1.一種器件封裝件，包括：
管芯；
位于所述管芯上方的扇出式再分布層(RDL)；
位于所述扇出式RDL上方的凸塊下金屬(UBM)，其中，所述UBM包括：
導(dǎo)電焊盤部分；和
環(huán)繞所述導(dǎo)電焊盤部分的溝槽；以及
設(shè)置在所述UBM的所述導(dǎo)電焊盤部分上的連接件，其中，所述扇出式RDL將所述連接件和所述UBM電連接至所述管芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述UBM還包括環(huán)繞所述溝槽的擁壁部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件封裝件，其中，所述擁壁部分的寬度為約10μm至約20μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件封裝件，其中，所述連接件不設(shè)置在所述UBM的所述擁壁部分上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述溝槽的寬度在約10μm至約20μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述扇出式RDL包括導(dǎo)電線，其中，所述UBM形成在所述導(dǎo)電線的頂面上，并且其中，所述溝槽暴露所述導(dǎo)電線的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件封裝件，其中，所述扇出式RDL包括在所述導(dǎo)電線的所述頂面上方延伸的聚合物層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件封裝件，其中，所述UBM的全部設(shè)置在所述聚合物層的開口中。
9.一種器件封裝件，包括：
器件管芯；
位于所述器件管芯上方并且電連接至所述器件管芯的導(dǎo)電線；
在所述導(dǎo)電線的頂面上方延伸的聚合物層；
形成在所述導(dǎo)電線的頂面上的凸塊下金屬(UBM)，其中，所述UBM至少部分地被所述聚合物層中的開口暴露，并且其中，所述UBM包括：
導(dǎo)電焊盤部分；和
在所述導(dǎo)電焊盤部分周圍形成環(huán)的擁壁部分，其中，所述擁壁部分通過(guò)溝槽與所述導(dǎo)電焊盤部分分開；以及
位于所述UBM的所述導(dǎo)電焊盤部分上的焊料球。
10.一種用于形成器件封裝件的方法，包括：
在管芯上方形成晶種層；
在所述晶種層上形成導(dǎo)電線；
在所述導(dǎo)電線和所述晶種層上方形成第一掩模層；
在所述第一掩模層中圖案化開口，其中，所述開口包括：
用于凸塊下金屬(UBM)的導(dǎo)電焊盤部分的第一開口；以及
用于所述UBM的擁壁部分的第二開口，其中，所述第二開口在所述第一開口周圍形成環(huán)，并且其中，所述第一掩模層的部分保留設(shè)置在所述第一開口和所述第二開口之間；
在所述第一開口和所述第二開口中形成所述UBM；
去除所述第一掩模層；以及
將焊料球安裝至所述UBM的所述導(dǎo)電焊盤部分。