1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含:
一芯片，具有一有源面以及一相對于所述有源面的背面；
一模塑料，覆蓋并包覆所述芯片；以及
一重分布層，設(shè)于所述有源面以及所述模塑料上，其中所述重分布層是與所述芯片電連接，所述重分布層包含至少一有機(jī)介電層以及一無機(jī)介電硬掩膜層，設(shè)于所述有機(jī)介電層上，其中所述重分布層還包含一金屬結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述有機(jī)介電層以及所述無機(jī)介電硬掩膜層中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，位于所述有機(jī)介電層以及所述無機(jī)介電硬掩膜層內(nèi)的所述金屬結(jié)構(gòu)構(gòu)成所述重分布層的一第一金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述無機(jī)介電硬掩膜層與所述金屬結(jié)構(gòu)上，還包括一多層介電堆疊結(jié)構(gòu)，所述多層介電堆疊結(jié)構(gòu)包含交替層疊的有機(jī)介電材料及無機(jī)介電材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，于所述多層介電堆疊結(jié)構(gòu)中，具有一金屬導(dǎo)線結(jié)構(gòu)以及一金屬介層插塞結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線結(jié)構(gòu)構(gòu)成所述重分布層的一第二金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述有機(jī)介電層包含聚亞酰胺、苯并環(huán)丁烯或聚苯惡唑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述無機(jī)介電硬掩膜層包含二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、磷硅玻璃、或硼磷硅玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述重分布層是通過多個凸塊與所述芯片電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述重分布層是通過多個銅柱與所述芯片電連接。