本發(fā)明涉及晶圓領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓承載裝置。

背景技術(shù)：

隨著科技的進(jìn)步，對于晶圓厚度的要求越來越薄，因此需要背面研磨的制程。

請參閱圖1，圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中背面研磨及背面研磨之后的制程。

于步驟s100中，對一晶圓進(jìn)行針測(waferprobe)。于步驟s102中，對該晶圓進(jìn)行植球。于步驟s104中，對該晶圓進(jìn)行背面研磨。于步驟s106中，以紫外光照射20～30秒，移除晶圓上之錫球面的保護(hù)膠帶。于步驟s108中，對該晶圓進(jìn)行固化。于步驟s110中，對該晶圓進(jìn)行研磨面(即背面)上的微粒(particle)殘膠清洗或蝕刻。于步驟s112中，對該晶圓背面之薄膜進(jìn)行雷射標(biāo)識(lasermarking)。于步驟s114中，再次進(jìn)行晶圓針測(waferprobe)。于步驟s116中，對該晶圓進(jìn)行清洗或蝕刻。于步驟s118中，貼上芯片背面保護(hù)膠帶(lctape)并上框架(thinframe)。于步驟s120中，切割該晶圓以獲得晶粒。于步驟s122 中，以紫外光照射20～30秒，移除芯片背面保護(hù)膠帶。于步驟s124中，傳送到測試分類(pickandplace)站。于步驟s126中，檢驗各晶粒。于步驟s128中，選取并放置晶粒。于步驟s130中，將選取的晶粒傳送至吸取晶粒站(reel)。

在上述步驟s110及s116中，需要對晶圓進(jìn)行清洗，然而由于晶圓厚度越來越薄，因此在清洗過程中容易造成晶圓破裂的情況發(fā)生。此外，現(xiàn)有技術(shù)中，采用吸盤吸住晶圓或用頂針承載晶圓，在清洗過程中也容易造成晶圓破裂的情況發(fā)生。

此外，在對晶圓進(jìn)行研磨面上的微粒及殘膠清洗或蝕刻制程中，所噴灑的液體或清水容易流至不需要清洗或蝕刻的表面，造成不需要清洗或蝕刻的表面受到侵蝕甚至破壞線路。

因此需要針對現(xiàn)有技術(shù)中晶圓容易破裂以及不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問題提出解決方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種晶圓承載裝置，其能解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓容易破裂以及不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問題。

本發(fā)明提供一種晶圓承載裝置，用于承載一晶圓，該晶圓承載裝置包括一基座以及一承載盤。該承載盤固定于該基座上并包括一底盤、一出氣盤、以及若干個限位單元。該底盤包括若干個連接部，各連接部包括若干個氣孔。該出氣盤設(shè)置于該底盤上且包括若干個多孔性薄膜。這些限位單元固定在該底盤之周圍。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，該基座具有一進(jìn)氣部，該進(jìn)氣部用于提供使該晶圓漂浮至一特定位置之氣壓。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，該晶圓漂浮至該特定位置時，這些限位單元夾持住該晶圓并帶動該晶圓旋轉(zhuǎn)。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，該特定位置為該出氣盤上方0.5毫米至10毫米之間。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，這些多孔性薄膜的位置對應(yīng)至這些氣孔的位置。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，這些多孔性薄膜的孔徑為0.1至0.5微米，這些多孔性薄膜的厚度為1至5毫米。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，這些連接部被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之連接部被分離成若干個部分。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，這些多孔性薄膜被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之多孔性薄膜被分離成若干個部分。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，該出氣盤進(jìn)一步包括若干個鎖固件，這些鎖固件用于鎖固在該底盤上。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，各限位單元包括一固定部以及一可移動部。該固定部呈倒l形狀并用于固定在該出氣盤上。該可移動部嵌入于該固定部之一垂直邊中。

依據(jù)本發(fā)明的實施例，該可移動部包括一扣件部，該可移動部可朝向該固定部之一水平邊的方向傾斜，并帶動該扣件部朝向該固定部之該水平邊的方向傾斜。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明之晶圓承載裝置采用之多孔性薄膜能提供均勻的氣壓給晶圓，使得晶圓不會有破裂的情況發(fā)生。再者，本發(fā)明之晶圓承載裝置采用限位單元帶動晶圓旋轉(zhuǎn)，在清洗或蝕刻時所噴灑的化學(xué)藥劑、氮氣、或清水不會流至該晶圓不需要清洗或蝕刻的表面，因此不會破壞不需要清洗或蝕刻的表面上的線路。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中背面研磨及背面研磨之后的制程。

圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例之晶圓承載裝置之立體圖。

圖3顯示圖2之承載盤之分解圖。

圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例之限位單元之立體圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。

請參閱圖2至圖3，圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例之晶圓承載裝置2之立體圖。圖3顯示圖2之承載盤22之分解圖。

該晶圓承載裝置2包括一基座20以及承載盤22。該晶圓承載裝置2用于承載一晶圓30，更明確地說，該晶圓承載裝置2 之該承載盤22承載該晶圓30。該基座20之內(nèi)部具有一進(jìn)氣部24，該進(jìn)氣部24用于提供使該晶圓30能漂浮至一特定位置之氣壓。該晶圓30具有一正面300以及一背面302。該正面300為具有線路的表面。該背面302為需要清洗或蝕刻的表面，因此必須曝露朝向上方。

該承載盤22固定于該基座20上，由該基座20定位該承載盤22。于本實施例中，該基座20大致呈一圓柱體的形狀，該承載盤22之下表面固定連結(jié)于該基座20上。于其他實施例中，該基座20并不限于如圖2所示之形狀，只要能固定并定位該承載盤22即可。

該晶圓30在未清洗或蝕刻時受到該承載盤22的承載，亦即該晶圓30之下表面在未清洗與該承載盤22接觸。如圖3所示，該承載盤22包括一底盤220、一出氣盤222、以及若干個限位單元224。

該底盤220固定于該基座20上。該底盤220上包括若干個連接部2200。各連接部2200包括若干個氣孔2202。該出氣盤222設(shè)置于該底盤220上且包括若干個多孔性薄膜2220以及若干個鎖固件2222。于一較佳實施例中，這些多孔性薄膜2220的孔徑為0.1至0.5微米(micrometer；μm)，這些多孔性薄膜2220的厚度為1至5毫米(millimeter；mm)。這些多孔性薄膜2220的位置對應(yīng)至這些連接部2200的位置。更明確地說，這些多孔性薄膜2220的下方對應(yīng)至這些連接部2200，亦即對應(yīng)至這些氣 孔2202的位置。

于本實施例中，這些連接部2200被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之連接部2200被分離成若干個部分。于本實施例中，相同圈之連接部2200被分離成四個部分。相對應(yīng)地，這些多孔性薄膜2220也被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之多孔性薄膜2220被分離成若干個部分。于本實施例中，相同圈之多孔性薄膜2220被分離成四個部分。這些鎖固件2222用于鎖固在該底盤220上。

這些限位單元224固定在該底盤220之周圍，用于使該晶圓30能限定在該出氣盤222上而不會掉落。此外，要說明的是，于本實施例中，該承載盤22包括四個限位單元224，然而限位單元224的數(shù)量并非限于四個，可為其他數(shù)量。

請參閱圖4，圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例之限位單元224之立體圖。

該限位單元224包括一固定部2240以及一可移動部2242。該限位單元224大致呈一鳥嘴形狀，更明確地說，該固定部2240大致呈倒l形狀，用于固定在該出氣盤222上。該可移動部2242嵌入于該固定部2240之一垂直邊中且包括一扣件部2244，該可移動部2242可朝向該固定部2240之一水平邊的方向傾斜，并帶動該扣件部2244朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜，藉此使圖2之該晶圓30能限定在該出氣盤222上而不會掉落。

請參閱圖2至圖4，當(dāng)需要對該晶圓30進(jìn)行清洗或蝕刻時， 首先該基座20內(nèi)部之進(jìn)氣部24提供足夠使將該晶圓30能漂浮至特定位置之氣壓，該氣壓經(jīng)由這些連接部2200之這些氣孔2202及該出氣盤之這些多孔性薄膜2220而使得該晶圓30漂浮至特定位置，較佳而言，本發(fā)明之晶圓承載裝置2能承載之晶圓30的厚度為35微米(micrometer；μm)至900微米，并能控制該晶圓30漂浮至該出氣盤222上方0.5毫米(millimeter；mm)至10毫米之間(亦即該特定位置為該出氣盤222上方0.5毫米至10毫米之間)。要說明的是，此時該晶圓30僅漂浮至該出氣盤222上方但并未旋轉(zhuǎn)。

這些多孔性薄膜2220能將該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生之氣壓均勻的提供給該晶圓30，使得晶圓30漂浮至特定位置時不會有破裂的情況發(fā)生。

該晶圓30漂浮至特定位置時，各可移動部2242在該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生的氣流、各可移動部2242的偏心力、以及各可移動部2242的離心力三者的作用下，各可移動部2242朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜(即朝向該出氣盤222的內(nèi)部傾斜)，進(jìn)而帶動各扣件部2244朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜，使得各限位單元224能夾持住該晶圓30并帶動該晶圓30旋轉(zhuǎn)，更明確地說，各限位單元224之各扣件部2244的頂端能夾持住該晶圓30并帶動該晶圓30旋轉(zhuǎn)。

接著，設(shè)置于該晶圓30上方之一噴灑單元(未圖標(biāo))對該晶圓30噴灑清洗或蝕刻所需之化學(xué)藥劑、氮氣、或清水。該晶 圓30能承受0.2公斤(kilogram；kg)至5公斤的壓力。由于該晶圓30在各扣件部2244的帶動下旋轉(zhuǎn)，因此該晶圓30在清洗或蝕刻時所噴灑的化學(xué)藥劑、氮氣、或清水會向外甩出，并不會流至該晶圓30之正面300(具有線路)，亦即不會破壞該晶圓30之正面300的線路。

最后，當(dāng)結(jié)束對該晶圓30的清洗或蝕刻時，噴灑單元(未圖標(biāo))停止對該晶圓30噴灑化學(xué)藥劑、氮氣、或清水，該進(jìn)氣部24也停止提供氣壓，原本各可移動部2242朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜(即朝向該出氣盤222的內(nèi)部傾斜)，此時各可移動部2242在該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生的氣流、各可移動部2242的偏心力、以及各可移動部2242的離心力三者消失的情況下，各可移動部2242會恢復(fù)至垂直的方向，進(jìn)而使得各扣件部2244的頂端也會恢復(fù)至垂直的方向而不再夾持住該晶圓30，該晶圓30將會緩慢地平放在該出氣盤222上。

綜上所述，本發(fā)明之晶圓承載裝置2采用之多孔性薄膜2220能提供均勻的氣壓給晶圓30，使得晶圓30在進(jìn)氣部24的作用而漂浮至特定位置時不會有破裂的情況發(fā)生。再者，本發(fā)明之晶圓承載裝置2采用扣件部2244帶動晶圓30旋轉(zhuǎn)，在清洗或蝕刻時所噴灑的化學(xué)藥劑、氮氣、或清水不會流至晶圓30之正面300，因此不會破壞晶圓30之正面300的線路。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫 離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。