技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明涉及半導體裝置及其制造方法，在半導體裝置(1)中，以從與存儲器柵構(gòu)造體(4a)相同結(jié)構(gòu)構(gòu)成的接觸器設置構(gòu)造體(10a)的頂部跨至第一選擇柵極(G2a)的方式設置了接觸器(C5a)，因此，不存在如現(xiàn)有的升起到存儲器柵構(gòu)造體(110)頂部的升起部(102b)(圖13)，相應地可縮短離上層的配線層的距離，能夠降低長徑比，從而能夠防止接觸器的阻抗增大。而且，由于不存在如現(xiàn)有的升起到存儲器柵構(gòu)造體(110)頂部的升起部(102b)，相應地還能夠使接觸器設置構(gòu)造體(10a)和上層的配線層離遠，因此能夠防止與上層的配線層的接觸不良。

技術研發(fā)人員：谷口泰弘;川嶋泰彥;葛西秀男;櫻井良多郎;品川裕;奧山幸祐
受保護的技術使用者：株式會社佛羅迪亞
技術研發(fā)日：2015.10.06
技術公布日：2017.08.29