本公開內容的實施方式大體關于基板處理配備。

背景技術：

處理配件屏蔽件可被用在例如物理氣相沉積(pvd)腔室中，以分離處理容積和非處理容積。在配置以在基板上沉積鋁的pvd腔室中，處理配件屏蔽件可例如由不銹鋼(sst)所制成。當在處理期間沉積在處理配件屏蔽件上的鋁層可被優(yōu)先地從基底的sst屏蔽材料蝕刻去除時，sst處理配件屏蔽件可被再循環(huán)多次。然而，發(fā)明人已經(jīng)持續(xù)研究，與傳統(tǒng)鋁沉積處理相比，使用顯著增加的處理功率和沉積時間而在基板上沉積相對厚的鋁膜。

對于較厚的鋁沉積處理而言，發(fā)明人已經(jīng)觀察到處理配件屏蔽件的溫度升高到足以非期望的導致在基板上的晶須生長。發(fā)明人認為當圍繞基板的處理配件不具有足夠的時間以在后續(xù)的處理之間冷卻時，晶須形成。沉積處理加熱基板顯著地多于經(jīng)加熱的基板支撐件。因為基板被靜電地夾持至底座，晶片不會因在厚鋁膜和基板(例如，硅)之間的熱膨脹系數(shù)(cte)的不匹配所導致的熱應力而自由地彎曲。當基板上的膜應力變得足夠高時，晶須從膜蹦出，以減少膜應力。發(fā)明人已經(jīng)進一步觀察到在圍繞基板的結構中的高溫也不利地影響沉積在基板上的鋁膜的反射率。蓋環(huán)和屏蔽件的溫度在經(jīng)由熱輻射冷卻基板時，和在最小化晶須形成時，起到重要的作用。

而且，當處理配件遭遇來自等離子體加熱的熱循環(huán)和當?shù)入x子體被關閉的后續(xù)冷卻時，沉積在處理配件上的薄膜經(jīng)受由薄膜和下方的部件材料之間的熱膨脹系數(shù)的不匹配所導致的熱應力。當那應力超過黏著的限制時，顆粒從處理配件剝落并落到基板上。

因此，發(fā)明人已經(jīng)提供如在此所公開的改良的處理配件屏蔽件的實施方式。

技術實現(xiàn)要素：

在此提供處理配件屏蔽件和含有處理配件屏蔽件的處理腔室的實施方式。在一些實施方式中，單件式處理配件屏蔽件包括：圓柱形主體，所述圓柱形主體具有上部和下部；熱傳遞通道，所述熱傳遞通道延伸通過上部；和蓋環(huán)區(qū)段，所述蓋環(huán)區(qū)段從下部徑向向內延伸。

在一些實施方式中，單件式處理配件屏蔽件包括：圓柱形主體，所述圓柱形主體具有上部和下部；適配器區(qū)段，所述適配器區(qū)段從上部徑向向外延伸并具有安置表面和密封表面，安置表面用以將單件式屏蔽件支撐在腔室的多個壁上，當單件式屏蔽件被放置在腔室中時，腔室蓋安置在密封表面上，以密封腔室的內側容積；熱傳遞通道，所述熱傳遞通道延伸通過適配器區(qū)段；蓋環(huán)區(qū)段，所述蓋環(huán)區(qū)段從下部徑向向內延伸；和湍流(turbulence)產(chǎn)生器件，所述湍流產(chǎn)生器件設置于熱傳遞通道內。

在一些實施方式中，處理腔室包括：腔室壁，所述腔室壁界定處理腔室內的內部容積；濺射靶材，所述濺射靶材設置在內部容積的上區(qū)段；基板支撐件，所述基板支撐件具有支撐表面，以在濺射靶材的下方支撐基板；單件式處理配件屏蔽件，所述單件式處理配件屏蔽件圍繞濺射靶材和基板支撐件。單件式處理配件屏蔽件包括：圓柱形主體，所述圓柱形主體具有圍繞濺射靶材的上部和圍繞基板支撐件的下部；熱傳遞通道，所述熱傳遞通道延伸通過上部；和蓋環(huán)區(qū)段，所述蓋環(huán)區(qū)段從下部徑向向內延伸并圍繞基板支撐件。

本公開內容的其它和進一步的實施方式說明于下。

附圖說明

可參考附圖中描繪的本公開內容的例示性的實施方式來理解本公開內容的以上簡要概述并以下更詳細描述的實施方式。然而，附圖僅示出了本公開內容的典型實施方式，并且因此將不被視為對本公開內容的范圍的限制，因為本公開內容可允許其它等效實施方式。

圖1描繪了根據(jù)本公開內容的一些實施方式的處理腔室的示意性截面圖。

圖2描繪了根據(jù)本公開內容的一些實施方式的處理配件屏蔽件的示意性截面圖。

圖3描繪了根據(jù)本公開內容的一些實施方式的處理配件屏蔽件的上部的示意性截面圖。

圖4描繪了根據(jù)本公開內容的一些實施方式的用于在處理配件屏蔽件中使用的湍流產(chǎn)生器件的示意性截面圖。

為了促進理解，已盡可能的使用相同的參考數(shù)字來指示附圖中共通的相同元件。附圖未按比例繪制，且可能為了清楚而被簡化。一個實施方式中的元件和特征可被有利地并入其它實施方式中而無需進一步贅述。

具體實施方式

在此提供處理配件屏蔽件和含有此處理配件屏蔽件的處理腔室的實施方式。在一些實施方式中，在此提供單件式處理配件屏蔽件，所述單件式處理配件屏蔽件包括分別對應適配器和蓋環(huán)的適配器區(qū)段和蓋環(huán)區(qū)段。適配器區(qū)段可包括熱傳遞通道，以冷卻單件式處理配件屏蔽件。單件式處理配件屏蔽件有利地改善屏蔽件冷卻并改良屏蔽件的各部分之間的熱傳遞性，屏蔽件的各部分在先前是分開的部件。

圖1描繪了根據(jù)本公開內容的一些實施方式的具有處理配件屏蔽件的示例性處理腔室100(如，pvd腔室)的示意性、截面圖。適合與本公開內容的處理配件屏蔽件一起使用的pvd腔室的實例包括可從美國加州圣克拉拉市的應用材料公司購得的plus、sip和其它pvd處理腔室。來自應用材料公司或其它制造商的其它處理腔室也可受益于在此公開的創(chuàng)造性設備。

處理腔室100包括腔室壁，腔室壁圍繞內部容積108。腔室壁包括側壁116、底部壁120和室頂124。處理腔室100可為獨立的腔室或多腔室平臺(未示出)的一部分，多腔室平臺具有通過基板傳送機構而連接的互相連接的腔室的群集，基板傳送機構在各個腔室之間傳送基板104。處理腔室100可為能將沉積材料濺射到基板104上的pvd腔室。用于濺射沉積的合適材料的非限制性實例包括鋁、銅、鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鎢、氮化鎢和類似物的一種或多種。

處理腔室100包括基板支撐件130，基板支撐件130包括底座134，以支撐基板104。底座134具有基板支撐表面138，基板支撐表面138具有實質上平行于濺射靶材140的濺射表面139的平面。底座134的基板支撐表面138在處理期間接收并支撐基板104。底座134可包括靜電卡盤或加熱器(諸如電阻加熱器、熱交換器或其它適當?shù)募訜崞骷?。在操作時，基板104通過處理腔室100的側壁116中的基板裝載入口142而被引入到處理腔室100中，并被放置在基板支撐件130上。基板支撐件130可通過支撐升降機構而被升高或降低，且升降指組件可在通過機械臂而將基板104放置在基板支撐件130的期間被用以升高和降低基板到基板支撐件130上。底座134可在等離子體操作期間保持在電氣浮動電位或接地。

處理腔室100還包括處理配件200，如在圖2和3中所示，處理配件200包括可被輕易地從處理腔室100移除的各種部件，例如，以自部件表面清潔濺射沉積物、替換或修復被侵蝕的部件，或可被輕易地從處理腔室100移除以用于使處理腔室100適于其它處理。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在處理配件屏蔽件、處理配件適配器和處理配件蓋環(huán)的接觸接口的熱阻不利地影響屏蔽件的溫度。而且，屏蔽件和適配器之間的低夾持力導致在適配器和屏蔽之間不良的熱傳遞，即便有用以強化熱傳遞速率的冷卻劑通道也是如此。低熱傳遞率的問題相對于蓋環(huán)而進一步地惡化，因為蓋環(huán)是浮動元件(即，不耦接到屏蔽件)。因此，發(fā)明人已經(jīng)設計具有單件式屏蔽件201的處理配件，所述處理配件有利地提供改良的屏蔽件和蓋環(huán)的冷卻/加熱。

在一些實施方式中，單件式屏蔽件201包括圓柱形主體214，圓柱形主體214具有直徑，所述直徑經(jīng)調整尺寸以包圍濺射靶材140的濺射表面139和基板支撐件130(例如，比濺射表面139和比基板支撐件130的支撐表面大的直徑)。圓柱形主體214具有圍繞濺射靶材140的濺射表面139的外邊緣的上部216和圍繞基板支撐件130的下部217。上部216包括適配器區(qū)段226，用于將單件式屏蔽件201支撐在側壁116上；和蓋環(huán)區(qū)段212，用于繞基板支撐件130的周邊壁204而放置。

處理配件200還包括設置在蓋環(huán)區(qū)段212的下方的沉積環(huán)208。蓋環(huán)區(qū)段212的底表面與沉積環(huán)208接口連接。沉積環(huán)208包括圍繞基板支撐件130的環(huán)形帶215。蓋環(huán)區(qū)段212至少部分覆蓋沉積環(huán)208。沉積環(huán)208和蓋環(huán)區(qū)段212彼此配合，以減少濺射沉積物形成在基板支撐件130的周邊壁204和基板104的伸出邊緣206上。

單件式屏蔽件201圍繞濺射靶材140的濺射表面139，濺射表面139面向基板支撐件130和基板支撐件130的外周邊。單件式屏蔽件201覆蓋并遮蔽處理腔室100的側壁116，以減少源自濺射靶材140的濺射表面139的濺射沉積物沉積到在單件式屏蔽件201后面的部件和表面上。例如，單件式屏蔽件201可保護基板支撐件130、基板104的伸出邊緣206、處理腔室100的側壁116和底壁120的表面。

如在圖1-3中所示，適配器區(qū)段226從上部216徑向向外延伸，且蓋環(huán)區(qū)段從圓柱形主體214的下部217徑向向內延伸。適配器區(qū)段226包括密封表面233和與密封表面233相對的安置表面234。密封表面233含有o形環(huán)溝槽222，以接收o形環(huán)223，以形成真空密封。適配器區(qū)段226包括安置表面234，以安置在處理腔室100的側壁116上。

適配器區(qū)段226支撐單件式屏蔽件201，且可以作為繞處理腔室100的側壁116的熱交換器。在一些實施方式中，熱傳遞通道289被設置在上部216，以流動熱傳遞介質。在一些實施方式中，熱傳遞通道289被設置在適配器區(qū)段226中。因為單件式屏蔽件201是整體的結構，所以流經(jīng)熱傳遞通道289的熱傳遞介質直接地冷卻/加熱對應于屏蔽件和蓋環(huán)的單件式屏蔽件201的區(qū)段(即，分別為圓柱形主體214和蓋環(huán)區(qū)段212)。而且，單件式屏蔽件201的整體結構有利地允許熱傳遞介質供應器180直接耦接到屏蔽件，屏蔽件在先前被非直接地通過適配器而耦接到熱傳遞供應器。熱傳遞介質供應器180以足以維持所期望的屏蔽件溫度的流率而將熱傳遞介質流經(jīng)熱傳遞通道289。

圖4顯示根據(jù)本公開內容的一些實施方式的湍流產(chǎn)生器件400。在一些實施方式中，熱傳遞通道289可包括一個或多個湍流產(chǎn)生器件400(在圖4中示出)。湍流產(chǎn)生器件400包括螺旋形的主體402，以引發(fā)在熱傳遞介質的流動和底座404中的湍流。底座404經(jīng)配置以與熱傳遞通道289的壁嚙合，以當熱傳遞介質流動經(jīng)過湍流產(chǎn)生器件400時，防止湍流產(chǎn)生器件400移動。通過湍流產(chǎn)生器件400而引發(fā)的湍流有利地改善在熱傳遞介質和單件式屏蔽件201之間的熱傳遞速率。

返回到圖2，單件式屏蔽件201允許從單件式屏蔽件201至在屏蔽件上沉積的材料的更好的熱傳遞，這減少在屏蔽件上沉積的材料的熱膨脹應力。單件式屏蔽件201的部分可通過曝露至在基板處理腔室中形成的等離子體而被過度地加熱，導致屏蔽件的熱膨脹并使得在屏蔽件上形成的濺射沉積物從屏蔽件剝落并落到基板104上并污染基板104。適配器區(qū)段226與圓柱形主體214的整體結構導致在適配器區(qū)段226和圓柱形主體214之間的改良熱傳遞性。

在一些實施方式中，單件式屏蔽件201包括由整塊材料制成的整體結構。例如，單件式屏蔽件201可由不銹鋼或鋁而形成。單件式屏蔽件201的整體結構比包括多個部件(通常為兩個或三個獨立的部分，以構成完整的屏蔽件)的傳統(tǒng)屏蔽件是有利的。例如，單件式屏蔽件在加熱和冷卻處理兩者中比多部件屏蔽件更加熱均勻。例如，單件式屏蔽件201消除圓柱形主體214、適配器區(qū)段226和蓋環(huán)區(qū)段212之間的熱接口，以允許對這些區(qū)段之間的熱交換更多的控制。在一些實施方式中，熱傳遞介質供應器180將冷卻劑流動通過熱傳遞通道289，以對付沉積在基板104上的所濺射的材料上的過熱的屏蔽件的不利影響，如以上所解釋的。在一些實施方式中，熱傳遞介質供應器180將加熱的流體流動經(jīng)過熱傳遞通道289，以緩和所濺射的材料和屏蔽件的熱膨脹系數(shù)之間的差異。

而且，具有多個部件的屏蔽件為了清潔而移除是更困難和更費力的。單件式屏蔽件201具有曝露于濺射沉積物而無難以清潔的接口或角落的連續(xù)表面。單件式屏蔽件201也更有效地在處理循環(huán)期間屏蔽腔室壁免于濺射沉積。在一些實施方式中，曝露在處理腔室100中的內部容積108的單件式屏蔽件201的表面可被噴砂(beadblasted)，以減少顆粒脫落和防止在處理腔室100內的污染。

沉積環(huán)208包括如圖2中所示的繞基板支撐件130的周邊壁204延伸并圍繞基板支撐件130的周邊壁204的環(huán)形帶215。環(huán)形帶215包括從環(huán)形帶215橫向延伸并且實質上平行于基板支撐件130的周邊壁204的的內唇部250。內唇部250緊接地終止于基板104的伸出邊緣206的下方。內唇部250界定沉積環(huán)208的內周邊，內周邊圍繞基板104的周邊和基板支撐件130，以在處理期間保護未被基板104覆蓋的基板支撐件130的區(qū)段。例如，內唇部250圍繞并至少部分地覆蓋基板支撐件130的周邊壁204(否則基板支撐件130的周邊壁204將被曝露于處理環(huán)境)以減少或甚至完全排除濺射沉積物沉積在周邊壁204上。有利地，沉積環(huán)208可被輕易地移除，以從沉積環(huán)208的曝露表面清潔濺射沉積物，使得基板支撐件130不必被拆除而清潔。沉積環(huán)208也可用以保護基板支撐件130的曝露側表面，以減少由能量化的等離子體物種對它們的侵蝕。

在一些實施方式中，沉積環(huán)208的環(huán)形帶215具有半圓形突起252，半圓形突起252沿著環(huán)形帶215的中央部分延伸，具有徑向向內傾斜254a、254b于半圓形突起252的任一側上。徑向向內傾斜254a與蓋環(huán)區(qū)段212間隔開，以在沉積環(huán)208和蓋環(huán)區(qū)段212之間形成弧形間隙256，弧形間隙256作為曲徑(labyrinth)，以減少等離子體物種滲透到弧形間隙256中。開放內通道258位于內唇部250和半圓形突起252之間。開放內通道258徑向向內延伸，至少部分地終止在基板104的伸出邊緣206的下方。開放內通道258促進在清潔沉積環(huán)208期間，將濺射沉積物從這些部分移除。沉積環(huán)208還具有向外延伸且位于半圓形突起252的徑向向外處的凸耳(ledge)260。凸耳260用以部分地支撐蓋環(huán)區(qū)段212，因而提供用于單件式屏蔽件201的額外支撐。

蓋環(huán)區(qū)段212環(huán)繞并至少部分覆蓋沉積環(huán)208以接收，并因此，遮蔽沉積環(huán)208免于大量的濺射沉積物。蓋環(huán)區(qū)段212包括環(huán)形楔(wedge)262，環(huán)形楔262包括徑向向內傾斜并環(huán)繞基板支撐件130的傾斜上表面264。環(huán)形楔262的傾斜上表面264具有包括凸出緣270的內周邊266，凸出緣270覆蓋徑向向內傾斜254a，徑向向內傾斜254a包括沉積環(huán)208的開放內通道258。凸出緣270減少濺射沉積物沉積于沉積環(huán)208的開放內通道258上。有利地，凸出緣270凸出一距離，所述距離對應與沉積環(huán)208形成的弧形間隙256的寬度的至少約一半。凸出緣270經(jīng)調整尺寸、形狀和經(jīng)定位，以與弧形間隙256配合和配對，以在蓋環(huán)區(qū)段212和沉積環(huán)208之間形成回旋和收縮的流動路徑，因而抑制處理沉積物流動到周邊壁204上。

狹窄的弧形間隙256的收縮的流動路徑限制低能量的濺射沉積物積聚在沉積環(huán)208和蓋環(huán)區(qū)段212的配合表面上，否則將導致沉積環(huán)208和蓋環(huán)區(qū)段212的配合表面黏著再一起，或黏著至基板104的伸出邊緣206。在伸出邊緣206之下延伸的沉積環(huán)208的開放內通道258經(jīng)設計以結合從蓋環(huán)區(qū)段212的凸出緣270的遮蔽，以收集在濺射腔室中的濺射沉積物，同時減少或甚至實質上排除在蓋環(huán)區(qū)段212和沉積環(huán)208的配合表面上的濺射沉積物。傾斜上表面264可以以至少約15°的角度傾斜。蓋環(huán)區(qū)段212的傾斜上表面264的角度經(jīng)設計以最小化最接近基板104的伸出邊緣206的濺射沉積物的積聚，否則將不利地影響跨越基板104的沉積均勻性。

蓋環(huán)區(qū)段212包括從環(huán)形楔262的傾斜上表面264向下延伸的基腳(footing)276，以安置在沉積環(huán)208的凸耳260上?；_276從楔262向下延伸，以實質上壓抵沉積環(huán)208而不令沉積環(huán)208破裂或斷裂。

如在圖1-3中所示，濺射靶材140包括安裝到背板284的濺射板280。濺射板280包括待被濺射到基板104上的材料。濺射板280可具有中央圓柱形臺面286，圓柱形臺面286具有形成平面的濺射表面139，所述平面平行于基板104的平面。環(huán)形傾斜邊288圍繞圓柱形臺面286。環(huán)形傾斜邊288可相對于圓柱形臺面286的平面傾斜至少約8°，例如，從約10°至約20°的角度。具有突出294和凹陷296的周邊傾斜側壁290包圍環(huán)形傾斜邊288。周邊傾斜側壁290可相對于圓柱形臺面286的平面傾斜至少約60°的角度，例如，從約75°至約85°的角度。

鄰近于單件式屏蔽件201的上部216的環(huán)形傾斜邊288和周邊傾斜側壁290的復雜形狀形成包括暗空間區(qū)域的回旋的間隙300。暗空間區(qū)域為被高度耗盡自由電子且可被仿真為真空的區(qū)域。暗空間區(qū)域的控制有利地防止等離子體進入暗空間區(qū)域、電弧和等離子體的不穩(wěn)定性。間隙300形狀充當阻礙所濺射的等離子體物種通過間隙300的通道的曲徑，且因此減少濺射沉積物積累于周邊靶材區(qū)段的表面上。

濺射板280包括金屬或金屬化合物。例如，濺射板280可為金屬，諸如(例如)鋁、銅、鎢、鈦、鈷、鎳或鉭。濺射板280也可為金屬化合物，諸如(例如)，氮化鉭，氮化鎢或氮化鈦。

背板284具有用以支撐濺射板280的支撐表面303和延伸超過濺射板280的半徑的周邊凸耳304。背板284由金屬制成，諸如(例如)，不銹鋼、鋁、銅-鉻或銅-鋅。背板284可由具有足夠高的熱傳遞率以消散在濺射靶材140中所產(chǎn)生的熱量的材料所制成，熱量形成在濺射板280和背板284兩者中。熱量由發(fā)生在這些板280、284中的渦流所產(chǎn)生，且也由來自等離子體的至濺射靶材140的濺射表面139上的高能離子轟擊所產(chǎn)生。背板284的更高導熱率允許在濺射靶材140中產(chǎn)生的熱量發(fā)散至圍繞的結構，或甚至發(fā)散至可被安裝在背板284之后或可在背板284自身中的熱交換器。例如，背板284可包括通道(未示出)，以在通道中循環(huán)熱傳遞流體。背板284的合適高熱傳遞率為至少約200w/mk，例如，從約220至約400w/mk。此種熱傳遞率水平允許濺射靶材140通過更有效地發(fā)散在濺射靶材140中所產(chǎn)生的熱量而被以更長的處理時間周期操作。

與分別地或單獨地具有高的熱傳遞率和低電阻率的材料所制成的背板284結合，背板284可包括具有一個或多個溝槽的背側表面(未示出)。例如，背板284可具有溝槽(諸如環(huán)形溝槽)或凸脊，用以冷卻濺射靶材140的背側。溝槽和凸脊還可具有其它圖案，例如，矩形格狀圖案、雞腳圖案或跨越背側表面延伸的簡單的平直線。

在一些實施方式中，濺射板280可通過擴散接合、通過放置兩個板280、284于彼此上，和加熱板280、284至合適的溫度(通常至少約200℃)而被安裝在背板284上。可選地，濺射靶材140可為整體結構，所述整體結構包括具有足夠的深度以作為濺射板和背板兩者的單件式材料。

背板284的周邊凸耳304包括安置在處理腔室100的隔離器310上的外基腳308(圖2和3)。周邊凸耳304含有o形環(huán)314被放置于其中的o形溝槽312，以形成真空密封。隔離器310將背板284和處理腔室100電隔離和分離，且通常為由介電材料或絕緣材料(諸如氧化鋁)所形成的環(huán)。周邊凸耳304經(jīng)調整形狀以通過在濺射靶材140和隔離器310之間的間隙而抑制濺射的材料和等離子體物種的流動或遷移，以阻止低角度的濺射沉積物滲透到間隙中。

返回到圖1，濺射靶材140被連接到dc電源146和rf電源148之一或兩者。dc電源149可相對于單件式屏蔽件201施加偏壓至濺射靶材140，單件式屏蔽件201在濺射處理期間可為電氣浮動的。當dc電源146將功率供應給濺射靶材140時，單件式屏蔽件201、基板支撐件130和連接到dc電源146、rf電源148的其它腔室部件能量化濺射氣體，以形成濺射氣體的等離子體。所形成的等離子體碰撞并轟擊濺射靶材140的濺射表面139，以將材料從濺射表面139濺射出到基板104上。在一些實施方式中，由rf電源118供應的rf能量可在從大約2mhz至約60mhz的頻率范圍，或者(例如)可使用非限制性的頻率，諸如2mhz、13.56mhz、27.12mhz或60mhz。在一些實施方式中，可提供多個rf電源(即，兩個或更多個)，以以多個上述的頻率提供rf能量。

在一些實施方式中，處理腔室100可包括磁場產(chǎn)生器330，以成形繞濺射靶材140的磁場，以改善濺射靶材140的濺射。電容產(chǎn)生的等離子體可通過磁場產(chǎn)生器330而被強化，其中例如，永久磁鐵或電磁線圈可在處理腔室100中提供磁場，處理腔室100具有旋轉磁場，所述旋轉磁場具有垂直于基板104的平面的旋轉軸線。處理腔室100可額外地或替代地)包括靠近處理腔室100的濺射靶材140而產(chǎn)生磁場的磁場產(chǎn)生器330，以增加鄰近濺射靶材140的高密度等離子體區(qū)域中的離子密度，以改善靶材材料的濺射。

濺射氣體通過氣體輸送系統(tǒng)332而被引入到處理腔室100中，氣體輸送系統(tǒng)332從氣源334經(jīng)由具有氣體流量控制閥338(諸如質流控制器)的導管336而提供氣體，以令設定流動速率的氣體通過氣體流量控制閥338。氣體被饋送到混合歧管(未示出)，其中氣體被混合，以形成所期望的處理氣體成分并被饋送至具有氣體出口的氣體分配器340，以將氣體引入處理腔室100中。處理氣體可包括非反應性氣體(諸如氬氣或氙氣)，非反應性氣體能夠積極地撞擊濺射靶材140，并從濺射靶材140濺射材料。處理氣體還可包括反應性氣體(諸如含氧氣體和含氮氣體的一種或多種)，反應性氣體能夠與濺射的材料反應，以在基板104上形成層。氣體接著被rf電源148能量化，以形成等離子體，以濺射濺射靶材140。用過的處理氣體和副產(chǎn)物被從處理腔室100通過排氣裝置342排出。排氣裝置342包括排氣口344，排氣口344接收用過的處理氣體并將用過的氣體遞送至排氣導管346，排氣導管346具有節(jié)流閥，以控制在處理腔室100中的氣體的壓力。排氣導管346被連接到一個或多個排氣泵348。

處理腔室100的各種部件可通過控制器350而控制?？刂破?50包括具有指令集的程序代碼，以操作部件，以處理基板104。例如，控制器350可包括程序代碼，所述程序代碼包括：基板定位指令集，用以操作基板支撐件130和基板傳送機構；氣體流量控制指令集，用以操作氣體流量控制閥，以設定濺射氣體到處理腔室100的流量；氣體壓力控制指令集，用以操作排氣節(jié)流閥，以維持處理腔室100中的壓力；氣體能量器控制指令集，用以操作rf電源148，以設定氣體能力化功率等級；溫度控制指令集，用以控制在基板支撐件130或熱傳遞介質供應器180中的溫度控制系統(tǒng)，以控制熱傳遞介質至熱傳遞通道289的流動速率；和處理監(jiān)控指令集，用以監(jiān)控處理腔室100中的處理。

雖然前述內容是針對本公開內容的實施方式，但是可在不脫離本公開內容的基本范圍的情況下設計本公開內容的其他和進一步的實施方式。