技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明公開一種半導體元件及其制作方法，該半導體元件包含有一基底、一包含有一第一導電型態(tài)的第一阱區(qū)、一包含有一第二導電型態(tài)的第二阱區(qū)、一第一鰭片結(jié)構(gòu)、以及一第二鰭片結(jié)構(gòu)。該第一導電型態(tài)與該第二導電型態(tài)彼此互補。該基底包含有一第一半導體材料，該第一鰭片結(jié)構(gòu)與該第二鰭片結(jié)構(gòu)包含有該第一半導體材料與一第二半導體材料，且該第二半導體材料的一晶格常數(shù)大于該第一半導體材料的一晶格常數(shù)。該第一鰭片結(jié)構(gòu)內(nèi)的該第一半導體材料包含有一第一濃度，該第二鰭片結(jié)構(gòu)內(nèi)的該第一半導體材料包含有一第二濃度，且該第二濃度大于該第一濃度。

技術研發(fā)人員：陳建宏;黃世賢;楊玉如;曾嘉勛;蔡成宗;吳俊元
受保護的技術使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.01.12
技術公布日：2017.07.18