技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種多閾值電壓鰭式晶體管的形成方法，包括：提供包括第一N型閾值區(qū)、第二N型閾值區(qū)、第一P型閾值區(qū)和第二P型閾值區(qū)的襯底，襯底表面分別具有鰭部；在襯底表面形成隔離層；在隔離層和鰭部表面形成介質(zhì)層，介質(zhì)層內(nèi)具有第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽、第四溝槽；在第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽和第四溝槽底部形成柵介質(zhì)層；在第三溝槽內(nèi)形成第一P型功函數(shù)層；在第一P型功函數(shù)層表面以及第一溝槽、第二溝槽和第四溝槽內(nèi)形成第二P型功函數(shù)層；在第一溝槽內(nèi)的第二P型功函數(shù)層上形成第一N型功函數(shù)層；在第一N型功函數(shù)層以及第二溝槽、第三溝槽和第四溝槽內(nèi)形成第二N型功函數(shù)層。形成多閾值電壓鰭式晶體管的方法簡單。

技術(shù)研發(fā)人員：李勇
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.06
技術(shù)公布日：2017.07.14