隔片形成工序，沿著所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體和所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的各側(cè)壁形成側(cè)壁隔片；選擇柵極形成工序，以覆蓋側(cè)壁被所述側(cè)壁隔片覆蓋的所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體和所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的方式形成導(dǎo)電層后，通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電層回蝕，由此形成在從所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體到所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的各側(cè)壁夾著所述側(cè)壁隔片連續(xù)設(shè)置的側(cè)壁形狀的選擇柵極；及接觸器形成工序，形成以從所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體的頂部跨至所述選擇柵極的方式立設(shè)的接觸器。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，接觸器以從由與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體相同結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接觸器設(shè)置構(gòu)造體的頂部跨至選擇柵極的方式設(shè)置，因此，不存在如現(xiàn)有的升起到存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體頂部的升起部，相應(yīng)地能夠縮短離上層的配線層的距離而使長(zhǎng)徑比變小，因此，能夠防止接觸器的阻抗值增大。另外，由于不存在如現(xiàn)有的升起到存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體頂部的升起部，相應(yīng)地能夠使接觸器設(shè)置構(gòu)造體和上層的配線層離遠(yuǎn)，能夠防止與配線層的接觸不良。

附圖說(shuō)明

圖1是示出通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置的平面布局的示意圖。

圖2是示出圖1的a-a′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖3是示出圖1的b-b′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖4a是示出圖1的c-c′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖4b是示出圖1的d-d′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖5a是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(1)的示意圖，圖5b是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(2)的示意圖，圖5c是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(3)的示意圖。

圖6a是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(4)的示意圖，圖6b是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(5)的示意圖，圖6c是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(6)的示意圖。

圖7是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(4)時(shí)的圖1的d-d′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖8a是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(7)的示意圖，圖8b是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(8)的示意圖，圖8c是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(9)的示意圖。

圖9a是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(10)的示意圖，圖9b是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(11)的示意圖。

圖10是示出相對(duì)于圖1的平面布局疊加選擇柵極，進(jìn)一步示出選擇柵極阻斷部的形成預(yù)定位置的示意圖。

圖11是示出圖10的d-d′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖12a是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(12)時(shí)的圖1的a-a′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖12b是示出半導(dǎo)體裝置的制造工序(12)時(shí)的圖1的b-b′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖13是示出具有接觸器設(shè)置部的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。并且，按照以下所示的順序進(jìn)行說(shuō)明。

1.本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)

1-1.半導(dǎo)體裝置的平面布局

1-2.半導(dǎo)體裝置的各部位的剖面結(jié)構(gòu)

1-3.關(guān)于寫(xiě)入選擇存儲(chǔ)器單元中向電荷存儲(chǔ)層注入電荷的動(dòng)作原理

1-4.關(guān)于高電壓的電荷存儲(chǔ)柵電壓施加于存儲(chǔ)器柵極的寫(xiě)入非選擇存儲(chǔ)器單元中，不向電荷存儲(chǔ)層注入電荷的動(dòng)作原理

2.半導(dǎo)體裝置的制造方法

3.作用及效果

4.省略第三光掩膜加工工序的另一實(shí)施方式的制造方法

5.另一實(shí)施方式

(1)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)

(1-1)半導(dǎo)體裝置平面布局

圖1是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1的平面布局的示意圖，圍繞形成在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b、第一選擇柵構(gòu)造體5a、5b、第二選擇柵構(gòu)造體6a、6b、接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b及選擇柵極阻斷部13、14、15、16的平面布局，和形成在周邊電路區(qū)域er2的邏輯柵構(gòu)造體7a、7b的平面布局。并且，圖1中，省略了形成在后述的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的各個(gè)側(cè)壁的側(cè)壁隔片、形成在第一選擇柵構(gòu)造體5a、5b和第二選擇柵構(gòu)造體6a、6b的側(cè)壁、存儲(chǔ)器阱w1，以及形成在邏輯阱w2、w3的元件隔離層。

本發(fā)明中，接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b具有特定的結(jié)構(gòu)，但是，在此首先對(duì)形成所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的半導(dǎo)體裝置1的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的具體結(jié)構(gòu)，將在下面的“(1-2)半導(dǎo)體裝置的各部位的剖面結(jié)構(gòu)”中進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

在這種情況下，半導(dǎo)體裝置1中，在未示出的半導(dǎo)體基板上包括存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1和周邊電路區(qū)域er2，例如，p型的存儲(chǔ)器阱w1形成在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1，p型的邏輯阱w2和n型的邏輯阱w3形成在周邊電路區(qū)域er2。

另外，存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1具有如下的結(jié)構(gòu)：在柵接觸和阻斷區(qū)域er12、er13之間設(shè)置有存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11，在所述存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11以矩陣狀配置有多個(gè)存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f。并且，所述存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f全部具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面主要對(duì)配置在a-a′部分的存儲(chǔ)器單元3a、3b進(jìn)行說(shuō)明。

在這種情況下，存儲(chǔ)器單元3a具有在第一選擇柵構(gòu)造體5a與第二選擇柵構(gòu)造體6a之間夾著側(cè)壁隔片(未示出)配置有存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的結(jié)構(gòu)。在該實(shí)施方式中，形成第1列的存儲(chǔ)器單元3a、3c、3d的一存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a和形成另外的第2列的存儲(chǔ)器單元3b、3d、3f的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4b以直線形狀形成，并以彼此并排的方式配置。并且，在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a(4b)立設(shè)有與存儲(chǔ)器柵線(未示出)連接的接觸器c4a(c4b)，通過(guò)接觸器c4a(c4b)從所述存儲(chǔ)器柵線向存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)可被施加規(guī)定的存儲(chǔ)器柵電壓。

在存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11以直線形狀形成有包括第一選擇柵極g2a(g2b)的第一選擇柵構(gòu)造體5a(5b)和包括第二選擇柵極g3a(g3b)的第二選擇柵構(gòu)造體6a(6b)，所述第一選擇柵構(gòu)造體5a(5b)和第二選擇柵構(gòu)造體6a(6b)以與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a(4b)并排的方式配置。第一選擇柵極g2a(g2b)和第二選擇柵極g3a(g3b)沿存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)的側(cè)壁的側(cè)壁隔片以側(cè)壁形狀形成，且配置在圍繞存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)的相同的圍繞線上，并通過(guò)沒(méi)有形成第一選擇柵極g2a(g2b)和第二選擇柵極g3a(g3b)的多個(gè)選擇柵極阻斷部13、14(15、16)被電隔離。

另外，在所述存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11的存儲(chǔ)器阱w1表面，以相隔規(guī)定間距并左右對(duì)稱的方式形成兩個(gè)源區(qū)域d1、d3，在所述源區(qū)域d1、d3之間形成多個(gè)漏區(qū)域d2。在這種情況下，存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11中，在一源區(qū)域d1與漏區(qū)域d2之間配置有第1列的存儲(chǔ)器單元3a、3c、3e，在所述漏區(qū)域d2與另一源區(qū)域d3之間配置有第2列的存儲(chǔ)器單元3b、3d、3f，以漏區(qū)域d2作為中心線，存儲(chǔ)器單元3a、3c、3e和存儲(chǔ)器單元3b、3d、3f左右對(duì)稱地形成。并且，一源區(qū)域d1與漏區(qū)域d2之間的存儲(chǔ)器單元3a、3c、3e中，具有在第一選擇柵構(gòu)造體5a與第二選擇柵構(gòu)造體6a之間配置有存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的結(jié)構(gòu)，另外，漏區(qū)域d2與另一源區(qū)域d3之間的存儲(chǔ)器單元3b、3d、3f中，具有在第二選擇柵構(gòu)造體6b與第一柵構(gòu)造體5b之間配置有存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4b的結(jié)構(gòu)。

實(shí)際上，形成在存儲(chǔ)器阱w1表面的一源區(qū)域d1沿一個(gè)第一選擇柵構(gòu)造體5a形成，相應(yīng)于第1列的存儲(chǔ)器單元3a、3c、3d的形成位置，形成至與所述第一選擇柵構(gòu)造體5a鄰接的區(qū)域，并在一列上并排的多個(gè)存儲(chǔ)器單元3a、3c、3e中被共用。在源區(qū)域d1立設(shè)有與源線(未示出)連接的接觸器c1，通過(guò)接觸器c1從所述源線被施加規(guī)定的源電壓。

另外，形成在第二選擇柵構(gòu)造體6a、6b之間的存儲(chǔ)器阱w1表面的多個(gè)漏區(qū)域d2，相應(yīng)于彼此相鄰的存儲(chǔ)器單元3a、3b(3c、3d，3e、3f)的形成位置，在與第二選擇柵構(gòu)造體6a、6b鄰接的區(qū)域分別形成，在彼此相鄰的存儲(chǔ)器單元3a、3b(3c、3d，3e、3f)共用一個(gè)漏區(qū)域d2。在各漏區(qū)域d2立設(shè)有與位線(未示出)連接的接觸器c2，通過(guò)接觸器c2可從所述位線被施加規(guī)定的位電壓。并且，未示出的位線在圖1中被向行方向排列的每個(gè)存儲(chǔ)器單元3a、3b(3c、3d)(3e、3f)共用，對(duì)各行的存儲(chǔ)器單元3a、3b(3c、3d)(3e、3f)以行單位一律施加規(guī)定的位電壓。

并且，形成在存儲(chǔ)器阱w1表面的另一源區(qū)域d3與一源區(qū)域d1左右對(duì)稱地形成，與一源區(qū)域d1一樣，形成至與另一第一選擇柵構(gòu)造體5b鄰接的區(qū)域，并被第2列的存儲(chǔ)器單元3b、3d、3f共用。另外，在該源區(qū)域d3中立設(shè)有接觸器c3，與d1相同的源線與接觸器c3連接。這樣，在配置在存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11的存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f中，通過(guò)接觸器c1、c3可一律地被施加相同的源電壓。

在與存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11鄰接的一柵接觸和阻斷區(qū)域er12和同樣地與存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11鄰接的另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13，在存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11并排的兩個(gè)存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b照原樣以直線形狀延伸而并排，所述存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b的一端配置在一柵接觸和阻斷區(qū)域er12，所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b的另一端配置在另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13。

在該實(shí)施方式中，構(gòu)成第1列的存儲(chǔ)器單元3a、3c、3e的第一選擇柵極g2a、存儲(chǔ)器柵極g1a及第二選擇柵極g3a和構(gòu)成第2列的存儲(chǔ)器單元3b、3d、3f的第二選擇柵極g3b、存儲(chǔ)器柵極g1b及第一選擇柵極g2b左右對(duì)稱地形成，因此，在此關(guān)注構(gòu)成第1列的存儲(chǔ)器單元3a、3c、3e的第一選擇柵極g2a、存儲(chǔ)器柵極g1a及第二選擇柵極g3a來(lái)對(duì)柵接觸和阻斷區(qū)域er12、er13進(jìn)行說(shuō)明。

在這種情況下，在一柵接觸和阻斷區(qū)域er12，設(shè)置有與存儲(chǔ)器柵極g1a分割并與所述存儲(chǔ)器柵極g1a絕緣的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a。在該實(shí)施方式中，接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a以帶狀形成，并配置在與存儲(chǔ)器柵極g1a的長(zhǎng)度方向相同的直線上。進(jìn)一步，在一柵接觸和阻斷區(qū)域er12，從存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11延伸的第一選擇柵極g2a以四邊形形成，在由所述第一選擇柵極g2a包圍的中心區(qū)域，夾著側(cè)壁隔片配置有接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a，第一選擇柵極g2a與接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a夾著側(cè)壁隔片鄰接。

其中，一柵接觸和阻斷區(qū)域er12中，在從接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a上跨著側(cè)壁隔片和第一選擇柵極g2a而到基板表面的區(qū)域，立設(shè)有接觸器c5a。由此，通過(guò)接觸器c5a從第一選擇柵線(未示出)向第一選擇柵極g2a可被施加規(guī)定的第一選擇柵電壓。

另外，進(jìn)一步，一柵接觸和阻斷區(qū)域er12中，在四邊形的第一選擇柵極g2a的一部分與從存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11延伸的直線形狀的第二選擇柵極g3a的端部之間設(shè)置有選擇柵極阻斷部13。選擇柵極阻斷部13使得四邊形的第一選擇柵極g2a的一部分與第二選擇柵極g3a的端部相隔規(guī)定距離而相對(duì)配置，使得第一選擇柵極g2a與第二選擇柵極g3a電隔離。由此，一柵接觸和阻斷區(qū)域er12中，即使通過(guò)接觸器c5a向第一選擇柵極g2a施加第一選擇柵電壓，通過(guò)選擇柵極阻斷部13阻斷電壓從第一選擇柵極g2a施加到第二選擇柵極g3a。

另外，在另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13中也設(shè)置有與存儲(chǔ)器柵極g1a分割并與所述存儲(chǔ)器柵極g1a絕緣的接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a。在該實(shí)施方式中，接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a也與上述的一接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a一樣，以帶狀形成，并配置在與存儲(chǔ)器柵極g1a的長(zhǎng)度方向相同的直線上。

另外，在另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13，從存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11延伸的第二選擇柵極g3a以四邊形形成，在由所述第二選擇柵極g3a包圍的中心區(qū)域夾著側(cè)壁隔片形成有接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a，第二選擇柵極g3a與接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a夾著側(cè)壁隔片鄰接。

其中，另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13中，在從接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a上跨著側(cè)壁隔片和第二選擇柵極g3a而到基板表面的區(qū)域，立設(shè)有接觸器c6a。由此，通過(guò)接觸器c6a從第二選擇柵線(未示出)向第二選擇柵極g3a施加規(guī)定的第二選擇柵電壓。

另外，進(jìn)一步，另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13中，在四邊形的第二選擇柵極g3a的一部分與從存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11延伸的直線形狀的第一選擇柵極g2a的端部之間設(shè)置有選擇柵極阻斷部14。由此，另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13中，四邊形的第二選擇柵極g3a的一部分與第一選擇柵極g2a的端部也通過(guò)選擇柵極阻斷部14電隔離。由此，選擇柵極阻斷部13使得四邊形的第一選擇柵極g2a的一部分與第二選擇柵極g3a的端部相隔規(guī)定距離而相對(duì)配置，使得第一選擇柵極g2a與第二選擇柵極g3a電隔離。由此，另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13中，即使通過(guò)接觸器c6a向第二選擇柵極g3a施加有第二選擇柵電壓，但通過(guò)選擇柵極阻斷部14能夠阻斷電壓從第二選擇柵極g3a施加到第一選擇柵極g2a。

這樣，存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1中，與一接觸器c5a連接的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a及第一選擇柵極g2a和與另一接觸器c6a連接的接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a及第二選擇柵極g3a，通過(guò)選擇柵極阻斷部13、14電隔離，從而可獨(dú)立地控制第一選擇柵極g2a和第二選擇柵極g3a。

順便說(shuō)一下，柵接觸和阻斷區(qū)域er12、er13的第2列側(cè)的第二選擇柵極g3b、存儲(chǔ)器柵極g1b及第一選擇柵極g2b與上述的第1列側(cè)的第一選擇柵極g2a、存儲(chǔ)器柵極g1a及第二選擇柵極g3a具有相同的結(jié)構(gòu)，與第1列一樣，設(shè)置有接觸器設(shè)置構(gòu)造體10b、11b和選擇柵極阻斷部15、16。

但是，所述存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1中，第2列的第二選擇柵極g3b以與第1列的第二選擇柵極g3a彼此相鄰的方式配置，第一選擇柵極g2b和第二選擇柵極g3b左右相反地配置。

因此，與向第2列的第二選擇柵極g3b施加電壓的接觸器c6b連接的接觸器設(shè)置構(gòu)造體11b配置在一柵接觸和阻斷區(qū)域er12，另外，與向第2列的第一選擇柵極g2b施加電壓的接觸器c5b連接的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10b配置在另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13。

另外，第二選擇柵極g3b、存儲(chǔ)器柵極g1b及第一選擇柵極g2b中，與一接觸器c5b連接的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10b及第一選擇柵極g2b和與另一接觸器c6b連接的接觸器設(shè)置構(gòu)造體11b及第二選擇柵極g3b通過(guò)選擇柵極阻斷部15、16電隔離，從而可獨(dú)立地控制第一選擇柵極g2b和第二選擇柵極g3b。

接著，對(duì)與具有這種結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1鄰接的周邊電路區(qū)域er2進(jìn)行說(shuō)明。并且，在該實(shí)施方式中，周邊電路區(qū)域er2配置在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1中鄰接于存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11的位置，但是，本發(fā)明并不限定于此，也可以設(shè)置在其他位置，如鄰接于一柵接觸和阻斷區(qū)域er12的位置、鄰接于另一柵接觸和阻斷區(qū)域er13的位置、或者鄰接于存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11與柵接觸和阻斷區(qū)域er12之間的位置等。

實(shí)際上，在周邊電路區(qū)域er2形成有多個(gè)周邊電路18、19。周邊電路18例如具有形成在p型的邏輯阱w2的n型的金屬氧化物半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor；mos)晶體管結(jié)構(gòu)。在這種情況下，在邏輯阱w2形成有邏輯柵構(gòu)造體7a，通過(guò)接觸器c8向邏輯柵構(gòu)造體7a施加規(guī)定的邏輯柵電壓。

另外，所述邏輯阱w2中，在鄰接于所述邏輯柵構(gòu)造體7a的區(qū)域以?shī)A著邏輯柵構(gòu)造體7a的方式形成有雜質(zhì)擴(kuò)散層d4、d5，在一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域d4立設(shè)有接觸器c9，在另一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域d5立設(shè)有另一接觸器c10。

另外，另一周邊電路19例如具有形成在n型的邏輯阱w3的p型的mos晶體管結(jié)構(gòu)。在這種情況下，在邏輯阱w3形成有邏輯柵構(gòu)造體7b，通過(guò)接觸器c12向邏輯柵構(gòu)造體7b可施加規(guī)定的邏輯柵電壓。

另外，所述邏輯阱w3中，在鄰接于所述邏輯柵構(gòu)造體7b的區(qū)域也以?shī)A著邏輯柵構(gòu)造體7b的方式形成雜質(zhì)擴(kuò)散層d6、d7，在一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域d6立設(shè)有接觸器c13，在另一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域d7立設(shè)有另一接觸器c14。

(1-2)半導(dǎo)體裝置的各部位的剖面結(jié)構(gòu)

圖2是圖1的a-a′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)，是示出設(shè)置在存儲(chǔ)器單元區(qū)域er11的存儲(chǔ)器單元3a、3b和設(shè)置在周邊電路區(qū)域er2的周邊電路18、19的側(cè)面剖結(jié)構(gòu)的剖視圖。在這種情況下，在半導(dǎo)體裝置1中設(shè)置有半導(dǎo)體基板s，在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的半導(dǎo)體基板s上形成有存儲(chǔ)器阱w1，在周邊電路區(qū)域er2的半導(dǎo)體基板s上形成有邏輯阱w2、w3。

在該實(shí)施方式中，在存儲(chǔ)器阱w1的a-a′部分配置有兩個(gè)存儲(chǔ)器單元3a、3b，在所述存儲(chǔ)器單元3a、3b之間的基板表面形成有接觸器c2立設(shè)的漏區(qū)域d2。并且，存儲(chǔ)器單元3a、3b左右對(duì)稱地形成，且具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面主要對(duì)一存儲(chǔ)器單元3a進(jìn)行說(shuō)明。

存儲(chǔ)器單元3a中，例如形成n型的晶體管結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、形成n型的mos晶體管構(gòu)造的第一選擇柵構(gòu)造體5a及同樣地形成n型的mos晶體管結(jié)構(gòu)的第二選擇柵構(gòu)造體6a形成在存儲(chǔ)器阱w1中。

實(shí)際上，在存儲(chǔ)器阱w1表面相隔規(guī)定距離形成有源區(qū)域d1和漏區(qū)域d2，來(lái)自源線的源電壓通過(guò)接觸器c1(圖1)施加到源區(qū)域d1，來(lái)自位線的位電壓通過(guò)接觸器c2施加到漏區(qū)域d2。并且，在該實(shí)施方式中，源區(qū)域d1和漏區(qū)域d2中，雜質(zhì)濃度被選定為1.0e21/cm³以上，另外，存儲(chǔ)器阱w1中，通過(guò)在制造過(guò)程注入雜質(zhì)，形成溝道層的表面區(qū)域(例如，從表面50nm深度的區(qū)域)的雜質(zhì)濃度被選定為1.0e19/cm³以下，優(yōu)選被選定為3.0e18/cm³以下。

存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a中，在源區(qū)域d1與漏區(qū)域d2之間的存儲(chǔ)器阱w1上，夾著由sio2等絕緣部件構(gòu)成的下部柵絕緣膜23a，具有例如氮化硅(si3n4)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)等構(gòu)成的電荷存儲(chǔ)層ec，并且，在所述電荷存儲(chǔ)層ec上，夾著同樣地由絕緣部件構(gòu)成的上部柵絕緣膜23b，具有存儲(chǔ)器柵極g1a。由此，存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a中，具有如下結(jié)構(gòu)：通過(guò)下部柵絕緣膜23a和上部柵絕緣膜23b，電荷存儲(chǔ)層ec與存儲(chǔ)器阱w1和存儲(chǔ)器柵極g1a絕緣。

存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a中，由絕緣部件構(gòu)成的側(cè)壁隔片27a沿著側(cè)壁形成，夾著所述側(cè)壁隔片27a鄰接有第一選擇柵構(gòu)造體5a。在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a與第一選擇柵構(gòu)造體5a之間形成的所述側(cè)壁隔片27a以規(guī)定的膜厚度形成，使得存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a與第一選擇柵構(gòu)造體5a之間絕緣。

另外，第一選擇柵構(gòu)造體5a中，在側(cè)壁隔片27a與源區(qū)域d1之間的存儲(chǔ)器阱w1上形成有柵絕緣膜25a，所述柵絕緣膜25a由絕緣部件構(gòu)成，且膜厚度為9nm以下，優(yōu)選為3nm以下，在所述柵絕緣膜25a上形成有與第一選擇柵線連接的第一選擇柵極g2a。

另外，存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的另一側(cè)壁上也形成有由絕緣部件構(gòu)成的側(cè)壁隔片27a，夾著所述側(cè)壁隔片27a鄰接有第二選擇柵構(gòu)造體6a。在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a與第二選擇柵構(gòu)造體6a之間形成的所述側(cè)壁隔片27a也以與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a與第一選擇柵構(gòu)造體5a之間的側(cè)壁隔片27a相同的膜厚度形成，使得存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a與第二選擇柵構(gòu)造體6a之間絕緣。

另外，第二選擇柵構(gòu)造體6a中，在側(cè)壁隔片27a與漏區(qū)域d2之間的存儲(chǔ)器阱w1上形成有柵絕緣膜25b，所述柵絕緣膜25b由絕緣部件構(gòu)成，且膜厚度為9nm以下，優(yōu)選為3nm以下，在所述柵絕緣膜25b上形成有與第二選擇柵線連接的第二選擇柵極g3a。

其中，夾著側(cè)壁隔片27a沿著存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁形成的第一選擇柵極g2a和第二選擇柵極g3a是通過(guò)在后述的制造工序中對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行回蝕來(lái)形成，并且分別形成為隨著遠(yuǎn)離存儲(chǔ)器柵極g1a其頂部朝向存儲(chǔ)器阱w1下降的側(cè)壁形狀。

在第一選擇柵構(gòu)造體5a的側(cè)壁和第二選擇柵構(gòu)造體6a的側(cè)壁，形成有由絕緣部件形成的側(cè)壁sw，在一側(cè)壁sw下部的存儲(chǔ)器阱w1表面形成有延伸區(qū)域d1a，在另一側(cè)壁sw下部的存儲(chǔ)器阱w1表面也形成有延伸區(qū)域d2a。

并且，在該實(shí)施方式中，當(dāng)使第一選擇柵極g2a與第二選擇柵極g3a之間的存儲(chǔ)器阱w1中從表面到50nm深度的區(qū)域的雜質(zhì)濃度為1e19/cm³以下時(shí)，可通過(guò)后面的制造工序，將柵絕緣膜25a、25b的各膜厚度形成為9nm以下。另外，當(dāng)使第一選擇柵極g2a與第二選擇柵極g3a之間的存儲(chǔ)器阱w1中從表面到50nm深度的區(qū)域的雜質(zhì)濃度為3e18/cm³以下時(shí)，可通過(guò)后面的制造工序，將柵絕緣膜25a、25b的各膜厚度形成為3nm以下。

順便說(shuō)一下，另一存儲(chǔ)器單元3b也具有與存儲(chǔ)器單元3a相同的結(jié)構(gòu)，在另一源區(qū)域d3與漏區(qū)域d2之間的存儲(chǔ)器阱w1上具有第一選擇柵構(gòu)造體5b和第二選擇柵構(gòu)造體6b，在所述第一選擇柵構(gòu)造體5b與第二選擇柵構(gòu)造體6b之間夾著側(cè)壁隔片27a形成有存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4b。另外，存儲(chǔ)器單元3b中，在與第一選擇柵構(gòu)造體5b相對(duì)的側(cè)壁也分別形成有側(cè)壁sw，在所述側(cè)壁sw下部的存儲(chǔ)器阱w1表面分別形成有延伸區(qū)域d3a、d2b。

形成在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的存儲(chǔ)器阱w1與形成在周邊電路區(qū)域er2的一邏輯阱w2，通過(guò)一元件隔離層20電隔離，并且，形成在周邊電路區(qū)域er2的一邏輯阱w2與另一邏輯阱w3也通過(guò)另一元件隔離層20電隔離。其中，在該實(shí)施方式中，在一邏輯阱w2形成具有n型的mos晶體管結(jié)構(gòu)的周邊電路18，在另一邏輯阱w3形成具有p型的mos晶體管結(jié)構(gòu)的周邊電路19。

實(shí)際上，一邏輯阱w2中，在形成于基板表面的一對(duì)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域d4、d5之間，設(shè)置有夾著柵絕緣膜29a形成邏輯柵電極g5的邏輯柵構(gòu)造體7a。并且，在邏輯柵構(gòu)造體7a的側(cè)壁形成有側(cè)壁sw，在各側(cè)壁sw下部的基板表面上形成有延伸區(qū)域d4a、d5a。

另外，導(dǎo)電型不同于一邏輯阱w2的另一邏輯阱w3也具有與一邏輯阱w2相同的結(jié)構(gòu)，在形成于基板表面的一對(duì)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域d6、d7之間，設(shè)置有夾著柵絕緣膜29b形成邏輯柵極g6的邏輯柵構(gòu)造體7b。并且，在邏輯柵構(gòu)造體7b的側(cè)壁形成有側(cè)壁sw，在各側(cè)壁sw下部的基板表面上形成有延伸區(qū)域d6a、d7a。

并且，半導(dǎo)體裝置1中，第一選擇柵構(gòu)造體5a、5b、存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b、第二選擇柵構(gòu)造體6a、6b、接觸器c2、邏輯柵構(gòu)造體7a、7b等被層間絕緣膜21覆蓋，各部位之間彼此絕緣。另外，例如源區(qū)域d1、d3、漏區(qū)域d2等其他各種的各部表面被硅化物sc覆蓋。

在此，圖3是圖1的b-b′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)，是示出存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的柵接觸和阻斷區(qū)域er12中選擇柵極阻斷部13、15的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖3所示，選擇柵極阻斷部13、15形成在存儲(chǔ)器阱w1上形成的元件隔離層20上。

例如，形成選擇柵極阻斷部15的區(qū)域中，在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4b的一側(cè)壁夾著側(cè)壁隔片27a形成有側(cè)壁形狀的第二選擇柵極g3b，但是在所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4b的另一側(cè)壁沒(méi)有形成有第一選擇柵極g2b或第二選擇柵極g3b，而只是形成有側(cè)壁隔片或由側(cè)壁形成的絕緣壁27b。

另外，在該實(shí)施方式中，一存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a側(cè)的選擇柵極阻斷部13中，也在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的一側(cè)壁夾著側(cè)壁隔片27a形成有側(cè)壁形狀的第一選擇柵極g2b，但是在所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的另一側(cè)壁沒(méi)有形成有第一選擇柵極g2a或第二選擇柵極g3a，而只是形成有側(cè)壁隔片或由側(cè)壁形成的絕緣壁27b。并且，形成選擇柵極阻斷部13、15的區(qū)域中，在制造過(guò)程中一部分基板表面被削掉而在元件隔離層20表面形成凹陷部30。

接著，對(duì)具有本發(fā)明的特征的結(jié)構(gòu)的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b進(jìn)行說(shuō)明，由于所述接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b全部具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面主要對(duì)接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a進(jìn)行說(shuō)明。圖4a是圖1的c-c′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)，是示出形成在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的柵接觸和阻斷區(qū)域er12的一接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。另外，圖4b是示出圖1中與c-c′部分垂直的d-d′部分的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的剖視圖。

如圖4a和圖4b所示，接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a形成于存儲(chǔ)器阱w1上形成的元件隔離層20的基板表面上，具有依次層疊構(gòu)成存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b、與存儲(chǔ)器柵極g1a相同層構(gòu)成的存儲(chǔ)器柵極(隔離存儲(chǔ)器柵極)g8a的結(jié)構(gòu)。另一方面，雖然接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a具有與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a相同的電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g8a，但是在存儲(chǔ)器柵極g8a下部不發(fā)生因大的電壓差而產(chǎn)生的量子隧道效應(yīng)，電荷不會(huì)注入到電荷存儲(chǔ)層ec。

并且，在該實(shí)施方式中，構(gòu)成接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g8a與構(gòu)成存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g1a由相同的層構(gòu)成，因此各膜厚度可以形成為與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a相同的膜厚度。

在這種情況下，如圖4a所示，接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a中，沿著形成在側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c形成有側(cè)壁形狀的第一選擇柵極g2a，從存儲(chǔ)器柵極g8a的平坦的頂部的一部分跨著一方的側(cè)壁隔片27c和第一選擇柵極g2a而到基板表面的區(qū)域立設(shè)有接觸器c5a。在這種情況下，接觸器c5a的一部分立設(shè)在平坦的存儲(chǔ)器柵極g8a的頂部，還有一部分立設(shè)在平坦的元件隔離層20的基板表面，因此能夠穩(wěn)定地設(shè)置。

另外，接觸器c5a以從接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的存儲(chǔ)器柵極g8a到元件隔離層20跨著第一選擇柵極g2a的方式形成，例如，當(dāng)通過(guò)光刻法工序來(lái)形成接觸器c5a時(shí)，即使對(duì)于第一選擇柵極g2a產(chǎn)生偏差，也能夠使接觸器c5a始終接觸在第一選擇柵極g2a表面。這樣，接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a與第一選擇柵極g2a電連接，其電阻不受光刻法工序的影響而穩(wěn)定。

接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a中沒(méi)有形成有如現(xiàn)有的在存儲(chǔ)器柵極的頂部升起的升起部，而是由與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a相同的電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g8a層構(gòu)成，因此能夠保持與所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a大致相同的高度，并且，通過(guò)接觸器c5a能夠更加可靠地連接沿著存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a形成的側(cè)壁形狀的第一選擇柵極g2a和上層的配線層(圖中未示出)。

這樣，接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a中，從基板表面到上層的配線層的距離能夠以存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的高度為基準(zhǔn)選定，并且，不具有如現(xiàn)有的升起在存儲(chǔ)器柵極的頂部的升起部，從而能夠使層間絕緣膜21的厚度變薄，防止從基板表面延伸至上層的配線層的接觸器的長(zhǎng)徑比增大。

并且，如圖4b所示，在沿著存儲(chǔ)器柵極g1a的端部的側(cè)壁形成的側(cè)壁隔片27a和沿著接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的端部的側(cè)壁形成的側(cè)壁隔片27c相對(duì)配置的區(qū)域gp1也以沒(méi)有間隙地形成有第一選擇柵極g2a。由此，第一選擇柵極g2a可以從接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a到存儲(chǔ)器柵極g1a連續(xù)設(shè)置。

這樣，在向從接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a跨著側(cè)壁隔片27c和第一選擇柵極g2a的接觸器c5a上被施加第一選擇柵電壓時(shí)，第一選擇柵電壓可通過(guò)存儲(chǔ)器柵極g1a和側(cè)壁隔片27a施加到側(cè)壁形狀的第一選擇柵極g2a。

順便說(shuō)一下，在該實(shí)施方式中，在存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c相對(duì)配置的區(qū)域gp1，通過(guò)在制造過(guò)程中對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行回蝕來(lái)形成第一選擇柵極g2a，從而在離相對(duì)配置的各側(cè)壁隔片27a、27c最遠(yuǎn)的側(cè)壁隔片27a、27c之間的大致中心附近，第一選擇柵極g2a的膜厚度可形成得最薄。

因此，在存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁隔片27a和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)壁隔片27c相對(duì)配置的區(qū)域gp1，隨著從所述側(cè)壁隔片27a、27c向所述側(cè)壁隔片27a、27c之間的中央附近，第一選擇柵極g2a的頂部表面逐漸地向基板表面傾斜，可以“く”狀凹陷形成。并且，在存儲(chǔ)器柵極g1a、接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、第一選擇柵極g2a等的各表面形成有硅化物sc。

在此，如圖1和圖4b所示，半導(dǎo)體裝置1中，例如，在存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c相對(duì)配置的區(qū)域gp1，當(dāng)存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁與接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)壁的相隔距離表示為dp，進(jìn)一步，如圖1和圖4a所示，從形成在存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c到側(cè)壁sw的選擇柵極g2a的厚度表示為dsw，接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的存儲(chǔ)器柵極g8a與第一選擇柵極g2a之間的側(cè)壁隔片27c的厚度表示為dsp時(shí)，將存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b、接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b、側(cè)壁隔片27a、27c、第一選擇柵極g2a、g2b及第二選擇柵極g3a、g3b形成為滿足dp＜(2×dsp)﹢(2×dsw)的關(guān)系。

半導(dǎo)體裝置1中，通過(guò)滿足上述式，在存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a和與所述側(cè)壁隔片27a相對(duì)配置的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a(10b、11b)的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c之間的區(qū)域gp1，第一選擇柵極g2a(g2b)和第二選擇柵極g3a(g3b)可無(wú)間隙地形成。

并且，在該實(shí)施方式中，對(duì)存儲(chǔ)器柵極g1a和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a配置在同一直線上的情況進(jìn)行說(shuō)明，但是，本發(fā)明并不限定于此，只要在存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a和與所述側(cè)壁隔片27a相對(duì)配置的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c之間的區(qū)域gp1能夠使第一選擇柵極g1a無(wú)間隙地形成，則也可以采用其他的各種配置關(guān)系。

例如，還可以具有如下的結(jié)構(gòu)：存儲(chǔ)器柵極g1a和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a相對(duì)配置，但是存儲(chǔ)器柵極g1a的中心線和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的中心線具有偏差，或者存儲(chǔ)器柵極g1a和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a沒(méi)有在同一直線上。

另外，雖然對(duì)存儲(chǔ)器柵極g1a和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的寬度做成相同，但是，本發(fā)明并不限定于此，也可以是接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的寬度小于或者大于存儲(chǔ)器柵極g1a的寬度。另外，在平面布局上，接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a以棒狀形成，但是，本發(fā)明并不限定于此，例如還可以具有l(wèi)字形狀或j字形狀等其他各種外廓形狀。

(1-3)關(guān)于寫(xiě)入選擇存儲(chǔ)器單元中向電荷存儲(chǔ)層注入電荷的動(dòng)作原理

接著，下面對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1中，例如向存儲(chǔ)器單元3a的電荷存儲(chǔ)層ec注入電荷而向所述存儲(chǔ)器單元3a寫(xiě)入數(shù)據(jù)的情況進(jìn)行簡(jiǎn)單的說(shuō)明。在這種情況下，如圖2所示，向電荷存儲(chǔ)層ec注入電荷的存儲(chǔ)器單元(稱為寫(xiě)入選擇存儲(chǔ)器單元)3a中，通過(guò)接觸器c4a(圖1)從存儲(chǔ)器柵線(未示出)向存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的存儲(chǔ)器柵極g1a可被施加12v的電荷存儲(chǔ)柵電壓，并沿與所述存儲(chǔ)器柵極g1a相對(duì)的存儲(chǔ)器阱w1表面可形成溝道層(未示出)。

此時(shí)，第一選擇柵構(gòu)造體5a中，可以通過(guò)接觸器c5a(圖1)從第一選擇柵線(未示出)向第一選擇柵極g2a施加0v的柵截止電壓，且向源區(qū)域d1可施加0v的源截止電壓。由此，第一選擇柵構(gòu)造體5a中，能夠在與第一選擇柵極g2a相對(duì)的存儲(chǔ)器阱w1表面不形成溝道層，從而阻斷源區(qū)域d1與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的溝道層的電連接，阻止電壓從源區(qū)域d1施加到存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的溝道層。

另外，第二選擇柵構(gòu)造體6a中，通過(guò)接觸器c6a(圖1)可從第二選擇柵線(未示出)向第二選擇柵極g3a施加1.5v的第二選擇柵電壓，且向漏區(qū)域d2施加0v的電荷存儲(chǔ)位電壓。由此，第二選擇柵構(gòu)造體6a中，在與第二選擇柵極g3a相對(duì)的存儲(chǔ)器阱w1中形成溝道層而成為導(dǎo)通狀態(tài)，漏區(qū)域d2與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的溝道層電連接，從而使存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的溝道層可成為0v的電荷存儲(chǔ)位電壓。并且，此時(shí)，向存儲(chǔ)器阱w1可被施加與電荷存儲(chǔ)位電壓相同的0v的基板電壓。

這樣，存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a中，存儲(chǔ)器柵極g1a成為12v，溝道層成為0v，從而存儲(chǔ)器柵極g1a與溝道層之間產(chǎn)生12v的大的電壓差，通過(guò)因大的電壓差而發(fā)生的量子隧道效應(yīng)，向電荷存儲(chǔ)層ec可注入電荷，使其成為寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

(1-4)關(guān)于高電壓的電荷存儲(chǔ)柵電壓施加于存儲(chǔ)器柵極的寫(xiě)入非選擇存儲(chǔ)器單元中，不向電荷存儲(chǔ)層注入電荷的動(dòng)作原理

通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置1中，例如不向存儲(chǔ)器單元3a的電荷存儲(chǔ)層ec注入電荷時(shí)，向存儲(chǔ)器柵極g1a施加與寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)相同的高電壓的電荷存儲(chǔ)柵電壓，通過(guò)第一選擇柵構(gòu)造體5a阻斷源區(qū)域d1與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的溝道層的電連接，且通過(guò)第二選擇柵構(gòu)造體6a阻斷漏區(qū)域d2與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的溝道層的電連接，從而能夠阻止向存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的電荷存儲(chǔ)層ec的電荷注入。

實(shí)際上，此時(shí)，不向電荷存儲(chǔ)層ec注入電荷的存儲(chǔ)器單元(稱為寫(xiě)入非選擇存儲(chǔ)器單元)3a的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a中，通過(guò)向存儲(chǔ)器柵極g1a施加12v的電荷存儲(chǔ)柵電壓，因此電荷存儲(chǔ)柵電壓會(huì)傳遞至存儲(chǔ)器阱w1，沿著與所述存儲(chǔ)器柵極g1a相對(duì)的存儲(chǔ)器阱w1表面可形成溝道層。

第一選擇柵構(gòu)造體5a中，通過(guò)接觸器c5a(圖1)從第一選擇柵線(未示出)向第一選擇柵極g2a可施加0v的柵截止電壓，向源區(qū)域d1可施加0v的源截止電壓。由此，存儲(chǔ)器單元3a的第一選擇柵構(gòu)造體5a中，與第一選擇柵極g2a相對(duì)的存儲(chǔ)器阱w1成為非導(dǎo)通狀態(tài)，從而可阻斷源區(qū)域d1與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的溝道層的電連接。

另外，進(jìn)一步，第二選擇柵構(gòu)造體6a中，通過(guò)接觸器c6a(圖1)從第二選擇柵線(未示出)向第二選擇柵極g3a可施加1.5v的第二選擇柵電壓，向漏區(qū)域d2可施加1.5v的斷電壓。由此，所述第二選擇柵構(gòu)造體6a中，與第二選擇柵極g3a相對(duì)的存儲(chǔ)器阱w1成為非導(dǎo)通狀態(tài)，從而可阻止漏區(qū)域d2與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的溝道層的電連接。

這樣，存儲(chǔ)器單元3a的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a中，在兩側(cè)的第一選擇柵構(gòu)造體5a和第二選擇柵構(gòu)造體6a的下部存儲(chǔ)器阱w1成為非導(dǎo)通狀態(tài)，因此，成為通過(guò)存儲(chǔ)器柵極g1a在存儲(chǔ)器阱w1表面形成的溝道層可處于與漏區(qū)域d2和源區(qū)域d1的電連接被阻斷的狀態(tài)，在所述溝道層的周邊可形成耗盡層。

在此，存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a中，上部柵絕緣膜23b、電荷存儲(chǔ)層ec及下部柵絕緣膜23a的三層結(jié)構(gòu)所得到的電容(以下，稱為柵絕緣膜電容)c2和形成在存儲(chǔ)器阱w1內(nèi)、且包圍溝道層的耗盡層的電容(以下，稱為耗盡層電容)c1可以視為串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)，因此，例如假設(shè)柵絕緣膜電容c2為耗盡層電容c1的三倍時(shí)，溝道層的溝道電位vch可以通過(guò)下述式得出9v。

[數(shù)1]

由此，存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a中，即使向存儲(chǔ)器柵極g1a被施加12v的電荷存儲(chǔ)柵電壓，存儲(chǔ)器阱w1中被耗盡層包圍的溝道層的溝道電位vch成為9v，因此，存儲(chǔ)器柵極g1a與溝道層之間的電壓差成為3v而較小，結(jié)果，不會(huì)發(fā)生量子隧道效應(yīng)，從而能夠阻止電荷注入到電荷存儲(chǔ)層ec。

進(jìn)一步，所述存儲(chǔ)器單元3a中，在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a與第一選擇柵構(gòu)造體5a之間的存儲(chǔ)器阱w1的區(qū)域和存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a與第二選擇柵構(gòu)造體6a之間的存儲(chǔ)器阱w1的區(qū)域，沒(méi)有形成有雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域，因此，在形成于存儲(chǔ)器阱w1表面周邊的溝道層的周邊，能夠可靠地形成耗盡層，從而通過(guò)所述耗盡層能夠阻止溝道電位vch從溝道層到達(dá)第一選擇柵構(gòu)造體5a和第二選擇柵構(gòu)造體6a的各柵絕緣膜25a、25b。

由此，存儲(chǔ)器單元3a中，即使相應(yīng)于漏區(qū)域d2的低電壓的位電壓和源區(qū)域d1的低電壓的源電壓將第一選擇柵構(gòu)造體5a和第二選擇柵構(gòu)造體6a的柵絕緣膜25a、25b的各膜厚度形成得薄，由于可以通過(guò)耗盡層阻斷溝道層的溝道電位vch到達(dá)柵絕緣膜25a、25b，因此能夠防止基于溝道電位vch的柵絕緣膜25a、25b的絕緣被破壞。

(2)半導(dǎo)體裝置的制造方法

對(duì)于具有上述的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置1，通過(guò)下面所述的制造工序，將接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b和能夠獨(dú)立地控制的第一選擇柵極g2a、g2b及第二選擇柵極g3a、g3b至少可通過(guò)光掩膜工序來(lái)制造。圖5示出圖1的a-a′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)。在這種情況下，首先，如圖5a所示，準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板s，然后通過(guò)淺溝道隔離(shallowtrenchisolation；sti)法等，在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1及周邊電路區(qū)域er2的境界等其他預(yù)定位置形成由絕緣部件構(gòu)成的元件隔離層20。

接著，為了注入雜質(zhì)，通過(guò)熱氧化法等在半導(dǎo)體基板s表面形成犧牲氧化膜30a，然后例如通過(guò)離子注入法向周邊電路區(qū)域er2注入p型雜質(zhì)或者n型雜質(zhì)，由此形成p型邏輯阱w2和n型邏輯阱w3。

接著，使用專門用于存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1加工的第一光掩膜(未示出)，利用光刻法技術(shù)和蝕刻技術(shù)對(duì)抗蝕劑實(shí)施圖案化處理，如與圖5a對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖5b所示，形成使存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1露出、且覆蓋周邊電路區(qū)域er2的抗蝕劑rm1。

接著，通過(guò)經(jīng)圖案化處理的抗蝕劑rm1，只向存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1注入p型雜質(zhì)，形成存儲(chǔ)器阱w1。進(jìn)一步，向存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1表面注入n型雜質(zhì)，在與之后形成的存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b和側(cè)壁隔片27a(圖2)相對(duì)的基板表面形成溝道形成層(未示出)，然后將所述抗蝕劑rm1照原樣使用，利用氟酸等來(lái)去除存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的犧牲氧化膜30a(第一光掩膜加工工序)。

并且，第一光掩膜加工工序中，作為半導(dǎo)體基板s使用p型基板的情況下，可以省略通過(guò)向半導(dǎo)體基板s注入p型雜質(zhì)來(lái)形成存儲(chǔ)器阱w1的工序。

接著，在去除抗蝕劑rm1后，如與圖5b對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖5c所示，在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1和周邊電路區(qū)域er2的整個(gè)表面，形成依次將下部柵絕緣膜23a、電荷存儲(chǔ)層ec及上部柵絕緣膜23b以層狀層疊的ono膜，然后在上部柵絕緣膜23b上形成將成為存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b的層狀的存儲(chǔ)器柵極用導(dǎo)電層35。接著，利用熱氧化法或化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition；cvd)法等，在存儲(chǔ)器柵極用導(dǎo)電層35上形成由絕緣部件構(gòu)成的保護(hù)絕緣膜30b。

接著，使用專門用于存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1加工的第二光掩膜(未示出)，利用光刻法技術(shù)和蝕刻技術(shù)對(duì)抗蝕劑實(shí)施圖案化處理，如與圖5c對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖6a所示，僅在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b的形成預(yù)定位置和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的形成預(yù)定位置形成抗蝕劑rm2，通過(guò)利用所述抗蝕劑rm2對(duì)存儲(chǔ)器柵極用導(dǎo)電層35實(shí)施圖案化處理，形成存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b和與所述存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b分割的小片的存儲(chǔ)器柵極g8a、g9a、g8b，g9b(第二光掩膜加工工序)。

在該實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器柵極用導(dǎo)電層35通過(guò)抗蝕劑rm2可被圖案化處理為使得存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)和與所述存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)分割的小片的存儲(chǔ)器柵極g8a、g9a(g8b、g9b)配置在同一直線上。

另外，如圖7所示，此時(shí)，在利用抗蝕劑rm2形成的存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)的側(cè)壁與小片的存儲(chǔ)器柵極g8a、g9a(g8b、g9b)的側(cè)壁之間，形成相隔規(guī)定距離且相對(duì)配置的電極間區(qū)域gp2。

接著，去除抗蝕劑rm2后，如與圖6a對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖6b所示，將存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b和小片的存儲(chǔ)器柵極g8a、g9a、g8b，g9b的各形成位置以外露出的上部柵絕緣膜23b和電荷存儲(chǔ)層ec依次去除(去除on膜)，形成與經(jīng)圖案化處理的存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b和小片的存儲(chǔ)器柵極g8a、g9a、g8b，g9b一同殘留的上部柵絕緣膜23b和電荷存儲(chǔ)層ec。

由此，在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1可形成依次層疊下部柵絕緣膜23a、電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a(4b)，另外，柵接觸和阻斷區(qū)域er12、er13中，在元件隔離層20上可形成與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a(4b)一樣電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)依次層疊的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a(10b、11b)(接觸器構(gòu)造體形成工序)。

接著，如與圖6b對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖6c所示，在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1和周邊電路區(qū)域er2的整個(gè)表面形成保護(hù)絕緣膜30c。順便說(shuō)一下，雖然在該實(shí)施方式中對(duì)在整個(gè)表面形成一層保護(hù)絕緣膜30c的情況進(jìn)行說(shuō)明，但是，本發(fā)明并不限定于此，例如，還可以在整個(gè)表面形成依次層疊氧化膜系絕緣膜和氮化膜系絕緣膜的兩層保護(hù)絕緣膜。

在此形成的保護(hù)絕緣膜30c將成為之后形成在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a(4b)和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a(10a、11b)的各側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a、27c，因此，其厚度相當(dāng)于上述的式dp＜(2×dsp)﹢(2×dsw)中表示的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的存儲(chǔ)器柵極g8a與第一選擇柵極g2a之間的側(cè)壁隔片27c的厚度的dsp。因此，保護(hù)絕緣膜30c形成為滿足上述的式dp＜(2×dsp)﹢(2×dsw)。

接著，通過(guò)對(duì)保護(hù)絕緣膜30c實(shí)施回蝕處理，如與圖6c對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖8a所示，形成覆蓋存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b的周邊的側(cè)壁隔片27a，同時(shí)形成覆蓋圖中未示出的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的周邊的側(cè)壁隔片27c(側(cè)壁隔片形成工序)。接著，使用專門用于存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的加工的第三光掩膜(圖中未示出)，利用光刻法技術(shù)和蝕刻技術(shù)對(duì)抗蝕劑實(shí)施圖案化處理，如與圖8a對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖8b所示，形成覆蓋周邊電路區(qū)域er2的整個(gè)表面且使存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1露出的抗蝕劑rm3。

接著，利用所述抗蝕劑rm3，向成為第一選擇柵構(gòu)造體5a、5b(圖2)的形成預(yù)定位置和第二選擇柵構(gòu)造體6a、6b(圖2)的形成預(yù)定位置的存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1注入雜質(zhì)，在之后形成的第一選擇柵極g2a、g2b和第二選擇柵極g3a、g3b相對(duì)的基板表面上形成溝道形成層(圖中未示出)(第三光掩膜加工工序)。

接著，去除抗蝕劑rm3，然后利用氟酸等來(lái)去除周邊電路區(qū)域er2的犧牲氧化膜30a，如與圖8b對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖8c所示，通過(guò)熱氧化法等，在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的第一選擇柵極g2a、g2b(圖1)和第二選擇柵極g3a、g3b(圖1)的形成預(yù)定位置形成柵絕緣膜25a、25b的同時(shí)，在周邊電路區(qū)域er2的邏輯柵極g5、g6(圖1)的形成預(yù)定位置形成柵絕緣膜29a、29b。

接著，如與圖8c對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖9a所示，在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1和周邊電路區(qū)域er2，通過(guò)之后的加工形成將成為第一選擇柵極g2a、g2b、第二選擇柵極g3a、g3b及一邏輯柵極g5的、層狀的例如n型的導(dǎo)電層37，同時(shí)在周邊電路區(qū)域er2形成將成為另一邏輯柵極g6的層狀的p型反向?qū)щ妼?8。

接著，使用專門用于存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1加工的第四光掩膜(圖中未示出)，利用光刻法技術(shù)和蝕刻技術(shù)對(duì)抗蝕劑實(shí)施圖案化處理，利用所述抗蝕劑加工存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的導(dǎo)電層37(第四光掩膜加工工序(選擇柵極形成用光掩膜加工工序))。如與圖9a對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖9b所示，通過(guò)抗蝕劑rm4，覆蓋周邊電路區(qū)域er2的整個(gè)表面，并對(duì)露出于存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的導(dǎo)電層37(圖9a)進(jìn)行回蝕。由此，周邊電路區(qū)域er2中，被抗蝕劑rm4覆蓋的導(dǎo)電層37和反向?qū)щ妼?8照原樣殘留。另外，存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1中，露出的導(dǎo)電層37被回蝕，沿著存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c形成側(cè)壁形狀的選擇柵極ga、gb。

并且，圖10是相對(duì)于圖1所示的完成時(shí)的半導(dǎo)體裝置1的存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的平面布局，疊加沿著各存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的周邊形成的側(cè)壁形狀的選擇柵極ga、gb時(shí)的示意圖。

如圖10所示，未分割狀態(tài)的選擇柵極ga中，圍繞存儲(chǔ)器柵極g1a的周邊的區(qū)域和圍繞與存儲(chǔ)器柵極g1a電隔離的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a的周邊的區(qū)域一體地形成，存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a與接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c相對(duì)的區(qū)域gp1可無(wú)間隙地形成。

并且，在該實(shí)施方式中，非隔離狀態(tài)的選擇柵極ga中，存儲(chǔ)器柵極ga以直線形狀形成，因此，以包圍向一方向延伸的存儲(chǔ)器柵極g1a的周邊的方式圍繞的長(zhǎng)四邊形的區(qū)域和以包圍接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a的各周邊的方式圍繞的短四邊形的各區(qū)域具有一體地形成的形狀。

其中，形成在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的導(dǎo)電層37和通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電層37實(shí)施回蝕來(lái)形成的選擇柵極ga、gb中，導(dǎo)電層37的膜厚度和所述導(dǎo)電層37的回蝕條件被設(shè)定為滿足上述式dp＜(2×dsp)﹢(2×dsw)。

通過(guò)將各工序的制造條件設(shè)定為滿足所述式，如示出圖10的d-d′部分的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)的圖11所示，在存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a與接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c相對(duì)配置的區(qū)域gp1，即使對(duì)導(dǎo)電層37實(shí)施回蝕處理后，所述導(dǎo)電層37仍然無(wú)間隙地殘留，結(jié)果，從存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a到接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c可形成選擇柵極ga。

并且，形成在存儲(chǔ)器柵極g1a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a與接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的側(cè)壁的側(cè)壁隔片27c之間的選擇柵極ga是通過(guò)導(dǎo)電層37被回蝕處理來(lái)形成，因此，在離相對(duì)配置的各側(cè)壁隔片27a、27c最遠(yuǎn)的、側(cè)壁隔片27a、27c之間的大致中心附近上，選擇柵極ga的膜厚度形成為最薄，在側(cè)壁隔片27a、27c之間的中心附近頂部表面朝向基板表面以“く”狀凹陷。

并且，此時(shí)，如圖9b所示，向沒(méi)有被抗蝕劑rm4覆蓋的存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1，可以通過(guò)離子注入法等注入低濃度的n型雜質(zhì)，在向外部露出的存儲(chǔ)器阱w1的表面形成延伸區(qū)域eta，然后，去除抗蝕劑rm4。

接著，在該實(shí)施方式中，使用光掩膜(圖中未示出)，利用光刻法技術(shù)和蝕刻技術(shù)對(duì)抗蝕劑實(shí)施圖案化處理，利用所述抗蝕劑對(duì)周邊電路區(qū)域er2的導(dǎo)電層37和反向?qū)щ妼?8實(shí)施圖案化處理，在柵絕緣膜29a、29b上形成邏輯柵極g5、g6，此時(shí)可以照原樣利用在形成邏輯柵極g5、g6時(shí)使用的抗蝕劑，同時(shí)去除存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的選擇柵極ga、gb的一部分。

在該實(shí)施方式中，如與圖9a對(duì)應(yīng)的部分使用相同符號(hào)的圖12a所示，周邊電路區(qū)域er2中，在邏輯柵構(gòu)造體7a、7b的形成預(yù)定位置配置以與之后形成的所述邏輯柵構(gòu)造體7a、7b的外廓形狀匹配地形成的抗蝕劑rr1a。由此，周邊電路區(qū)域er2中，向外部露出的導(dǎo)電層37和反向?qū)щ妼?8被去除，而被抗蝕劑rr1a覆蓋的導(dǎo)電層37和反向?qū)щ妼?8將殘留。這樣，在周邊電路區(qū)域er2形成與抗蝕劑rr1a的外廓形狀匹配的邏輯柵極g5、g6，在柵絕緣膜29a、29b上形成層疊邏輯柵極g5、g6的邏輯柵構(gòu)造體7a、7b。

此時(shí)，存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1中，整個(gè)表面幾乎都被抗蝕劑rr1b覆蓋，其中只有在選擇柵極阻斷部13、14、15、16的形成預(yù)定位置，以與所述柵極切斷部13、14、15、16的外廓形狀匹配地在抗蝕劑rr1b形成開(kāi)口部。

在此，圖10示出選擇柵極ga、gb的一部分被去除而形成選擇柵極阻斷部13、14、15、16的形成預(yù)定位置pf1、pf2、pf3、pf4。配置在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的抗蝕劑rr1b中，只有在這些形成預(yù)定位置pf1、pf2、pf3、pf4形成開(kāi)口部，通過(guò)去除從所述抗蝕劑rr1b的開(kāi)口部露出的選擇柵極ga、gb的導(dǎo)電層，以與所述抗蝕劑rr1b的開(kāi)口部的外廓形狀匹配的方式形成分割選擇柵極ga、gb的選擇柵極阻斷部13、14、15、16。

例如，圖12b示出在圖1的b-b′部分形成選擇柵極阻斷部13、15時(shí)的側(cè)剖面結(jié)構(gòu)。抗蝕劑rr1b的開(kāi)口部h1、h3中，去除露出的選擇柵極ga、gb，形成具有如圖12b所示的所述抗蝕劑rr1b的開(kāi)口部h1、h3的外廓形狀的選擇柵極阻斷部13、15。

并且，此時(shí)，抗蝕劑rr1b的開(kāi)口部h1、h3中除了露出選擇柵極gb之外，還露出側(cè)壁隔片27a和柵絕緣膜29b。因此，此時(shí)，從抗蝕劑rr1b的開(kāi)口部h1、h3露出的側(cè)壁隔片27a和柵絕緣膜25a也可被去除一部分。由此，從開(kāi)口部h1、h3露出的區(qū)域因側(cè)壁隔片27a被去除而在側(cè)壁隔片27a的頂部附近可形成缺損部40的同時(shí)，通過(guò)去除柵絕緣膜25a以及元件隔離層20的一部分表面來(lái)在所述元件隔離層20上可形成塌陷的凹陷部30。

如此，存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1中，在選擇柵極ga(gb)的多個(gè)位置，通過(guò)去除所述選擇柵極ga(gb)來(lái)分割選擇柵極ga(gb)。這樣，能夠從一體的選擇柵極ga(gb)設(shè)置第一選擇柵極g2a(g2b)和第二選擇柵極g3a(g3b)，所述第一選擇柵極g2a(g2b)包圍一接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a(10b)，且沿著存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)的一側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a以側(cè)壁形狀形成，所述第二選擇柵極g3a(g3b)包圍另一接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a(11b)，且沿著存儲(chǔ)器柵極g1a(g1b)的另一側(cè)壁的側(cè)壁隔片27a以側(cè)壁形狀形成。

然后，例如通過(guò)灰化等來(lái)去除抗蝕劑rr1a、rr1b后，使用被圖案化為n型用或p型用的抗蝕劑，在周邊電路區(qū)域er2，通過(guò)離子注入法等注入n型雜質(zhì)或者p型雜質(zhì)，如圖12a(然而，在圖12a中照樣示出利用該工序應(yīng)被去除的抗蝕劑rr1a、rr1b)所示，在向外部露出的一邏輯阱w2的基板表面形成有n型延伸區(qū)域eta的同時(shí)，在同樣地向外部露出的另一邏輯阱w3的基板表面形成有p型延伸區(qū)域etb。

接著，去除所述抗蝕劑后，經(jīng)過(guò)形成側(cè)壁sw的工序和其他工序，如通過(guò)離子注入法等向所需的位置注入高濃度的n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)來(lái)形成源區(qū)域d1、d3和漏區(qū)域d2的工序、形成硅化物sc的工序等后，以覆蓋所述存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b、周邊電路18、19的方式形成層間絕緣層21。

接著，從一接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a(10b)的頂部跨著第一選擇柵極g2a(g2b)而到基板表面，在層間絕緣層21形成接觸器孔。另外，從另一接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a(11b)的頂部跨著第二選擇柵極g3a(g3b)而到基板表面，在層間絕緣膜21形成接觸器孔。進(jìn)一步，此時(shí)，在其他所需的位置的層間絕緣層21也形成接觸器孔。

接著，通過(guò)向各接觸器孔注入導(dǎo)電部件來(lái)在各接觸器孔形成柱狀的接觸器c1、c2、c3、…等。此時(shí)，例如，關(guān)注接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、11b、11b中的一個(gè)接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a時(shí)，可以形成從接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的平坦的頂部跨著第一選擇柵極g2a而到基板表面立設(shè)的具有長(zhǎng)方形剖面的接觸器c5a。通過(guò)依次實(shí)施所述各工序，可以制造具有如圖1、圖2、圖3及圖4所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置1。

(3)作用及效果

對(duì)于以上結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體裝置1中，設(shè)置接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a(10b、11b)，其具有與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a(4b)一樣的依次層疊電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g8a、g9a(g8b、g9b)的結(jié)構(gòu)，且與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a(4b)電隔離。另外，半導(dǎo)體裝置1中，設(shè)置有從存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a(4b)到一接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a(10b、11b)連續(xù)設(shè)置的側(cè)壁形狀的第一選擇柵極g2a(g2b)和第二選擇柵極g3a(g3b)。

另外，半導(dǎo)體裝置1中，設(shè)置有一接觸器c5a(c5b)和另一接觸器c6a(c6b)，所述一接觸器c5a(c5b)立設(shè)在從一接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a(10b)的頂部跨著側(cè)壁隔片27c和第一選擇柵極g2a(g2b)而到基板表面的區(qū)域，所述另一接觸器c6a(c6b)立設(shè)在從另一接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a(11b)的頂部跨著側(cè)壁隔片27c和第二選擇柵極g3a(g3b)而到基板表面的區(qū)域，并且，通過(guò)一接觸器c5a(c5b)電連接第一選擇柵極g2a(g2b)與上層的一配線層，通過(guò)另一接觸器c6a(c6b)電連接第二選擇柵極g3a(g3b)與上層的另一配線層。

因此，半導(dǎo)體裝置1中，例如從與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a一樣由電荷存儲(chǔ)層ec、上部柵絕緣膜23b及存儲(chǔ)器柵極g8a的層構(gòu)成的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的平坦的頂部跨至第一選擇柵極g2a設(shè)置了接觸器c5a，因此，不具有如現(xiàn)有的升起到存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體110的頂部的升起部102b(圖13)，相應(yīng)地可縮短離上層的配線層的距離，能夠降低接觸器c2等的長(zhǎng)徑比，從而能夠防止接觸器的阻抗增大。另外，半導(dǎo)體裝置1中，由于不具有如現(xiàn)有的升起到存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體110的頂部的升起部102b，因此，能夠相應(yīng)地使接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a和上層的配線層離遠(yuǎn)，因此能夠防止與上層的配線層的接觸不良。

另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1的制造方法中，通過(guò)在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1依次對(duì)層狀的存儲(chǔ)器柵極用導(dǎo)電層35、層狀的上部柵絕緣膜23b及層狀的電荷存儲(chǔ)層ec實(shí)施圖案化處理來(lái)形成由存儲(chǔ)器柵極g1a、上部柵絕緣膜23b、電荷存儲(chǔ)層ec、下部柵絕緣膜23a構(gòu)成的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b時(shí)，形成借用與所述存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b相同的層而形成且與存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b電隔離的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b(圖6a和圖7)。

另外，半導(dǎo)體裝置1的制造方法中，在形成有由側(cè)壁隔片27a、27c覆蓋的存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1(圖8a)和周邊電路區(qū)域er2形成柵絕緣膜25a、25b、25c、29a、29b，然后在所述柵絕緣膜25a、25b、25c、29a、29b上形成導(dǎo)電層37和反向?qū)щ妼?8(圖9a)，然后使周邊電路區(qū)域er2的導(dǎo)電層37和反向?qū)щ妼?8照原樣殘留，而對(duì)存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的導(dǎo)電層37實(shí)施回蝕處理。

由此，半導(dǎo)體裝置1的制造方法中，可以形成在存儲(chǔ)器柵極4a、4b和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的周邊連續(xù)設(shè)置、且沿著側(cè)壁隔片27a、27c以側(cè)壁形狀形成的選擇柵極ga、gb(圖9b、圖10及圖11)。

進(jìn)一步，在該半導(dǎo)體裝置1的制造方法中，利用通過(guò)光掩膜被圖案化處理的抗蝕劑rr1a來(lái)對(duì)周邊電路區(qū)域er2的導(dǎo)電層37和反向?qū)щ妼?8實(shí)施圖案化處理，由此在柵絕緣膜29a、29b上形成邏輯柵極g5、g6，并且照原樣利用形成所述邏輯柵極g5、g6時(shí)使用的抗蝕劑rr1a、rr1b，來(lái)去除存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的選擇柵極ga、gb的一部分，使得所述選擇柵極ga、gb分割。

由此，半導(dǎo)體裝置1的制造方法中，可以形成包圍一接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a(10b)的周邊的第一選擇柵極g2a(g2b)和與所述第一選擇柵極g2a(g2b)電隔離且包圍另一接觸器設(shè)置構(gòu)造體11a(11b)的周邊的第二選擇柵極g3a(g3b)(圖12、圖13)。

這樣，半導(dǎo)體裝置1的制造方法中，在實(shí)施形成周邊電路區(qū)域er2的邏輯柵極g5、g6的光掩膜工序時(shí)，同時(shí)分割存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的選擇柵極ga、gb，從而可以形成沿著存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b相對(duì)配置且電隔離的第一選擇柵極g2a、g2b和第二選擇柵極g3a、g3b。

另外，半導(dǎo)體裝置1的制造方法中，在以覆蓋存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f和接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b等的方式形成層間絕緣層21后，從接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的頂部跨著第一選擇柵極g2a、g2b或第二選擇柵極g3a、g3b的任一方而穿設(shè)接觸器孔，在所述接觸器孔中填充導(dǎo)電部件。

由此，本發(fā)明中，可以形成從接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的頂部跨著第一選擇構(gòu)造體5a、5b或第二選擇柵構(gòu)造體6a、6b的任一方的接觸器c5a、c5b、c6a、c6b，可以通過(guò)所述接觸器c5a、c5b、c6a、c6b，連接位于存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、5b上層的配線層與第一選擇柵極g2a、g2b或第二選擇柵極g3a、g3b。

(4)省略第三光掩膜加工工序的另一實(shí)施方式的制造方法

上述的實(shí)施方式中，關(guān)注利用專門用于存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的加工的專用光掩膜對(duì)抗蝕劑實(shí)施圖案化處理的專用光掩膜工序，總共實(shí)施第一光掩膜加工工序、第二光掩膜加工工序、第三光掩膜加工工序及用于形成選擇柵極的第四光掩膜加工工序(用于形成選擇柵極的光掩膜加工工序)四個(gè)工序，但是，本發(fā)明并不限定于此，也可以總共實(shí)施第一光掩膜加工工序、第二光掩膜加工工序及用于形成選擇柵極的光掩膜加工工序(對(duì)應(yīng)于所述第四光掩膜加工工序)，而不實(shí)施第三光掩膜加工工序的雜質(zhì)注入。

即，即使不實(shí)施第三光掩膜工序的雜質(zhì)注入也最終形成的第一選擇柵構(gòu)造體5a、5b和第二選擇柵構(gòu)造體6a、6b的閾值電壓(vth)達(dá)到期望的值時(shí)，無(wú)需進(jìn)行第三光掩膜加工工序，因此可以省略所述第三光掩膜加工工序。

實(shí)際上，省略所述第三光掩膜加工工序的制造方法中，如圖8a所示，在形成覆蓋存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a、4b(圖6b)的周邊的側(cè)壁隔片27a(側(cè)壁隔片形成工序)后，利用氟酸等來(lái)去除周邊電路區(qū)域er2的犧牲氧化膜30a，如圖8c所示，通過(guò)熱氧化法等，在存儲(chǔ)器電路區(qū)域er1的第一選擇柵極g2a、g2b(圖1)和第二選擇柵極g3a、g3b(圖1)的形成預(yù)定位置上形成柵絕緣膜25a、25b的同時(shí)，在周邊電路區(qū)域er2的邏輯柵極g5、g6(圖1)的形成預(yù)定位置上也形成柵絕緣膜29a、29b。然后，與上述的實(shí)施方式的制造方法一樣，可以經(jīng)過(guò)圖9～圖12所示的制造工序制造圖1所示的半導(dǎo)體集成電路裝置1。

省略第三光掩膜加工工序的所述實(shí)施方式中，對(duì)于一般的周邊電路的制造工序，可以僅增加相當(dāng)于3個(gè)光掩膜的制造工序，能夠組裝存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f，其中，以?shī)A住存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b的方式配置有第一選擇柵極g2a、g2b和第二選擇柵極g3a、g3b，且能夠獨(dú)立地控制第一選擇柵極g2a、g2b和第二選擇柵極g3a、g3b。

(5)其他實(shí)施方式

并且，本發(fā)明并不限定于本實(shí)施方式，在本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形實(shí)施，例如，存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f的數(shù)量、周邊電路18、19的數(shù)量、接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、10b、11b的數(shù)量、選擇柵極阻斷部13、14、15、16的數(shù)量等可以采用各種數(shù)量，另外，存儲(chǔ)器阱w1和邏輯阱w2、w3的導(dǎo)電型也可以是n型或p型的任何一種。進(jìn)一步，可以設(shè)置三個(gè)以上的接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a、…，或者可以設(shè)置三個(gè)以上的選擇柵極阻斷部。

另外，上述的實(shí)施方式中，作為選擇柵極對(duì)適用了通過(guò)選擇柵極阻斷部13、14、15、16來(lái)分割未分割的選擇柵極ga、gb且能夠獨(dú)立地進(jìn)行控制的第一選擇柵極g2a、g2b和第二選擇柵極g3a、g3b的情況進(jìn)行了說(shuō)明。

但是，本發(fā)明并不限定于此，也可以將未分割而一體形成的選擇柵極ga、gb無(wú)需分割，而是可以將包圍存儲(chǔ)器柵極g1a、g1b狀態(tài)的選擇柵極ga、gb作為側(cè)壁型柵極來(lái)照原樣使用。在這種情況下，圖10中，例如兩個(gè)接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a中，一個(gè)接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a可以設(shè)置在選擇柵極ga中。這樣的半導(dǎo)體裝置中，通過(guò)將接觸器c5a以從接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a的頂部跨著側(cè)壁隔片27a和選擇柵極ga的方式立設(shè)，由此從一個(gè)接觸器c5a向選擇柵極ga施加電壓，從而能夠與存儲(chǔ)器柵極g1a不同地獨(dú)立地控制選擇柵極ga，能夠得到與上述的實(shí)施方式相同的效果。

并且，上述的實(shí)施方式中，說(shuō)明了如下的情況：作為選擇柵極阻斷部，通過(guò)去除選擇柵極ga的一部分來(lái)進(jìn)行了物理性阻斷，由此從選擇柵極ga形成第一選擇柵極g2a和第二選擇柵極g3a。但是，本發(fā)明并不限定于此，例如，也可以在選擇柵極ga上設(shè)置具有反向?qū)щ娦偷姆聪驅(qū)щ娦碗姌O阻斷層或者本征半導(dǎo)體層的選擇柵極阻斷部，通過(guò)選擇柵極阻斷部，在選擇柵極形成pin接合結(jié)構(gòu)、nin接合結(jié)構(gòu)、pip接合結(jié)構(gòu)、npn接合結(jié)構(gòu)或pnp接合結(jié)構(gòu)，使選擇柵極電隔離而形成第一選擇柵極g2a和第二選擇柵極g3a。

另外，上述的實(shí)施方式中，說(shuō)明了如下的情況：作為選擇柵極，設(shè)置了選擇性地向與存儲(chǔ)器柵極g1a相對(duì)的基板表面的溝道層施加電壓的第一選擇柵極g2a和第二選擇柵極g3a。但是，本發(fā)明并不限定于此，也可以是，對(duì)于存儲(chǔ)器柵極g1a，設(shè)置具有選擇所述存儲(chǔ)器柵極g1a的功能的第一選擇柵極g2a或第二選擇柵極g3a中的任何一個(gè)。

進(jìn)一步，上述的實(shí)施方式中，首先對(duì)形成存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a的半導(dǎo)體裝置1進(jìn)行說(shuō)明，但是，本發(fā)明并不限定于此，也可以適用于形成柵極和在所述柵極夾著側(cè)壁隔片形成側(cè)壁型柵極的各種半導(dǎo)體裝置中。

雖然例如，在存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體4a設(shè)置電荷存儲(chǔ)層ec，但是半導(dǎo)體裝置還可以是：柵構(gòu)造體中沒(méi)有設(shè)置電荷存儲(chǔ)層，而是在基板上夾著柵絕緣膜具有柵極，并且設(shè)置具有由與所述柵極相同層形成的隔離柵極并與柵構(gòu)造體電隔離的接觸器設(shè)置構(gòu)造體。在這種情況下，半導(dǎo)體裝置中，設(shè)置有從柵構(gòu)造體到接觸器設(shè)置構(gòu)造體連續(xù)設(shè)置的側(cè)壁型柵極，以從接觸器設(shè)置構(gòu)造體的頂部跨著側(cè)壁隔片和側(cè)壁型柵極的方式立設(shè)有接觸器。

進(jìn)一步，在其他實(shí)施方式中，也可以從柵構(gòu)造體到接觸器設(shè)置構(gòu)造體連續(xù)設(shè)置的側(cè)壁型柵極與基板表面之間夾著柵絕緣膜設(shè)置電荷存儲(chǔ)層。在這種情況下，具有側(cè)壁型柵極的側(cè)壁型柵構(gòu)造體具有依次層疊下部柵絕緣膜、電荷存儲(chǔ)層、上部柵絕緣膜及存儲(chǔ)器柵極的結(jié)構(gòu)。另外，在側(cè)壁夾著側(cè)壁隔片形成有側(cè)壁型柵構(gòu)造體的柵構(gòu)造體中，在基板上夾著柵絕緣膜配置有柵極，接觸器設(shè)置構(gòu)造體的結(jié)構(gòu)可以是具有與柵極相同層的隔離柵極的結(jié)構(gòu)。

另外，上述的實(shí)施方式中，可以使接觸器設(shè)置構(gòu)造體10a、11a和選擇柵極阻斷部13、14等形成在各種不同的位置。

順便說(shuō)一下，上述的實(shí)施方式中，作為周邊電路18、19，除了適用于形成在與存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f相同區(qū)域的讀出放大器、列譯碼器、行譯碼器等其他各種周邊電路(直接周邊電路)之外，還可以適用于形成在與存儲(chǔ)器單元3a、3b、3c、3d、3e、3f不同區(qū)域的cpu(centralprocessingunit)、asic(application-specificintegratedcircuit)、輸入輸出電路等其他各種周邊電路。

附圖標(biāo)記的說(shuō)明

1：半導(dǎo)體裝置

3a、3b、3c、3d、3e、3f：存儲(chǔ)器單元

4a、4b：存儲(chǔ)器柵構(gòu)造體(柵構(gòu)造體)

5a、5b：第一選擇柵構(gòu)造體

6a、6b：第二選擇柵構(gòu)造體

10a、11a、10b、11b：接觸器設(shè)置構(gòu)造體

ga、gb：選擇柵極(側(cè)壁型柵極)

g1a、g1b：存儲(chǔ)器柵極(柵極)

g2a、g2b：第一選擇柵極(側(cè)壁型柵極)

g3a、g3b：第二選擇柵極(側(cè)壁型柵極)

g8a、g8b、g9a、g9b：存儲(chǔ)器柵極(隔離存儲(chǔ)器柵極)

ec：電荷存儲(chǔ)層

20：元件隔離層(基板)

23a：下部柵絕緣膜

23b：上部柵絕緣膜

rrla、rrlb：抗蝕劑

w1：存儲(chǔ)器阱(基板)

w2、w3：邏輯阱(基板)